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71.
Eu-TTA体系测定条件的优化及其在小麦代谢研究 中的应用   总被引:4,自引:0,他引:4  
曾福礼  吴翚  安宜  邓汝温  王怀公 《化学学报》2000,58(8):1063-1066
研究了铕(Ⅲ)-TTA(邻-噻吩甲酰三氟丙酮)体系在有机溶剂和邻菲啰啉衍生物存在下的荧光性质,发现醇类有机溶剂能使Eu(Ⅲ)-TTA体系荧光强度大幅度提高;三种邻菲啰啉衍生物中,4,7-二苯基-2,9-二甲基-1,10-邻菲啰啉的加入也能提高体系灵敏度。优化了反应条件,并用此法研究了小麦根施Eu^3^+数天后,Eu^3^+在根和叶片细胞膜和细胞内的分布定位,为稀土元素的植物代谢研究提供了一种重要的辅助研究手段。  相似文献   
72.
合成了石杉碱甲-E2020的拼合物(1),并测定了1和中间产物10和11抑制乙酰胆碱酯酶的生物活性,它们的活性均低于E2020。对E2020和其中活性最高的10的8个异构体分别进行了构象分析及与TcAChE分子对接研究,结果表明,10的各异构体中只有RRZ型与AChE的结合能比E2020高,其它异构体的结合能均远小于E2020,这可能是10的活性比E2020低的原因。对异构体RRZ还进行了与TcAChE作用方式的研究,对接结果和结合能都说明10的RRZ型异构体的活性可能比E2020高。  相似文献   
73.
在碱性条件下,CdTe量子点对鲁米诺-过氧化氢化学发光体系具有显著的增敏作用,而对苯二酚对该体系的化学发光有强烈的抑制作用,以此建立了流动注射化学发光检测对苯二酚的新方法。在优化实验条件下,在1.0~25 nmol·L-1范围内对苯二酚的浓度与化学发光强度的抑制值ΔI呈良好的线性关系(R2=0.993 2),检出限为0.76 nmol·L-1,经实际应用证明,该方法可用于水环境中对苯二酚的测定。此外,对CdTe量子点增敏鲁米诺-过氧化氢化学发光体系的机理进行了探讨。  相似文献   
74.
钢铁材料的热处理就是通过对工件的程序加热与冷却,使之达到特定性能所要求组织的工艺,加热是在一定介质中进行的,故而涉及高温下工件与介质间的化学反应。钢材在加热时如果保护得当,处理后不仅能改善其性能,同时也可减少其烧损(氧化),并有助于提高其使用寿命。据统计每辆卡车的热处理工件,如不进行保护,烧损达7.5%,计重40—50kg。又国外的汽车齿轮可行驶20万公里,未经保护的热处理齿轮寿  相似文献   
75.
本文测定了三个3(或4)-取代苯甲亚氨酸乙酯(1)和八个N-氰甲基-3(或4)-取代苯甲亚氨酸乙酯(2)的~(13)C-NMR谱。归属了1 和2和各碳化学位移。求得了的取代基化学位移(substituent Chemical Shift,SCS)。碳-13化学位移与单取代苯的取代基化学位移(SCS)的相关分析表明:4-取代苯甲亚氨酸酯1 b~g和2b~e中,除C_(2,6)外,其他各芳碳的化学位移值与加和规则基本相符;3-取代苯甲亚氨酸酯1h~j和2f~h中,除C_1外,其他各芳碳的化学位移值与加和规则基本相符。另外,本文还进行了碳-13化学位移与σ_(I)/σ_(R)~O和F/M的双参数相关分析。  相似文献   
76.
77.
方波调制时的光热光束偏转理论   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文叙述了加热光束光强以方波调制时的光热光束偏转理论,讨论了偏转信号值与加热光功率、光斑半径,两光点的相对位置及调制频率等的关系并与实验结果比较,其结果是定性一致的.  相似文献   
78.
Riccati方程的通解   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文仅在 p(x)、q(x)和 r(x)均于区间(a,b)连续的条件下,给出 Riccati 方程在(a,b)中广义解的定义,并证明其广义解确实存在.同时还给出了非线性 Riccati 方程在(a,b)中广义通解的求法,这个通解依赖于一个任意常数.  相似文献   
79.
铅在铋系110K超导相中的位置和作用   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究表明铅离子既可进入110K 相中铋离子的格位也可以进入锶离子的格位.铅离子主要占据的格位与样品的名义组成有关.铅离子的掺杂有利于110K 相的形成,但若铅离子进入锶离子格位将使110K 相的性质变坏.  相似文献   
80.
曾永志  黄美纯 《物理学报》2005,54(4):1749-1755
利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni)掺杂的Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2(CdGeP2和ZnGeP2)黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算,结果发现:V和Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现铁磁状态(FM),Mn,Fe以及Co掺杂的CdGeB和ZnGeP2将出现反铁磁状态(AFM),而Ni掺杂时,稀磁半导体(DMS)的磁性比较不稳定,其中Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将可能是具有较高居里温度Tc的DMS,当TM-3d电子的t2g态部分被填充时,其掺杂的DMS将出现FM状态;而当TM-3d电子的t2g态全满或者全空时,其掺杂的DMS将出现AFM状态,在(Cd,Mn)GeP,和(Zn,Mn)(GeP2中分别掺入电子和空穴载流子,可以发现载流子是否具有TM-3d电子的巡游特性是。DMS是否出现FM状态的主要原因。  相似文献   
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