高k栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响

研究了高k栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响.随着栅介质介电常数增大,肖特基源漏(SBSD)SOI MOSFET的开态电流减小,这表明边缘感应势垒降低效应(FIBL)并不是对势垒产生影响的主要机理.源端附近边缘感应势垒屏蔽效应(FIBS)是SBSD SOI MOSFET开态电流减小的主要原因.同时还发现,源漏与栅是否对准,高k栅介质对器件性能的影响也小相同.如果源漏与栅交叠,高k栅介质与硅衬底之间加入过渡层可以有效地抑制FIBS效应.如果源漏偏离栅,采用高k侧墙并结合堆叠栅结构,可以提高驱动电流.分析结果表明,来自栅极的电力线在介电常数不同的材料界面发生两次折射.根据结构参数的不同可以调节电力线的疏密,从而达到改变势垒高度,调节驱动电流的目的.     

Quantum Size Effect of Inner Cladding Fibres with InP Nano Thin Films

Optical amplified characteristics of inner cladding fibres with InP thin films are tested. The results indicate that this kind of fibres exhibit better optical amplification, which is advantageous for short lengths of fibres. The amplification coefficients of per unit length are 1.40-5.12 dB/m at the wave band from 906 to 1044 nm, 1.40- 15.35dB/m from 1080 to 1491nm, and 1.86-7.44dB/m from 1524 to 1596nm. Based on the hydrogen atomic model, we calculate the comparative size of the InP particle aB = 8.313 nm. The result displays the quantum size effect. By calculating the change of the energy band of particles with different sizes, the experimental data are explained by quantum size effect.     

桥环菁染料II:1-(N-烷基-4-吡啶基)-3-(N-烷基-4-吡啶亚基)-4,5-二取代-1,4-环戊二烯菁染料的合成和质子化及荧光性质研究

本文报道带有疏水长链的桥环菁染料的合成。并研究这类菁染料的质子化过程和平衡常数、取代效应, 以及胶束、糖淀粉和环糊精对染料的可见光谱及质子化过程的影响, 本文也考察了桥环菁染料的荧光光谱, 这些研究在理论上和实际应用有一定意义。     

基于核心素养的高中数学作业设计

在基于核心素养的课程改革的背景下,高中数学教学出现了许多新的特点,对高中数学作业的布置也提出了更高的要求.如何根据学生的实际认知水平,遵循数学教学的基本原则.设计符合学生发展的数学作业,提升学生的数学核心素养,已成为每位数学教师必须面对与思考的课题.笔者基于实际教学经历,从作业布置的时间和类型进行阐述.     

高师物理师范生教育科研素质培养的 探索与实践

在国家教育政策和法规框架下, 依据高等师范教育和基础教育改革与发展要求, 结合云南师范大学的 办学任务和特色, 梳理了云南师范大学物理与电子信息学院物理师范生科研素质培养实践的指导思想和基本思 路; 介绍了培养体系、 具体做法以及取得的一些代表性成果; 总结了探索和实践获得的认识     

一种柱色谱分离实验装置

针对柱色谱装置在样品分离过程中,存在的分离时间长、添加洗脱剂繁琐等问题,进行了重新设计组装。采用自来水作为恒压流体,利用自制平衡器调节体系内的压力平衡。实验结果表明,改进后的实验装置,样品分离时间短;添加洗脱剂方便,不需要拆装仪器,可连续进行样品洗脱,分离谱带清晰,洗脱均匀,分离效果明显提高。     

Anisotropic self-diffusion of fluorinated poly(methacrylate) in metal-organic frameworks assessed with molecular dynamics simulation

