溶剂对脂肪酶降解高分子量PBS及改性共聚物的影响

采用固定化脂肪酶分别在四氢呋喃(THF)、甲苯及THF和甲苯的混合溶剂体系中, 对高分子量的PBS及PBS/CHDM共聚物进行了催化降解, 用GPC测定了降解产物的分子量, 用质谱(MS)对降解产物进行了分析, 用FTIR表征了产物化学结构. 研究结果表明, 在脂肪酶的作用下, 对M_n在10⁵以上的PBS, 在THF体系中可降解到1.4×10⁴, 而在甲苯体系中可降解到4×10⁴; 但在THF和甲苯的混合体系中, 可将M_n 10⁵以上的PBS和PBS/CHDM共聚物都可降解为0.1×10⁴以下的原料单体、一至四环状低聚物及少量线型低聚物. 分析了水含量对酶解反应的影响.     

利用谐波光谱的伴线结构测量自生磁场

在飞秒激光与固体靶相互作用中,利用OMA光学多道分析谱仪,在靶前表面激光镜反方向测量了激光的二次谐波(2ω₀)光谱和三次谐波(3ω₀)光谱,观测到了红移的2ω₀光谱和3ω₀光谱的伴线结构。在激光功率密度为～1018 W·cm-2的条件下,通过2ω₀和3ω₀谐波光谱的伴线结构,回推出激光与等离子体相互作用中产生的自生磁场均小于1 MGs。随着激光功率密度的增大,谐波谱红移峰向长波方向移动,光谱同时发生展宽。分析认为,等离子体临界面的迅速膨胀是导致二次谐波和三次谐波红移的主要原因。随着预脉冲功率密度的增大,临界面膨胀速度增大,导致了谐波光谱峰更大的红移。自生磁场的测量为诊断临界面的运动方向和速度提供了新的依据。     

染料敏化太阳能电池中过渡金属取代的Keggin型磷钨酸盐染料性能的理论研究

采用密度泛函理论(DFT)和含时密度泛函理论(TD-DFT)方法系统研究了过渡金属取代的Keggin型磷钨酸盐染料的电子性质、吸收光谱和相关性能参数.结果表明,与实验合成的[PW_(11)O_(39)Rh CH_2COOH]~(5-)(1)体系相比,[PW_(11)O_(39)MCH_2COOH]~(n-)[M=Ru~Ⅱ(2),Ir~Ⅲ(3),Os~Ⅱ(4),Co~Ⅲ(5)]体系的吸收光谱均有所红移,其中M为OsⅡ的体系4的吸收光谱在可见光区域有宽而强的吸收.此外,体系4具有较高的电子注入效率和光捕获效率,有望成为性能良好的染料敏化剂.     

磁性碳纳米管提取-液相色谱-质谱法测定水中3种苯丙胺类毒品

取六水合三氯化铁(FeCl_3·6H_2O)4.70g和四水合二氯化铁(FeCl_2·4H_2O)1.72g,溶于80℃水280mL中,加入羧基化多壁碳纳米管(c-MWCNTs)2.00g,在磁力搅拌下加入氨水(28+72)溶液15mL,在80℃搅拌30min。静置,弃去溶液,用水清洗黑色沉积物3次,弃去洗液。将黑色沉淀物置于80℃烘箱干燥过夜,制得磁性碳纳米管复合材料(Fe_3O_4@c-MWCNTs)。将所制备的磁性材料应用于水样中3种苯丙胺类毒品的分离富集,3种苯丙胺类毒品(甲基苯丙胺、3,4-亚甲二氧基苯丙胺和甲卡西酮)的最佳分析条件:取水样5.0mL,用1.0mol·L~(-1) NaOH溶液0.1mL调节其pH为12;加入磁性材料10.0mg,在80kHz超声提取1min,静置2min后,用强磁铁在容器外壁对磁性材料吸附,弃去水溶液,用水2mL洗涤磁性材料,再次用磁铁吸附并弃去洗液。在吸附了分析物的磁性材料中,用甲醇(每次0.3mL)在80kHz条件下超声洗脱2次(每次1min)。收集并合并2次所得洗脱液,氮吹至干,加入甲醇0.1mL溶解残渣,经滤膜过滤后按选定条件进行液相色谱-质谱分析。分离时用Hypurity C_(18)色谱柱作为分离柱,用甲醇和5mmol·L~(-1)乙酸-乙酸铵缓冲溶液(pH 4.0),以体积比为80∶20作为流动相进行等度洗脱。质谱中选择电喷雾离子源和选择反应监测模式。上述3种苯丙胺类毒品的线性范围均在0.2～40.0μg·L~(-1)之间,检出限(3S/N)依次为0.015,0.018,0.020μg·L~(-1)。测定值的相对标准偏差(n=5)在4.0%～5.8%之间。     

