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631.
从等厚子干涉的解释出发,推导出了二维空间的相干方程。基于空间相干方程,利用SLM产生了一个新的空间非相干光源。同时提出了新的相移方案,并结合这个新的相移方案,实现了轴向空间距离的探测和干涉条纹的相移。分析了空间方向角度相干方程的影响,并给出了实验验证。通过对非相干光源的参数和特定的空间距离以及空间方向角的匹配,重建了一个具有标准段差的实际物体的表现形状。为光学表面形状测量提供了新的思路。 相似文献
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介绍一个Ka波段分布作用速调管(EIK)发射机的实验系统,使用的核心器件是一只国产分布作用速调管样管,中心频率为35.01 GHz,脉冲输出功率为10 kW,最大工作比0.5%。该实验系统是为Ka/W波段双频毫米波测云仪发射机关键器件国产化进行的预研。实验系统一方面要对EIK样管的性能进行全面测试,对EIK样管在应用中可能存在的问题进行分析;另一方面优化发射机电路,满足EIK样管最佳工作要求。实验结果表明,国产Ka波段分布作用速调管技术取得了长足的进步,Ka波段大功率EIK发射机将进入实用阶段。 相似文献
636.
为了提高微波光子下变频链路的性能,提出了基于集成双平行马赫-曾德尔调制器的微波光子下变频方法.通过理论推导和数值仿真分析了系统的增益和无杂散动态范围,实验搭建了基于双平行马赫-曾德尔调制器的下变频链路,控制直流偏置电压使双平行马赫-曾德尔调制器工作在高载波抑制的双边带调制模式,并对链路进行了性能测试.实验结果表明:该下变频链路的增益为7.43 d B,无杂散动态范围达到了110.85 d B/Hz2/3,工作频段可覆盖5—18 GHz的宽频范围.基于双平行马赫-曾德尔调制器的下变频方法可优化设计输出频谱,系统结构简单、易于实现,为微波光子下变频链路提供了有效的解决方案. 相似文献
637.
为提升基于PIN电学结构载流子注入式硅基电光调制器性能, 采用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计一种新型预加重驱动电路. 该电路采用电流模逻辑(CML)结构, 并引入低压差分信号(LVDS)型电流选择器, 在实现提升响应速度和工作带宽的同时, 降低整体平均功耗. 仿真结果表明: 基于PIN电学结构载流子注入式硅基电光调制器的电压响应时间同时受预加重驱动信号过冲幅度和持续时间影响. 当预加重驱动信号过冲幅度和持续时间分别取值为2V和0.2ns时, 基于PIN电学结构载流子注入式硅基电光调制器的电压响应时间缩减了16.7%, 工作带宽扩展至4.34倍, 且根据不同的开关活动性需求, 平均功耗最高降低了60%. 相似文献
638.
639.
提出了一种基于双平行马赫 增德尔调制器的全双工矢量信号传输系统。传统的光学倍频技术只适用于NRZ (not return to zero) 等强度调制格式,而不适用于无线通信中常用的MPSK、MQAM等矢量信号调制技术,用传统的倍频技术生成光毫米波后,用滤波器将其2个边带分开,在其中一个边带上调制矢量信号,这样幅度和相位信息被正确保留,且使用了8倍频模块,降低了传输过程中对光电器件的带宽要求。理论分析和仿真结果表明:通过此方法产生的携带在60 GHz载波上的625 Msymbol/s的4QPSK信号,经过20 km单模光纤传输后,误差向量幅度损耗可以忽略不计。 相似文献
640.
通过对不同晶系线性电光系数矩阵的分析计算,研究了利用晶体电光系数γ51实现电光调制的可能性.结果分析表明,在电场中的γ51引起折射率的变化与x方向电场强度E12成正比;利用KTa0.35Nb0.65O3晶体的巨大γ51参数引起的二次电光效应,可以获得较低的半波电压;在立方-四方相变点附近的KTa1-xNbxO3晶体有极大克尔系数的现象,同时γ51参数电光效应也得到了解释. 相似文献