Nd∶GdVO4单晶的生长、位错和形貌

用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd∶GdVO4)单晶, 并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑, 测定了(100)面晶体位错密度为600 个/mm2.观察了不同提拉方向的晶体生长形貌, 可采用简单光学方法确定晶体方向.     

上转换激光和上转换发光材料的研究进展

本文简单介绍了上转换材料的大致发展历史和形成上转换发光的4种机理。综述了上转换激光和发光材料的一些体系，并就基质材料，敏化发光以及单一波长和双波长泵浦对发光的影响进行了进一步探讨。     

液相色谱化学发光检测法的新进展

本文评述了近年来液相色谱化学发光检测法的新进展，内容涉及各类化学发光发反应，生物发光反应和电致化学发光反应同色谱体系的偶合方式，仪器设计，多种无机，有机，生物大分子和生物活性物质的分析方法及其在环境，生物医学科学和生命科学中的应用和发展方向。引用文献１６８篇。     

导电高聚物的EXAFS 研究(Ⅰ)铂氯酸(H2PtCl6·6H2O)掺杂的聚乙炔

在实验室EXAFS装置上测量了一种导电高聚物——H_2PtCl_6·6H_2O掺杂聚乙炔和模型化合物(K_2PtCl_6)的PtL_Ⅲ吸收谱。用高功率的施转阳极靶X射线发生器(RigakuRU-1000)作为X射线源。观测到的EXAFS数据分析表明, Pt原子在试样中有两种配位状态。一种是PtCl_6~(2-)离子, Pt—Cl键长为0.233 nm, 另一种是Pt在0.228 nm附近有两个最近邻的Cl原子。实验结果提供了支持下述观点的直接结构信息: 随着电子从(CH)_x链向铂盐的转移, 发生下列反应:2H_2PtCl_6+2e~-→PtCl_6~(2-)+PtCl_2+4HCl     

凝胶中硅含量对SAPO-5分子筛合成及其性能的影响

通过改变反应物凝胶中的硅含量，用水热法合成了系列ＳＡＰＯ－５分子筛，并用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＭＡＳＮＭＲ分别研究了不同硅含量的分子筛结构和形貌．以正己烷的催化裂解为模型反应，用微反色谱研究了不同硅含量的ＳＡＰＯ－５分子筛的催化性能．结果表明，分子筛骨架中的硅含量随反应物中硅含量的增加而增加；硅开始进入ＳＡＰＯ－５分子筛骨架时，是以取代单个磷原子而进行的；当反应物中硅含量较高时，硅进入分子筛骨架是通过两个硅原子取代一对铝和磷原子，从而在ＳＡＰＯ－５中形成富硅区．硅进入分子筛骨架，虽然未改变分子筛的晶体结构，但改变了分子筛的晶形晶貌．ＳＡＰＯ－５分子筛中存在３种酸中心，即弱酸、中强酸和强酸中心．在正己烷催化裂解中，较低温度时，催化活性中心主要是中强酸中心；当反应温度较高时，弱酸中心也可充当活性中心．在强酸中心上易发生结炭现象．     

义务教育数学新旧课程标准比较研究

从课程性质与课程理念、课程内容、学业质量与课程实施三个方面对《义务教育数学课程标准(2022年版)》和《义务教育数学课程标准(2011年版)》进行对比研究,有助于教师厘清新课标在内容结构上的变化、理解核心素养,实现新课程标准理念在课堂中真正落地.     

导电高聚物的EXAFS研究(Ⅱ)FeCl_3掺杂的聚噻吩

聚噻吩是一种共轭有机高聚物,其结构如图1所示。类似于聚乙炔,经电子受体掺杂后的聚噻吩,呈现出较高的电导率。为了阐明导电高聚物的电导机制,必须搞清掺杂后掺杂剂的化学结构和高分子链与掺杂剂之间的相互作用。前文我们报道了用扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)谱对H_2PtCl_6·6H_2O掺杂聚乙炔的研究,本文报道对FeCl_3掺杂聚噻吩的研究结果。     

溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜的成核-生长和失稳分解研究

采用溶胶-凝胶法在ZnWO₄单晶上制备出透明的ZnO薄膜.通过光学显微镜观察了Z nO薄膜的表面形貌.实验结果表明，ZnO薄膜的形成经历了表面成核，晶粒长大和岛的形成三 个不同的阶段.由于ZnO晶核是在非平衡条件下生长的，在生长过程中不可避免地出现了枝晶 生长和分形生长以及失稳分解. 关键词： 氧化锌薄膜 成核 枝晶生长 分形生长 失稳分解     

ZnWO4∶Sm3+晶体光谱与上转换发光

采用Czochralski法生长出了ZnWO₄∶Sm³⁺单晶(Sm₂O₃=0.1wt%)，测量了晶体的吸收光谱.利用激光Raman谱仪在He-Ne激光器632.8nm波长激光激发下，观测到448，471，505，533nm的上转换锐线荧光，对其发光机理进行了探讨. 关键词：     

一类时变动力系统的高余维分岔及其控制

研究了一类时变动力系统的高余维分岔及其控制问题,首先利用新方法对时变分岔方程的两个方向的分岔转迁和跃迁现象进行分析,分别通过慢变解的线性化近似和量级平衡估计分岔转迁值,然后研究这类时变分岔方程的线性反蚀控制问题,通过分析相应的二维高次自治系统的Hopf分岔,在适当的条件下得到了稳定的动态滞后环,研究揭示出脉冲振动产生的机理是分岔参数随时间周期变化经过定常分岔值时所发生的分岔转迁的滞后和跃迁现象。