电子束蒸发a—Si1—xGdx薄膜的光吸收

研究了电子束蒸发的掺稀土非晶硅基薄膜材料a—Si_(1-x)Gd_x的光吸收特性。这类材料的组分变化对近红外长波吸收特性的影响灵敏,在0.1at％相似文献   

数理教育工作者应该协同工作

在教了几乎20年数学之后，我最近决定学习并执教物理．     

计算二聚体系平衡常数的新方法

本文利用一些数学变换技巧,首次给出了关于二聚平衡常数方程组的精确解。根据排列组合原理,设计一个计算程序对一组实验数据可能形成的所有方程组求得的解进行平均,以消除实验误差的影响。用本方法算出二磺化和三磺化酞菁的平衡常数分别为0.75×10~6和0.92×10~5,表明溶解性越大,二聚程度越小。     

“虚墙”法及其在交通噪声计算中的应用

本文提出“虚墙”法作为众所周知的虚声源法的对偶，并将它应用于车行隧道和城市街道等混响声场的交通噪声计算。根据这个概念，由单车种等间距分布的车流所产生的声场可等效于位于—对假想的刚硬墙壁之间的单一车辆所产生的声场。这对虚墙与隧道或街道的边界形成一个围闭空间，使得经典室内声压级计算公式可以应用于计算交通噪声混响声压级。本文还给出两个应用实例与实测数据相比较。     

有限秩的幂零p-群的p-自同构

设G是一个有限秩的幂零p-群,α和β是G的两个p-自同构,记I= ((αβ(g))(βα(g))-1)|g∈G),则(i)当I是有限循环群时,α和β生成一个有限P-群; (ii)当I是拟循环p-群时,α和β生成一个可解的剩余有限P-群,它是有限生成的无挠幂零群被有限p-群的扩张．     

光辅助超高真空CVD系统制备SiGe异质结双极晶体管研究

介绍了采用紫外光化学汽相淀积(UVCVD)、超高真空化学汽相淀积(UHVCVD)和超低压化学汽相淀积(ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积(CVD)工艺系统,简称U³CVD系统.应用该系统,在450℃低温和10^-7Pa超高真空环境下研制出了硅锗(SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)材料.实验表明,该系统制备的SiGe HBT材料性能良好.     

Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation

Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.     

怀念张子高教授

我的父亲张准,字子高,1886年出生在湖北省枝江县一个沿长江的小镇——董市。十九世纪八十年代到1911年辛亥革命这个阶段,正是腐败的清王朝在内忧外患下步入它的末期。整个社会风气败坏至极,有识之士无不认识到唯一的出路只有彻底的变革。在澎湃