首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1143篇
  免费   356篇
  国内免费   437篇
化学   732篇
晶体学   38篇
力学   100篇
综合类   41篇
数学   194篇
物理学   831篇
  2024年   11篇
  2023年   37篇
  2022年   38篇
  2021年   33篇
  2020年   33篇
  2019年   63篇
  2018年   51篇
  2017年   38篇
  2016年   57篇
  2015年   45篇
  2014年   80篇
  2013年   70篇
  2012年   44篇
  2011年   52篇
  2010年   54篇
  2009年   71篇
  2008年   115篇
  2007年   79篇
  2006年   86篇
  2005年   95篇
  2004年   53篇
  2003年   49篇
  2002年   42篇
  2001年   33篇
  2000年   27篇
  1999年   29篇
  1998年   30篇
  1997年   39篇
  1996年   43篇
  1995年   50篇
  1994年   51篇
  1993年   31篇
  1992年   24篇
  1991年   52篇
  1990年   59篇
  1989年   40篇
  1988年   24篇
  1987年   26篇
  1986年   14篇
  1985年   14篇
  1984年   11篇
  1983年   5篇
  1982年   9篇
  1981年   5篇
  1979年   3篇
  1978年   3篇
  1966年   2篇
  1965年   4篇
  1960年   3篇
  1955年   2篇
排序方式: 共有1936条查询结果,搜索用时 37 毫秒
71.
田恩科  宋晓东  刘夏姬 《光学学报》1999,19(8):052-1056
研究了微腔中原子衰变问题。考虑微腔中存在两个原子,两原子与腔场强耦合形成的缀饰原子与腔壁相互作用在特定初始条件下的衰变问题,指出在腔场中该衰变方式下,腔场光子数越多、衰变则越强  相似文献   
72.
铜、钛复合添加对结NdFeB磁体显微组织和磁性能的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了烧结NdFeB磁体晶间合添加Cu和Ti 对磁体显微组织和磁性能的影响,当钛含量小于1.2%时,Cu和Ti晶间复合添加可大幅度提高烧结NdFeB磁体的矫顽力,磁变化不大,矫顽力的提高归因于Cu和Ti在主相晶粒表面富集,细化晶粒,阻断主相晶粒之间的磁交换作用,阻碍反磁化畴的传播,当钛含量大于1.2%时,矫顽力略有下降,乘磁急剧下降,乘磁下降的原因在于出现了大量的条状纯钛相。与晶间单独合金化相比,晶间复合合金化可更有效改善NdFeB磁体显微组织与性能。  相似文献   
73.
74.
电容去离子(CDI)技术是一种新型的海水淡化技术,因其具有环境友好、操作简单和能耗低等优势而受到广大研究者的关注。在CDI技术中,电吸附的性能与装置的构型有着密切的联系。本文综述了目前常见的几种CDI装置,包括膜电容去离子(MCDI)、流动电极电容去离子(FCDI)、杂化电极电容去离子(HCDI)、反式电极电容去离子(i-CDI)以及脱盐电池(DB),对这几种装置的发展历程和装置构型进行介绍,最后,对CDI的装置构型在未来的研究发展方向进行了展望,以期为CDI装置在电脱盐领域的研究和应用提供参考。  相似文献   
75.
在有机磷催化下,γ-甲基联烯酸酯和烯基茚二酮经过[3+2]环加成反应,以中等到较好的产率、高化学选择性和非对映选择性形成一系列官能团化的螺环化合物.该反应具有操作简单、反应条件温和和底物适用性广等优点.需要指出的是,使用简单易得的PPh_3作为催化剂,就能实现完全的α-区域选择性加成的环化产物.  相似文献   
76.