气体分子平均相对运动速率的推导

从相对速度的定义和气体分子的速度分布律出发,分别得到了气体分子相对运动速度和速率的分布律,简洁的给出了平均相对运动速率和平均速率之间的关系.     

固相微萃取技术及其在炸药检测中的应用

评述了固相微萃取技术的工作原理、操作模式、影响因素,介绍了固相微萃取技术在炸药分析如炸药蒸气分析和炸药残留分析中的应用情况,展望了这一技术的应用前景.     

CHF_2CF_2CH_2OCHF_2与OH自由基反应机理的理论研究

采用从头算和密度泛函方法研究了多通道反应CHF2CF2CH2OCHF2+OH→产物的反应机理.首先在BMK/6-311+G(d,p)水平下优化了稳定点的几何构型并计算了振动频率;然后在BMC-CCSD水平下,对势能面进行高水平能量校正.结果表明,此反应存在提氢和取代两类反应通道,但是无论从动力学还是从热力学分析,提氢反应通道才是主要的反应通道,且从-CH2-基团上提取氢原子的提氢通道是主要的反应通道.     

Bipolar resistance switching in the fully transparent BaSnO_3-based memory device

The fully transparent indium-tin-oxide/BaSnO3/F-doped SnO2 devices that show a stable bipolar resistance switching effect are successfully fabricated. In addition to the transmittance being above 87% for visible light, an initial forming process is unnecessary for the production of transparent memory. Fittings to the current-voltage curves reveal the interfacial conduction in the devices. The first-principles calculation indicates that the oxygen vacancies in cubic BaSnO3 will form the defective energy level below the bottom of conduction band. The field-induced resistance change can be explained based on the change of the interracial Schottky barrier, due to the migration of oxygen vacancies in the vicinity of the interface. This work presents a candidate material BaSnO3 for the application of resistive random access memory to transparent electronics.     

青光眼发病机理——筛板变形研究进展

青光眼是世界上第一大不可逆致盲眼病.其病变与眼内压直接相关,控制眼内压是目前控制青光眼发展的唯一有效途径,但发病的确切机制尚未明确.现已证实,青光眼的原发部位是巩膜筛板:由筛板前后分别承受的眼内压与颅内压产生的压力差会导致筛板结构与形态发生变化,进而挤压穿过筛板的视觉神经,造成视觉神经损伤,产生不可逆的视觉损失.因此,青光眼的发病机理与筛板的力学特性及其周围的力学环境密切相关.自从筛板被确定为青光眼视神经损害的原发部位,筛板便成为该领域的研究热点.其中,通过建立筛板力学模型,研究眼内压与颅内压作用下筛板的受力变形,进而分析筛板变形对视神经的损伤,有助于揭示青光眼视神经损伤机制及青光眼的发病机理.本文将从相关实验、理论和计算以及临床等方面介绍青光眼发病机理中筛板变形的研究进展以及目前存在的问题.     

Low-resistance Ohmic contact on polarization-doped AIGaN/GaN heterojunction

High electronic density is achieved by polarization doping without an impurity dopant in graded AIGaN films. Low specific contact resistance is studied on the polarization-doped A1GaN/GaN heterojunctions by using the transmission line method （TLM）. The sheet density of polarization-doped A1GaN/GaN heterojunction is 6 × 10 14 cm-2 at room temperature. The linearly graded material structure is demonstrated by X-ray diffraction. The cartier concentration and mobility are characterized by a temperature-dependent Hall measurement. Multiple-layer metal （Ti/A1/Ti/Au） is deposited and annealed at 650 ℃ to realize the Ohmic contacts on the graded A1GaN/GaN heterojunctions.