Keggin结构钼系杂多蓝的离析和性质研究

本文报道了八种1:12系列钼系杂多蓝KyHzXMo_(12)O_(40)·nHp(X=Si,P,As,Ge)的制备和离析方法,并通过元素分析、电位滴定、极谱、循环伏安、红外光谱、可见-紫外光谱、X射线粉末衍射、XPS和~(31)PNMR对产物进行了表征。测定了四电子钼硅杂多蓝的单晶结构,确定了还原钼原子的位置是第三位、七位、八位、十位。实验结果表明,杂多蓝仍基本保持了Keggin结构。首次系统研究了八种杂多蓝固体的ESR谱,发现二电子、四电子杂多蓝比一电子杂多蓝具有更小的电子离域程度;热性质研究表明,固体杂多蓝随还原程度增大,热稳定性增强;研究其氧化还原性质发现,在不同介质中,杂多蓝的氧化序发生变化,极谱半波电位与杂原子电负性线性相关。并发现P和As的杂多蓝具有极强的抗酸解能力。     

“一锅法”均相合成热塑性纤维素丙酸酯接枝聚乳酸共聚物

纤维素重复单元的羟基上引入足够数量的柔性分子链,有可能在破坏纤维素分子链间氢键的同时起到内增塑作用,从而赋予纤维素熔融流动性.由纤维素酯化反应得到的一些短链取代的纤维素酯[如纤维素醋酸酯(CA)、纤维素丙酸酯(CP)等]具有热塑性,但需要在外加大量增塑剂条件下才能熔融加工[1].接枝共聚合是改变纤维素物理化学性质的另一种有效方法[2～4]。     

生物功能化纳米SiO2 微球的构建及对谷胱甘肽S-转移酶的捕获分离

采用巯基丙基三甲氧基硅烷(MPS)一步水解法制备了表面带有巯基(-SH)的纳米SiO2微球(nSiO2-SH), 探讨了水/醇体积比、 反应温度、 MPS初始浓度及反应时间对nSiO2-SH微球形貌的影响, 并分析了反应机理. 制备的nSiO2-SH微球进一步与还原型谷胱甘肽(GSH)中的-SH反应生成双硫键(-S-S-), 在微球表面键合上GSH分子, 得到了生物功能化的纳米nSiO2-GSH微球. 通过扫描电子显微(SEM)、 透射电子显微镜(TEM)、 傅里叶变换红外光谱(FTIR)和热重分析仪(TG)对样品的表面形貌、 尺寸和组成等进行了表征. 利用十二烷基磺酸钠-聚丙烯酰胺凝胶电泳法(SDS-PAGE)检测样品对谷胱甘肽S-转移酶(GST)的分离效果, 结果表明, nSiO2-GSH微球能从混合蛋白中特异性吸附GST, 达到了分离GST的目的.     

谈物理学的进展高新技术与物理教学

物理学的发展对人类文化产生了深刻的影响．在物理教学中,应该介绍一些物理学的新成就、新课题、高新技术,跟踪物理科学的最新进展．把讲授基础知识与介绍物理科学的新进展结合起来,让学生了解物理科学的发展带来的新技术在各个领域中的广泛应用,使物理     

时空光场调控以及时空光涡旋波包的研究进展(特邀)

综述了时空耦合光场,包括时空光场的理论背景,产生时空光场的实验方法,以及时空光涡旋波包的研究现状.由于时空光场的生成涉及色散与衍射效应之间微妙的相互作用,尽管用于产生时空耦合光场的实验装置与现有的4f脉冲整形器实验装置几乎相同的,但与传统的脉冲整形或光束整形技术相比,时空光场的生成过程更为丰富.新型时空光场具有独特的光...     

大学物理实验综合性项目设计与教学实践初探

本文介绍了在大学物理实验课程中引入综合性实验内容,从具体项目的确立,到教学的操作实施过程;从查阅文献制订实验方案、实施具体的实验步骤及撰写实验报告等各个方面,如何在各个教学环节中注重对学生科研设计能力的初步培养进行了阐述;并对实验的成绩评定方法做了一些有益的探讨．     

1.2 MV大功率直流高压电源研制

 采用等边三角形结构的铁芯，次级线圈分成40级，分别进行三相全波整流，每级输出直流30 kV，串联后获得1.2 MV/A的直流高电压大功率输出。电源的能量转换效率大于95%，漏抗高达21.7%。采用无滤波电容结构，次级线圈星型/三角型接法交替使用，纹波系数小于±4%。整个电源密封在压力钢筒中，充0.8 MPa高纯度SF6气体作为绝缘介质，最大工作场强小于130 kV/cm。设计了专门的SF6气体冷却系统，气体温度控制在60 ℃以内，高电压由充气同轴传输线输出。在小负载条件下，电源各项指标满足技术要求，已经安装在1.2 MW，1.2 MeV大功率直流电子加速器上进行整机联调。     

F·伦敦:和"能量子"同年降生的低温物理学家

拟就弗里茨·伦敦这位为人知之甚少但颇具特色的低温物理学家的生平和业绩，作一简要的介绍．     

Optimization of Metamorphic InGaAs Quantum Wells on GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy

We investigate the molecular beam epitaxy growth of metamorphic InxGal-xAs materials （x up to 0.5） on GaAs substrates systematically. Optimization of structure design and growth parameters is aimed at obtaining smooth surface and high optical qualdty. The optimized structures have an average surface roughness of 0.9-1.8 nm. It is also proven by PL measurements that the optical properties of high indium content （55%） InGaAs quantum wells are improved apparently by defect reduction technique and by introducing Sb as a surfactant. These provide us new ways for growing device quality metamorphic structures on GaAs substrates with long-wavelength emissions.     

两个具有相似（V10）阴离子骨架的化合物的合成和结构表征

本文描述了两个具有相似阴离子骨架的化合物,[Na2(H2O)10(NH4)4][V10O28](1)和[Na2(H2O)10(NH4)4][V9MoO28](2).化合物1的阴离子是一个常见的钒十骨架,而化合物2与化合物1是同晶异质体,化合物2的阴离子是混有一个钼原子的钒十骨架.X-射线晶体结构测定表明,这两个化合物均属于三斜晶系,P1空间群.晶胞参数分别为化合物1a=0.86024(4)nm,b=1.04561(5)nm,c=1.12828(4)nm,α=68.833(1)°,β=87.158(1)°,γ=67.065(1)°;化合物2a=0.86511(3)nm,b=1.04549(5)nm,c=1.12446(5)nm,α=69.071(1)°,β=87.145(1)°,γ=66.982(1)°.