Utilizing the periodically structured metal–organic framework(MOF) as the reaction vessel is a promising technique to achieve the aligned polymer molecular chains, where the diffusion procedure of the polymer monomer inside MOF is one of the key mechanisms. To investigate the diffusion mechanism of fluorinated polymer monomers in MOFs, in this paper the molecular dynamics simulations combined with the density functional theory and the Monte Carlo method are used and the all-atom models of TFMA(trifluoroethyl methacrylate) monomer and two types of MOFs, [Zn_2(BDC)_2(TED)]n and[Zn_2(BPDC)_2(TED)]n, are established. The diffusion behaviors of TFMA monomer in these two MOFs are simulated and the main influencing factors are analyzed. The obtained results are as follows. First, the electrostatic interactions between TFMA monomers and MOFs cause the monomers to concentrate in the MOF channel, which slows down the monomer diffusion. Second, the anisotropic shape of the one-dimensional MOF channel leads to different diffusion speeds of monomers in different directions. Third, MOF with a larger pore diameter due to a longer organic ligand, [Zn_2(BPDC)_2(TED)]n in this paper, facilitates the diffusion of monomers in the MOF channel. Finally, as the number of monomers increases, the self-diffusion coefficient is reduced by the steric effect.     

高居里点(1-x)Ba_(0.998)La_(0.002)TiO_3+xBi_4Ti_3O_(12)系统陶瓷微观结构及温度特性的研究

采用传统陶瓷制备工艺制备(1-x)Ba_(0.998)La_(0.002)TiO_3+ xBi_4Ti_3O_(12) (0≤x≤0.01)系统陶瓷.对在还原气氛(氮气)中烧成的陶瓷样品在一定温度下进行再氧化处理.研究了不同Bi_4Ti_3O_(12)掺杂浓度以及再氧化过程对BaTiO_3微观结构、介电性能及居里温度Tc的影响.结果表明:掺杂Bi_4Ti_3O_(12)后,BaTiO_3陶瓷的晶粒尺寸明显减小;Bi_4Ti_3O_(12)具有提高陶瓷居里点温度的作用,当x=1.0时,居里温度提高到T_c=150 ℃.随着BIT加入量的增加,电子与缺位混合补偿,晶格中将产生金属离子缺位,以补偿多余电子,因此随着BIT掺入量的增加,电阻率逐渐增大.     

基于一维金属光子晶体平凹镜的柱矢量光束亚波长聚焦

柱矢量光束具有柱对称性的偏振分布,其独特的光场分布和聚焦特性被广泛应用于光学微操纵及光学成像等领域,并迅速向亚波长尺度拓展.通常,亚波长尺度聚焦采用等离激元透镜实现,但存在光场调控的偏振态局限性.而借助光子晶体的负折射效应,不仅能够实现亚波长聚焦或成像,而且应对正交偏振态同时有效.采用对电磁波具有更强调控能力的一维金属光子晶体结构,计算得到的能带结构和等频曲线表明其负折射效应在特定波段对正交偏振态同时有效.在此基础上设计出一维金属光子晶体柱对称平凹镜结构,通过有限元算法模拟显示了可见光波段的径向和旋向偏振光的同时亚波长聚焦行为.进一步的结果表明,改变柱矢量光束的偏振组分能够直接有效地调节焦场空间分布及偏振分布特性.所提出的平凹镜结构能够实现对任意偏振组分的柱矢量光束的亚波长尺度聚焦,且该结构的设计对于各波段情况均有参考意义.该研究结果对小尺度粒子的光学微操纵、超分辨率成像等相关领域具有潜在的应用价值.     

GaNAs基超晶格太阳电池的分子束外延生长与器件特性

采用分子束外延(MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 e V吸收带边的Ga N0.03As0.97/In0.09Ga0.91As应变补偿短周期超晶格(SPSL)。高分辨率X射线衍射(HRXRD)测量结果显示,当周期厚度从6 nm增加到20 nm时,超晶格的结晶质量明显改善。然而,当周期厚度继续增加时,超晶格品质劣化。对超晶格周期良好的样品通过退火优化,获得了具有低温光致发光现象的高含N量Ga NAs/In Ga As超晶格,吸收带边位于1 e V附近。使用10个周期的Ga NAs/In Ga As超晶格(10 nm/10 nm)和Ga As组成的p-i-n太阳电池的短路电流达到10.23 m A/cm2。经聚光测试获得的饱和电流密度、二极管理想因子与由电池暗态电流-电压曲线得到的结果一致。