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61.
第二代(RE)BCO 高温超导带可以进行切割和堆叠以形成叠层状的复合导体结构, 具备磁化后捕获强磁场的潜力. 脉冲磁化条件下, 叠层导体会受到电-磁-热多物理场作用, 易对高温超导带的力学稳定性造成不利影响.本文基于电磁场 H 格式和热传导方程对叠层导体进行了多场耦合建模分析, 同时结合有限元方法, 分析了圆柱形叠层导体脉冲磁化过程中的应力分布特性. 结果显示, 环向拉应力是叠层导体的主要破坏因素. 环向应力的主导成分为热应力, 其变化趋势与热应力变化高度吻合. 热应力在叠层内部处于较低水平, 表现为拉应力, 沿半径逐渐变更为压缩应力, 在边缘区域达到峰值-34 MPa, 随后转变为拉应力, 并在边界处达到峰值38 MPa, 峰值时间点都位于升磁阶段, 降磁阶段峰值不断降低 相似文献
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本文应用全对称群的Dirac理论计算了分子H_2X(X=O、S、Se)的结构,并与非相对论的结果比较.对比相对论和非相对论的结果,所得到的分子几何差异不大;而所计算的能量,相对论的比非相对论的要低,并能量随质量增加而降低;相对论值的极化率(A~3)和偶极矩更接近实验值.分子的电性状态为费密子共群的不可约表示E_1,明显地体现不可约表示E1的效应.所以,特别对重元素分子,更要应用相对论方法. 相似文献
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采用水热法制备了具有二维层状结构的钙钒青铜(CaxV2O5·nH2O, CVO)水系锌离子电池钒基正极材料, 并通过调控前驱体溶液中碳纳米管的含量, 得到3种钙钒青铜/碳纳米管复合材料(CVO@CNTs). 利用X射线衍射、 热重分析、 扫描电子显微镜和透射电子显微镜等对材料进行了表征. 结果表明, 所制备的CVO呈纳米带形貌, 长约十几微米, 宽约几百纳米, 选区电子衍射测试表明所得材料为单晶结构. 循环伏安测试结果表明, CVO和CVO@CNTs均具有多个氧化还原峰, 储锌机制包括赝电容行为和电池行为. 在放电倍率1C(1C=300 mA/g)测试条件下, CVO纳米带比容量稳定在210.1 mA·h/g; 与CNTs复合后, CVO@CNTs复合材料的电荷转移阻抗降低, 在相同测试条件下表现出更高的比容量和优异的倍率性能. 其中, CVO@CNTs-40表现出最高的比容量, 在1C倍率测试条件下的比容量可达274.3 mA·h/g, 即使在20C的测试条件下放电比容量仍可达85.2 mA·h/g, 且循环1000次后容量保持率能达到92%. 相似文献
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A transparent electromagnetic-shielding film based on one-dimensional metal–dielectric periodic structures 下载免费PDF全文
In this study, we designed and fabricated optical materials consisting of alternating ITO and Ag layers. This approach is considered to be a promising way to obtain a light-weight, ultrathin and transparent shielding medium, which not only transmits visible light but also inhibits the transmission of microwaves, despite the fact that the total thickness of the Ag film is much larger than the skin depth in the visible range and less than that in the microwave region. Theoretical results suggest that a high dielectric/metal thickness ratio can enhance the broadband and improve the transmittance in the optical range. Accordingly, the central wavelength was found to be red-shifted with increasing dielectric/metal thickness ratio. A physical mechanism behind the controlling transmission of visible light is also proposed. Meanwhile, the electromagnetic shielding effectiveness of the prepared structures was found to exceed 40 dB in the range from 0.1 GHz to 18 GHz, even reaching up to 70 dB at 0.1 GHz, which is far higher than that of a single ITO film of the same thickness. 相似文献
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Temperature-dependent photoluminescence (PL) and time resolved photoluminescence (TRPL) are performed to study the PL characteristics and carrier transfer mechanism in asymmetric coupled InGaN/GaN multiple quantum wells (AS-QWs). Our results reveal that abnormal carrier tunnelling from the wide quantum well (WQW) to the narrow quantum well (NQW) is observed at temperature higher than about lOOK, while a normal carrier tunnelling from the NQW to the WQW is observed at temperature lower than 100 K. The reversible carrier tunnelling between the two Q Ws makes it possible to explore new types of temperature sensitive emission devices. It is shown that PL internal quantum efficiency (IQE) of the NQW is enhanced to about 46% due to the assistant of the abnormal carrier tunnelling. 相似文献
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逆自相关函数估计的渐近性质陈敏,常学将(山西大学数学系,太原030006)THEASYMPTOTICPROPERTIESOFTHEESTIMATIONOFTHEINVERSECORRELATIONFUNCTION¥CHENMIN;CHANGXUEJI... 相似文献