Differential Pulse Anodic Stripping Voltammetric Determination of Lead with Heparin Modified Electrode

Introduction Overall exposure to lead is of public health concern because of several hazardous effects that may occur to human beings. Lead poisoning may provoke irritability, anorexia, malaise and headache. Intoxication progress may lead to attacks of abdominal pain until coma and death.1 The determination of trace lead in variety of en-vironmental samples is of great importance since lead is recognized as a cumulative poison to animals and hu-mans. There is a constant demand for improved an…     

银基Bi系2223相带材临界电流比对循环测试（RRT）的实验结果和分析

在国家超导中心主持下，国内六个实验室成功的开展了银基Ｂｉ系２２２３相带材临界电流循环比对测试实验。有２４个样品在各实验室间进行了并联循环测试，４个样品进行了串联循环测试。在零磁场，液氮温度和１μＶ／ｃｍ判据下，样品临界电流Ｉｃ测量的最大变化系数小于２．５％。液氮温度是影响ＩＣ测但值     

含非局部源的反应扩散问题

本文对含非局部源反应扩散方程的定常问题讨论了正解的存在性，对依赖时间的解，给出了整体存在条件和有限时间爆破条件。     

八节点等参元滑动接触算法的改进

分析认为采用八节点等参元计算滑动接触问题时,往往存在较大的接触应力计算误差的主要原因在于这种单元具有两种不同的节点。为此,本文提出了双模拟接触边界法,即分别采用两种不同的节点,形成两个模拟接触边界,并限制“从接触边界”上的节点只能和“主接触边界”上其同类节点形成的模拟接触边界形成接触关系,从而有效的减小了采用八节点等参元计算滑动接触问题时的误差。     

星载张力索网天线结构混合变量的多目标优化

以纵向拉索调整力大小和可调整的纵向拉索数目为设计变量,可调整的纵向拉索数目最少和网状反射面的均方根误差最小为目标函数,应力和频率为约束条件,建立了大型空间网状可展开天线的形面调整的多目标优化数学模型,并用遗传算法进行了优化求解。优化结果表明:该方法在提高天线表面精度的同时,能有效地减少可调整的纵向拉索数目,降低了工程人员在网面调整中的繁杂劳动。并且,网面调整的总次数也远少于实际工程中的调整,对工程应用具有一定的指导意义。     

结构拓扑优化设计的三角网格进化法

针对进化或拓扑优化方法的不足，提出了一种基于遗传算法的新型进化式拓扑优化方法－－三角网格进化法，该方法不仅能够同时进行拓扑，形状与截面变量优化设计，而且在优化过程中实现了退化和进化的统一，提高了优化效率。另外本文还首次对结构类型变量进行了优化计算，取得了有益的结果。最后几个数值算例证明了本方法的可行性和有效性。     

超声提取–离子色谱法测定土壤易溶盐中的氯离子和硫酸根离子

采用超声提取的方式,以离子色谱法测定土壤易溶盐中的氯离子和硫酸根离子。对实验条件进行了优化,色谱柱为NJ–SA–4A柱(250 mm×2 mm),保护柱为SI–92G柱(50 mm×4 mm),淋洗液为1.8 mmol/L Na_2CO_3–1.7mmol/L NaHCO_3,流量为1.0 m L/min;在40℃下,对土壤样品提取10 min。Cl~–和SO_4~(2–)在检测范围内均线性良好,线性相关系数为0.999 8,加标回收率分别为95.0%~99.0%,96.0%~101.0%,测定结果的相对标准偏差分别为1.4%,1.0%(n=4)。与传统的方法相比,该法试剂用量少,操作简单,可用于土壤易溶盐样品的测定。     

带有不确定参数的一类混沌金融系统的广义投影同步

针对带有不确定参数的一类混沌金融系统,提出了实现驱动系统和响应系统广义投影同步的自适应控制策略,并基于Lyapunov稳定性理论给出和验证了广义投影同步稳定性判据.数值仿真验证了控制策略和理论分析的有效性.     

THE ANALYTICAL STUDY ON THE LASER INDUCED REVERSE－PLUGGING EFFECT BY USING THE CLASSICAL EIASTIC PLATE THEORY（I）─TEMPERATURE FIELDS

ＴＨＥＡＮＡＬＹＴＩＣＡＬＳＴＵＤＹＯＮＴＨＥＬＡＳＥＲＩＮＤＵＣＥＤＲＥＶＥＲＳＥ－ＰＬＵＧＧＩＮＧＥＦＦＥＣＴＢＹＵＳＩＮＧＴＨＥＣＬＡＳＳＩＣＡＬＥＩＡＳＴＩＣＰＬＡＴＥＴＨＥＯＲＹ（Ｉ）─ＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥＦＩＥＬＤＳＺｈｏｕＹｉｃｈｕｎ...     

阶梯AlGaN外延新型Al0.25Ga0.75N/GaNHEMTs器件实验研究

本文报道了作者提出的阶梯AlGaN外延层新型AlGaN/GaN HEMTs结构的实验结果. 实验利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)刻蚀栅边缘的AlGaN外延层, 形成阶梯的AlGaN 外延层结构, 获得浓度分区的沟道2DEG, 使得阶梯AlGaN外延层边缘出现新的电场峰, 有效降低栅边缘的高峰电场, 从而优化了AlGaN/GaN HEMTs器件的表面电场分布. 实验获得了阈值电压-1.5 V的新型AlGaN/GaN HEMTs器件. 经过测试, 同样面积的器件击穿电压从传统结构的67 V提高到新结构的106 V, 提高了58%左右; 脉冲测试下电流崩塌量也比传统结构减少了30%左右, 电流崩塌效应得到了一定的缓解.