薄膜生长的多重分形谱的计算

规则分形具有理想的标度不变性,而随机分形(如薄膜生长)概率分布曲线及标度不变性的范围与计算方法有关:以偏离平均高度的方差值求概率,标度不变性不好,多重分形谱也不光滑;而以薄膜平均底面为基准面求概率得到的标度不变性可延伸到3个数量级,多重分形谱光滑.采用外延的方法修正灰度设置的偏移可以对多重分形谱有所改善.另外,讨论了权重因子q取值范围的影响,确定了q的取值范围.     

脉冲激光沉积法制备FeSe薄膜电极及其电化学性质

采用脉冲激光溅射Fe和Se粉末的混合靶制备FeSe薄膜并用XRD、充放电和循环伏安测试研究了薄膜的结构和电化学性质. XRD结果显示, 当基片温度为200 ℃时, 薄膜主要由晶态的FeSe组成. 在电压1.0～3.0 V范围内, 该薄膜的可逆容量为360.8 mAh•g^－1, 经过100次循环之后的放电容量为396.5 mAh•g^－1, 具有很好的循环性能. ex situ XRD结果显示FeSe能够和Li发生可逆的电化学反应, 颗粒尺寸大于5 nm的纳米铁颗粒能够驱动Li₂Se的分解并在充电过程中重新生成FeSe. FeSe具有较高的可逆容量和较好的循环性能, 可能成为一种优良的锂二次电池正极材料.     

N,N′-二芳基己二酰双偶氮化合物的合成及其结构表征

N;N′-二芳基己二酰二肼;N;N′-二芳基己二酰双偶氮化合物;合成     

头孢克肟侧链的合成研究

介绍了头孢克肟的抗菌活性。综述了头孢克肟侧链的合成方法,提出了从氯乙酰乙酸乙酯为原料经肟化、缩合2步反应合成头孢克肟侧链是一条适合于工业化生产的工艺路线。参考文献20篇。     

单原子Co位点的CO2还原反应路径:局部配位环境的影响

在CO2还原反应(CO2RR)应中,单原子催化剂被认为是很有前途的电催化剂.Co-N4活性位点因其优异的CO选择性和活性而受到广泛关注.然而,Co位点的局部配位环境与CO2RR途径之间的相关性尚不明确.本文采用密度泛函理论(DFT)计算,研究了含1,10-菲咯啉基底的N4-大环配体(Co-N4-CPY)负载的CoN4位...     

直流溅射缓冲层生长ZnO/Si薄膜

ZnO是一种新兴的的宽禁带半导体材料,相对于传统的宽禁带材料有很多的优势.在相对成本低廉的Si衬底上生长ZnO薄膜是现在攻关的热门课题.目前用缓冲层方法生长ZnO薄膜取得了一些突破.本文利用直流溅射,先在Si衬底上溅射一层ZnO多晶薄膜,通过对直流溅射时间的控制,可以得到不同厚度的ZnO缓冲层.再利用MOCVD设备生长高质量的ZnO薄膜.通过研究发现,直流溅射ZnO薄膜的厚度对于最终的薄膜质量有很大的影响.随着缓冲层的引入,双晶衍射XRD的摇摆半宽有显著下降,并且随着最终ZnO薄膜质量上升,光致发光也有显著的提升.可见缓冲层的引入对ZnO/Si薄膜的质量和发光强度有很大的贡献.     

常见阴离子的毛细管电泳迁移行为

以5mmol／L铬酸钠-0．5mmol／L十四烷基三甲基溴化铵为背景电解质溶液,研究了33种阴离子的有效迁移率与极限当量电导及正构羧酸的有效迁移率与碳数的关系。结果表明阴离子的有效迁移率随极限当量电导的增加而增加;C2～C7的正构—元羧酸和C2～C10的正构二元羧酸同系物的有效迁移率的倒数与碳数呈正比,线性相关系数大于0．997。     

手性化合物的毛细管胶束电动色谱分离研究

以4种不同的N-长链烷酰-L-氨基酸胶束为手性选择剂,对3种不同性质的手性化合物(α-氯代丙酰替苯胺,2-氨基-3-对硝基苯基-1,2-丙二醇和华法林)的毛细管胶束电动色谱分离进行研究.结果表明,手性表面活性剂中不同的氨基酸残基和烷基链的长度对分离影响较大;随手性表面活性剂浓度增加,溶质保留时间增大,分离度增加,不同溶质的最佳分离浓度在100～150mmol/L之间;pH对电中性手性化合物分离影响不大,但对酸性或碱性手性化合物的分离影响较大.在选定的条件下,3种样品均在20min内完全分离,分离柱效达1×10⁵理论板数/m.     

离子排斥色谱法分析有机酸和无机弱酸

用非抑制型电导检测的离子排斥色谱法,以对甲苯磺酸为淋洗液,研究了柠檬酸、苹果酸、抗坏血酸、乙醇酸、甲酸、乙酸、丙酸及氢氟酸和碳酸的色谱分离及定量检测条件。     

半导体硅中电化学注锂的研究

在室温和非水溶液中用电化学法向p-Si中注入锂。借循环伏安法和i-t曲线观察锂在硅表面的析出和溶出过程。结果表明,锂的注入过程受锂在硅表面层中的扩散和外场所控制,因此可以用场制扩散方程式描述,SIMS法测得的锂的纵向浓度分布证实了上述看法。