以香豆素二硫化物(C-S-S-C)/三丁基膦复合体系为链转移剂、甲基丙烯酸-N,N-二甲氨基乙酯(DMAEMA)为单体、偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂制备了末端为香豆素光响应基元的双亲性遥爪聚合物(C-PDMAEMA). 用FTIR, GPC, 1H NMR等对该聚合物进行了结构表征. 研究表明该遥爪聚合物可直接在水中形成纳米聚集体|且其香豆素端基可在365 和254 nm交替光照下进行可逆光二聚反应. 同时纳米粒度跟踪(Malvern Zetasizer Nano-ZS)、透射电镜(TEM)跟踪结果表明, 随香豆素端基光二聚反应的进行, 聚合物纳米聚集体的粒径逐渐增大|反之, 随着光解二聚反应的进行, 该纳米聚集体的粒径逐渐减小.  相似文献   
77.
常压回流法制备掺杂钴离子的钙锰矿,X-射线衍射(XRD)、热重(TG)、化学分析等测试表明:钙锰矿均为单一相,组成为MgxCoyMnOz·nH2O,其中0.18≤x≤0.22、0≤y≤0.24、2.10≤z≤2.53、0.35≤n≤0.73.以掺钴钙锰矿作锂离子二次电池正极材料,组成为Tod-Co10%(10%Co的Mg0.18Co0.12MnO2.19·0.45H2O)电极放电性能最佳,其首次放电比容量为219mAh/g,100次循环充放电仍有102mAh/g.对比之下,未掺钴的Tod-Co0%电极(钙锰矿)首次放电比容量为211mAh/g,30次循环后为37mAh/g.  相似文献   
78.
朱彦旭  宋会会  王岳华  李赉龙  石栋 《物理学报》2017,66(24):247203-247203
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)作为栅控器件,具有AlGaN/GaN异质结处高浓度的二维电子气(2DEG)及对表面态敏感等特性,在栅位置处与感光功能薄膜的结合是光探测器领域重要的研究方向之一.本文首先提出在GaN基HEMT栅电极上引入光敏材料锆钛酸铅(PZT),将具有光伏效应的铁电薄膜PZT与HEMT栅极结合,提出一种新的"金属/铁电薄膜/金属/半导体(M/F/M/S)"结构;然后在以蓝宝石为衬底的AlGaN/GaN外延片上制备感光栅极HEMT器件.最后,通过PZT的光伏效应来调控沟道中的载流子浓度和通过源漏电流的变化来实现对可见光和紫外光的探测.在365 nm紫外光和普通可见光条件下,对比测试有/无感光栅极的HEMT器件,在较小V_(gs)电压时,可见光下测得前者较后者的饱和漏源电流I_(ds)的增幅不下降,紫外光下前者较后者的I_(ds)增幅大5.2 mA,由此可知,感光栅PZT在可见光及紫外光下可作用于栅极GaN基HEMT器件并可调控沟道电流.  相似文献   
79.
介绍了一种基于薄膜介质线的紧凑型脉冲功率源的设计与实验,脉冲功率源系统体积约0.5 m3,输出功率大于4 GW、脉宽约150 ns。该脉冲功率源采用模块化设计,系统主要包括充电组件、薄膜介质线模块和气体火花间隙开关组三个部分。薄膜介质线储能介质为聚酰亚胺薄膜,为抑制电磁耦合以及电晕现象,匝间距选为30 mm。优化设计的三电极场畸变开关直径150 mm、高45 mm、电感值16.2 nH。为降低系统电感,薄膜介质线模块与开关间采用传输线的布线方式,中间绝缘采用聚酰亚胺膜,在2 mm间距下实现了100 kV耐压。  相似文献   
80.
基于ITER极向场变流器系统,分析了直流隔离开关短路故障,提出ITER直流隔离开关短路试验要求。基于中国科学院等离子体物理研究所直流测试平台,为ITER直流隔离开关短路试验设计了先建立直流电压再闭合短路开关的后短路试验方案,包括选取变压器档位、计算试验电流所对应的直流电压等内容。通过仿真和试验验证了试验方案的可行性,试验结果证明了直流隔离开关对短路故障的抑制能力满足ITER极向场变流器运行要求。经分析计算,350 kA试验电流需要直流电压270 V。在试验中,预设直流电压270 V时,试验电流达不到350 kA,将预设直流电压提高到300 V后,试验电流峰值达到362.5 kA,且超过350 kA的部分达到100 ms。实际预设直流电压比理论计算值大30 V,这是电网电压的波动造成的。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号