不同形状的钨酸钡纳米粒子的合成

不同形状的钨酸钡纳米粒子的合成;微乳液;钨酸钡;纳米粒子;十二胺;十一烯酸     

黄芩中黄芩苷的亚临界水提取及高效液相色谱分析

建立了黄芩药材中黄芩苷的亚临界水提取 高效液相色谱测定方法。分别考察了温度、压力、提取时间、提取物颗粒度、溶剂比等因素对提取量的影响,并与有机溶剂提取法比较。结果表明,当两者具有相同的提取效果时,亚临界水提取法的提取时间及提取溶剂的消耗量大大减少,避免了使用有机溶剂造成的污染。黄芩苷提取最佳条件为:样品颗粒度80～100目,溶剂比0.2 mL/mg ,5 MPa,130 ℃保持10 min。并通过提取 高效液相色谱联机分析实现了对提取物的实时监测。该技术有望成为从中药材中提取脂溶性成分的有效方法。     

固相萃取-气相色谱/质谱联用测定环境水中噻唑硫磷农药残留

建立了对环境水中噻唑硫磷农药残留进行检测的离线固相萃取-气相色谱/质谱联用(SPE-GC/MS)的方法。固相萃取采用C18柱,用甲醇洗脱;GC/MS采用选择离子监测模式。该方法具有较高的灵敏度和选择性,对环境水中噻唑硫磷的最低检测质量浓度为56.4 ng/L(S/N=3);在0.282~141 μg/L时,响应值与样品浓度呈良好的线性关系;加样回收率大于85.5%,相对标准偏差（RSD）小于4.42%。方法操作简便、快速,可用于施用噻唑硫磷后环境水中痕量农药的监测。     

硫代樟脑光化学反应的理论研究

运用量子化学方法优化了硫代樟脑的最低5个电子态(S₀, T₁, S₁, T₂和S₂)的结构, 并计算了它们的相对能量. 计算结果表明: S₁, T₁和T₂态的能量非常接近, 而S₂的能量远远高于T₂态, 这与之前对几种小的硫代羰基化合物的研究结论一致. 确定了硫代樟脑分子在T₁态发生β-插入反应和类Norrish II型反应的机理, 计算的势垒相对于S₀的振动零点分别为314.1和332.6 kJ/mol. 在400 nm波长的光的照射下, 分子被激发到S₁态, 此时分子没有足够的能量发生反应, 只能通过内转换回到基态. 当激发光波长在254 nm时, 硫代樟脑分子被激发到S₂态, 这时候体系有了足够的内部能量使反应发生. 实验上已经观察到此激发光波长下, 气态硫代樟脑可以发生β-插入反应和类Norrish II型反应.     

过渡金属磷钼钒酸盐纳米微粒的固相合成

多金属氧酸盐;固相反应;Keggin结构;过渡金属磷钼钒酸盐纳米微粒的固相合成     

桑色素及其配合物与DNA作用的研究

桑色素 (Morin)是黄酮类化合物 ,具有一定的抗肿瘤活性 [1] .前文 [2 ] 以桑色素为配体合成了 6种过渡金属的配合物 ,并研究了这些配合物与配体对超氧阴离子自由基的清除作用和抗肿瘤活性 .研究表明 ,配合物对超氧阴离子自由基的清除作用明显高于配体 ,桑色素合铜 ( )和桑色素合锌 ( )配合物对 Hep- 2 ,BHK- 2 1和 HL - 6 0癌细胞瘤株的抑制作用强于配体 .配合物具有比单一有效成分更显著的药效 [3 ,4 ] .本文采用荧光方法和电化学方法研究了桑色素和抗肿瘤活性较强的桑色素合铜 ( )、桑色素合锌 ( )与 DNA在生理条件下的相互作用 ,试图…     

分子烙印亲和色谱与质谱联用实现中草药活性成分分离鉴定一体化

以骆驼蓬种籽中抗肿瘤活性化合物哈尔明及哈马灵的结构类似物哈尔满作为模 板,用非共价键法制备了对哈尔明及哈马灵具有强亲和性的分子烙印聚合物。此分 子烙印聚合物作为液相色谱固定相与大气压电离飞行时间质谱联用,直接分离鉴定 了草药骆驼蓬种籽甲醇粗提物中所含的哈尔明及哈灵两种抗肿瘤活性成分。实验结 果证明了通过分子烙印亲和色谱与质谱联用方法,快速有效地对中草药活性成分分 离鉴定是可能是。     

迷宫密封不平衡转子动力系统的稳定性与分岔

研究迷宫密封对不平衡转子系统动力稳定性的影响.存在不平衡量的转子在旋转过程中受到周期激励,低转速时,转子作与激励同频率的周期运动,随着转速的提高,达到一定阈值时周期运动开始失稳.对迷宫密封的气动力采用Muszynska非线性力学模型,用打靶法求解转子运动周期解,并根据Floquet理论分析了周期解的稳定性及失稳后的动力学特性.     

烷基极化效应与羰基13C化学位移

对羰基化合物中羰基碳的¹³C NMR化学位移与烷基（R）极化效应的内在关系 进行了研究. 结果表明：分子中R的极化效应增加使羰基碳的¹³C化学位移值升 高,其关系可表示为δ=a+b·ΣPEI(R),其中a、b为系数,PEI（R）为R极化效应指数.
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近红外半导体材料HgInTe的缺陷腐蚀

研究了HgInTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgInTe的腐蚀液,并对腐蚀原理做了分析.利用该腐蚀液对HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究.结果表明,垂直轴向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近等腰三角形.在本实验条件下,位错蚀坑密度EPD(etch-pit density)约在105/cm2数量级.HgInTe晶体中的位错墙主要以边重叠和角重叠两种方式排列而成.HgInTe中存在少量由内应力引起的微裂纹.该腐蚀液能有效地显示HgInTe晶体不同晶面的多种缺陷,腐蚀效果较好.