质量守恒和转换定律

什么是质量?目前大家还有不同的看法.有人认为质量是物质之量,有人则说质量是惯性的大小.我们同意前一种看法,认为后一种看法目前已经不对. 19世纪以前,许多人认为物体系由相同的最小粒子所组成,这种粒子和运动无关.物质之量正比于粒子数,质量是物质之量的简称,它和物体运动的速度无关.但由于19世纪末到20世纪初,人们发现了电子,并从实验和理论上证明了电子的质量随速度加大而增长.电子如此,原子、分于和宏观物体也如此.因此,许多物理学家认为质量守恒定律被推翻了.在古典力学里,质量虽说表示物质之量即粒子数,但是物体的质量归根到底还是由…     

常曲率空间与SU2对偶荷

讨论了四维常曲率空间拓扑性质与SU₂对偶荷间的联系,所得的结论是三维同位旋空间拓扑荷的自然推广。     

SU(2)规范理论与N个磁单极运动体系的电动力学

本文扼要地阐明了关于规范势B_μ可分解和具有内部结构的基本观点,指出B_μ可分解为b_μ和Γ_μ两部分,b_μ满足伴随交换,它对应于某种具有质量的矢量粒子,Γ_μ满足规范势的变换,它可由更基本的场组成,在SU(2)规范理论中,这种基本场是Higgs场φ(x),由此导出了N个磁单极运动体系存在时的电动力学的基本方程,由于这一理论自身包含了磁单极的拓朴守恒流,由此给出磁荷量子化条件,并证明了φ(x)的零点的世界线对应磁单极的运动轨迹,磁单极的电动力学由φ(x)零点的电动力学描述,文中还得到了对应于N个磁单极运动体系的SU(2)规范场方程的无源解,并将吴-杨势推广到N个磁单极的运动体系。     

超手征模型中无穷多守恒流的Noether分析与Kac-Moody代数结构

从超手征模型的超场形式出发,讨论了其拉氏形式的H^-变换性质。阐明了该变换与Bcklund变换、无穷多守恒流以及Kac-Moody代数结构的密切联系。     

电感耦合高频等离子体光学发射光谱直接粉末法对67个元素的检测限

将液体试样以气溶胶形式引入等离子焰的发射光谱分析中,其检测下限及谱线选择与背景校正已有不少报导。尽管Greenfield等曾报导了将粉末试样直接引入等离子焰中,但至今尚未看到将粉末试样直接引入等离子焰的有关光谱分析检测下限的完整资料。溶液试样以气溶胶形式引入电感耦合高频等离子焰的发射光谱分析虽具有不少优点,但不少元素,尤其是难挥发元素的相对灵敏度仍然不能满足一些试样的分析要求,实践表明,将粉末试样直接引入等离子焰的发射光谱分析具有快速、简便、成本低,而对大多数元素(尤其是难挥发元素)的相对灵敏度高等优点。以下就本法对67个元素检测限获得过程的标准     

谈谈温度的概念

本文基于对温度概念新的教学要求，阐述了温度概念的建立及其物理意义，并以现代的观点对温度概念的延伸作了初浅的讨论．     

非结构子网格压力方法

纯拉氏流体力学计算失败的根源是砂漏运动和虚假涡旋,运用子网格拉氏质量与其相关的子网格密度得到子网格压力,子网格压力产生的扰动隅角力能消除这些虚假运动,以便消除困扰拉氏流体力学算法的网格畸变带来的数值计算困难.将包括子网格压力的相容流体算法推广到非结构网格,研制包括非结构子网格压力的相容流体程序,对Saltzman活塞问题进行数值模拟,从数值结果分析可知,非结构子网格压力方法能抑制虚假涡旋,消除砂漏畸变.     

Tl系超导薄膜金属涂层的生长与特性研究

我们研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有CeO2/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD 实验结果表明,Tl-2212薄膜都具有很好的C轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102.8 K,Jc(77 K,0 T)达到2.6 MA/cm2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜Tc可达97.7 K,Jc(77 K,0 T)也可以达到0.45 MA/cm2.     

竞争失效产品步进应力加速寿命试验的优化设计

本文在一般ｋ个未知参数的加速寿命方程下,以各失效机理的对数平均寿命的ＭＬＥ的渐进方差之和最小为准则,解决了指数分布场合下具有ｐ（ｐ≥１）个竞争失效机理的产品,ｋ个应力情况下的步加试验的优化设计问题．本文既可以看成是Ｄ．Ｓ．Ｂａｉ,Ｙ．Ｒ．Ｃｈｕｎ（１９９１）的推广,又可以看成是程依明（１９９４）的推广．     

氧含量对Tl-1212薄膜超导特性的影响

通过在氩气中的低温热处理降低氧含量 ,可使富氧的Tl 12 12薄膜的超导电性明显得到提高 .富氧的Tl 12 12薄膜是在氧气中高温下生成的 ,超导转变温度Tc 一般为 80～ 90K .去氧处理后 ,当氧含量为最佳值时 ,Tc 可以升高到 10 0K ;临界电流密度Jc 也有显著提高 ,77K温度下Jc 最高可以达到 1.8× 10 6A/cm2 .伴随Tc 和Jc 的提高 ,薄膜的晶格常数和表面形貌也有相应变化 .