苯甲醛在离子液体中的电化学行为

应用线性扫描循环伏安法、方波循环伏安法和计时电量法测定苯甲醛在3种离子液体C4M IMBF4、C6M IMBF4和C8M IMBF4中的电化学行为.实验表明,在C4M IIVIBF4离子液体中苯甲醛于GC电极上的还原包含两个连续、不可逆单电子过程,对应的方波I~E曲线峰电位Ep为-1.39 V和-1.69 V,估算的扩散系数分别为D1=1.5×10-8cm2/s和D2=1.3×10-8cm2/s.而在C6M IMBF4和C8M IMBF4离子液体中,则苯甲醛于GC电极仅显示一个电流峰,这可能是因为C4M IMBF4的碱性较C6M IMBF4和C8M IMBF4弱的缘故;而电流的衰减时间亦依C4M IMBF4,C6M IMBF4,C8M IMBF4,次序增长,并会导致更慢的异相动力学过程.     

TATB二聚体分子间作用力及其气相几何构型研究

采用对称性匹配微扰理论(SAPT)定量地求得TATB分子间的静电、交换排斥、诱导和色散等分子间作用能项, 从理论上揭示了TATB分子间作用本质; 在此基础上, 阐明了密度泛函在研究TATB二聚体时的适合性问题. 结果表明: (1)在有分子间氢键的TATB二聚体中, 库仑力足以与交换排斥力相抗衡, 起主导作用. (2)含分子间氢键的气相TATB二聚体的合理几何构型为平面型结构, 此结构的产生与色散力无关, 因此不管泛函是否含有近程色散作用, 均应预测到这种强极性的平面型结构. (3)在无分子间氢键的TATB二聚体中, 库仑力难以与交换排斥力相抗衡, 色散作用起到了关键作用; (4)在这种情况下, 未含有近程色散作用的密度泛函不可能给出合理构型. 恰好相反, 含有近程色散作用的密度泛函PBE0却能正确地预测到具有“平行重叠”结构且呈微弱极性的TATB二聚体, 色散力是导致这种构型产生的根本原因. “平行重叠”TATB二聚体是典型的色散体系, 其色散力占绝对主导地位并极有可能起源于两个TATB分子上π电子的相互作用. (5)对于所有TATB二聚体, 色散力或很显著或起主导作用. 由于密度泛函或未含有近程色散, 或只能部分地把近程色散表达出来, 这样使得当前所有密度泛函不可能精确求得这些二聚体的作用能.     

Realization of an efficient coherent combination via Michelson cavity

An intracavity coherent coupling Michelson erbium-doped fibre (EDF) laser (MCEDFL) is proposed and demonstrated. By using this laser system, we find a means to obtain a maximum power output at the same pumping power level. From the experiment based on fibre Bragg gratings (FBGs) with different reflectivities from 6{\%} to 100{\%}, we find that the reflectivity of the FBG plays a vital role in improving the performance of the MCEDFL. At the same time, the MCEDFL with a polarizer can be coherently combined effectively. This type of system, in principle, is compatible with other more powerful pumping methods, such as cladding pumping, and brings some novel perspectives to the realization of high power lasers.     

近红外半导体材料HgInTe的缺陷腐蚀

研究了HgInTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgInTe的腐蚀液,并对腐蚀原理做了分析.利用该腐蚀液对HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究.结果表明,垂直轴向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近等腰三角形.在本实验条件下,位错蚀坑密度EPD(etch-pit density)约在105/cm2数量级.HgInTe晶体中的位错墙主要以边重叠和角重叠两种方式排列而成.HgInTe中存在少量由内应力引起的微裂纹.该腐蚀液能有效地显示HgInTe晶体不同晶面的多种缺陷,腐蚀效果较好.     

脉冲放电脱硫反应器中高能电子密度分布的光谱研究

脉冲流光放电产生的大于等于11.2 eV的高能电子能将处于基态的氮分子激发到N₂(C3Π_u)态,测试脉冲流光放电时的N₂(C3Π_u→B3Πg)发射光谱相对强度可以得出脉冲流光放电产生的高能电子的密度。实验在室温常压下研究了空气中线-板式脉冲流光放电脱硫反应器内高能电子密度分布情况,并研究了脉冲电压、反应器的线线间距对反应器内高能电子密度分布的影响。实验结果表明,反应器内的高能电子主要集中在放电线附近高电场区内,随着离放电线的距离增大,高能电子密度减小;脉冲电压对高能电子密度有很大影响,随着电压的升高,高能电子密度基本呈线性增大;线板间距固定,线线间距为线板间距的0.6～1倍时,反应器内高能电子密度分布较为均匀。     

酸根离子及其水溶液对镎酰离子结构性质的影响

利用B3LYP杂化密度泛函方法,在相对论有效芯势模型下,优化得到了NpO22+离子及其配合物在气相和水溶液中的几何结构和电子结构, 研究了NO3-、SO42-和CO32-离子及其水溶液对NpO22+离子的结构和性质的影响.结果表明,NpO22+离子结合各种酸根离子后其Np=O键的键长都有明显增长、Np和O原子的价电子轨道能均有升高,而考虑溶剂化效应后酸根离子的影响将减小.电荷分析发现,结合酸根离子后,NpO22+中Np和O原子间形成的共价键的强度减弱、键长增长.对NpO22+离子与三种酸根离子的理论结合能的比较显示,NpO2CO3分子最为稳定.     

火焰原子吸收光谱法测定医药原料黄体酮中的铬

本文研究了黄体酮中微量元素铬的火焰原子吸收分光光度法的测定，方法简便、快速，省时，具有良好的精密度和准确度。平均相对标准偏差为３．０２％，平均回收率为９８．８％。     

一种可能的InP(100)(4×2)表面原子结构模型

对于用氩离子刻蚀并在磷气氛中退火得到的InP(100)(4×2)再构表面,用HREELS测得表面的In—H和P—H键几乎是同时形成的,而用偏振光UPS观察时,P的悬挂键电子态并不具有沿原胞两个周期方向的对称性质。根据这些结果,可以推测InP(100)的富In表面存在In的空位,与In空位相邻的P原子悬挂键发生了转向。我们提出了一种失列-二聚物原子结构模型。它可以定性地解释所观察到的实验事实。 关键词：     

确定同科电子原子态的杨图方法

本文根据多电子体系波函数的交换对称性，用杨图填充的办法，得出同科电子在Ｌ－Ｓ耦合及Ｊ－Ｊ耦合中的原子态．方法简捷明了，在教学上取得了良好效果。     

光电化学反应的催化 Ⅰ.大颗粒金岛对n-TiO_2电极上光电化学过程的催化作用

用溅射、光还原及电沉积法在n-TiO_2单晶电极表面上形成了大颗粒金岛.测量了这些电极和纯金电极在H_2SO_4溶液以及含有Fe~(3+)/Fe~(2+)的酸溶液中的光电化学极化行为.通过分析和比较这些曲线,确定了大颗粒金岛与n-TiO_2单晶的接触具有欧姆结性质.并借助于可换盘旋转环盘电极,在含Ce~(3+)的酸溶液中测量了裸TiO_2电极及载金的TiO_2电极上Ce~(3+)的竞争光电化学氧化.证实了以大岛形式在TiO_2电极表面上分布的催化剂只能催化暗反应,而不能催化光电化学反应.