高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心发射的影响

本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580Å的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。     

Gd3+对Ca0.8Zn0.2TiO3:Pr3+红色发光材料的敏化作用

采用溶胶-凝胶法在较低温度下合成了红色发光材料Ca0.8Zn0.2TiO3:0.002Pr3 ,xGd3 .金属离子预先溶解含有柠檬酸的乙二醇溶液中.XRD表明在800℃灼烧2h形成了钛酸盐的晶体.荧光检测结果表明所合成样品的特征激发峰为330nm、特征发射峰为614nm,分别对应于O(2p)→Ti(3d)带间跃迁和Pr3 的1D2→3H4的特征发射.样品的发光强度随x的不同而不同,发光强度增强了29%-69%.当x＝0.0005时,即nPr3 :nGd3 ＝4∶1时样品的红色发光强度最强,发光强度增强了69%.     

Synthesis and Properties of a Heteronuclear Ag（Ⅰ）/Ni（Ⅱ） Complex

Introduction Itiswell knownthatcyanogroupsincyanometa latessuchas[Ag(CN)2]-unitscanbeusedasbridg ingligandsandapolymericstructurecanbeformed throughsilver silver(argentophilic)interactions.This propertyhasbeenexploredintheconstructionofmany oligomericandp…     

稀土氟化物Y0.97Er0.03F3纳米材料的制备及上转换发光

通过燃烧法和控温热反应法制备了稀土氟化物纳米材料，利用XRD和TEM对样品进行了分析和表征。测量了发射波长为980nm激光二极管激发下所得纳米材料的上转换发光性质。     

单质环的一个交换性条件

本文证明了半质环的一个交换性定理，推广了文献（１）－（３）中的某些结果。     

赋范空间中的相对Chebyshev中心

在本文中,我们得到了下列结论: 定理1 设F是赋范空间E的有界子集,Y是E的凸子集,0∈Y则     

采用热处理方法提高MEH-PPV单层聚合物有机发光二极管发光性能的研究

对以MEH－PPV为发光层的单层聚合物有机发光二极管（OLED）器件在最佳条件下进行真空热处理，并用金相显微镜观察施加电压后器件的阴极表面形貌。发现处理后的器件阴极表面的气泡及黑斑明显减少。器件的发光性能显著提高。与未经处理的器件相比，最大相对发光强度提高了一个数量级、启亮电压降低了2．0V，半寿命提高了12．7倍。初步分析表明热处理方法提高器件发光性能的主要原因在于有效地减少了器件在工作过程中由于焦耳热产生的某些气体，从而减少阴极表面气泡及黑斑的出现，另一方面，热处理方法也增强了有机发光层与阴极接触界面的结合力，提高电子注入水平。     

Y3Al5O12：Eu^3＋磷光体的溶胶—凝胶法合成及发光特性

以金属烷氧基化合物为原料．采用溶胶-凝胶法在1000℃下合成了Eu^3 掺杂的Y3Al5O12(YAG)磷光体。利用TG-DSC，XRD和发光光谱等对样品进行了表征。结果表明，YAG：Eu^3 的晶相形成温度为991℃。Eu^3 在非晶态和晶态YAG中的发射光谱有明显差异。研究了Eu^3 含量和烧结温度对Eu^3 的^5D0→^7F1和^5D0→^7F2发射峰强度的影响。随煅烧温度的升高和Eu^3 浓度的增加，Eu^3 发射峰强度增强。     

覆盖映射的双曲Birkhoff中心

设ｆ是不带边的紧致流形Ｍ上的覆盖映射，本文证明了，若ｆ的Ｂｉｒｋｈｏｆｆ中心Ｃ（ｆ）是双曲的且无环，则ｆ满足公理Ａ且Ω－单一化稳定；若Ｃ（ｆ）是双曲的且ｆ是Ω－单一化稳定的，则Ｃ（ｆ）是无环的。