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无溶剂条件下,用氨基磺酸催化芳香醛,2-氨基苯并咪唑和β-二羰基化合物的三组分反应,简单而方便地得到了苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]嘧啶类衍生物.该法具有产率高,成本低廉,环境友好,适应性广简捷方便等优点. 相似文献
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Structure Dependence of Mode Edges in Photonic Crystal Waveguide with Silicon on Insulator 下载免费PDF全文
The mode edges of photonic crystal waveguide with triangular lattice based on a silicon-on-insulator slab are investigated by combination of the effective index method and the two-dimensional plane wave expansion method. The variations of waveguide-mode edges with the structure parameters of photonic crystal are deduced. When the ratio of the radius of air holes to the lattice constant, r/ ∧, is fixed and the lattice constant of photonic crystal, A, increases, the waveguide-mode edges shift to longer wavelengths. When A is fixed and r/∧ increases, the waveguide-mode edges shift to shorter wavelengths. Additionally, when r/∧ and A are both fixed, the radius of the two-row air holes adjacent to the waveguide increases, the waveguide-mode edges shift to shorter wavelengths. 相似文献
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在Si基集成光电子学的发展中,高效的Si基光源是人们不懈追求的目标。但是Si材料的间接带隙特性导致其发光效率低,更谈不上受激发射。于是人们探索了多种Si基材料体系来提高Si材料的发光效率,并在不同程度上取得了重要的进展。在众多的Si基发光材料体系中,Ge/Si量子点材料,不仅生长工艺与标准的CMOS工艺有很好的兼容性,而且发光波长能够覆盖重要的光通信波段即1.3~1.55μm,因此成为实现Si基发光器件的重要途径之一。但是目前这种材料的发光效率仍很低,所以提高其发光效率自然成为人们关注的焦点。如果将光子晶体引入到nc-Ge/Si材料中,它不仅可以改变材料本身的自发发射特性,而且可以改变发射的光子的提取效率,从而使材料的发光效率得到增强。提出了在Ge/Si量子点材料中引入光子晶体结构来提高其发光效率,包括光子晶体点缺陷腔结构和带边模式工作的完整光子晶体结构,并从理论上分析了发光效率提高的原理。针对发光波长在1.5μm附近的材料结构,模拟出了相应的光子晶体的结构参数。从模拟结果可以看出,对于缺陷腔的光子晶体结构,采用单点缺陷微腔很好地实现了单模运作,但是微腔内有源材料的体积很小,因此得到的发光效率很低。而采用耦合缺陷腔的结构和H2腔都增加了腔内有源区的体积。但是耦合腔与H2腔相比,谐振腔模减少,主谐振模式的峰值强度增加,更容易实现单模发光。因而更适用于提高nc-Ge/Si的发光效率。而带边模式工作的光子晶体结构,尺寸较大,不需引入缺陷,工艺上更容易实现。 相似文献
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高性能计算机的发展、并行计算方法的改进与应用实现,尤其随着计算规模的增大和计算精度的提高,产生了大量的、复杂的数值模拟计算数据。LARED-P主要研究激光在等离子体传播过程中的激光吸收和能量分配,为了得到—个真实的三维模拟过程,往往需要上百个甚至上千个时间步的数据,整个数据量规模已达TB字节,而现有的计算环境无法满足数据存储的要求。本文围绕强激光与等离子体相互作用三维数值模拟程序LARED-P的数据输出,在以下几方面探索了大规模数据的存储与管理技术。 相似文献
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原位红外光谱法是近十几年来新兴的一种动态研究方法。该方法结合了原位实时监控和红外光谱精确分析物质化学结构的优点,通过实时跟踪材料在不同温度下的化学变化,测定材料的微观结构与温度的关系。本实验采用原位红外光谱技术研究了HMX炸药在5℃/min升温条件下的热分解过程,得到如下结论。 相似文献
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