原了分子物理学研究课题的分析

根据近期召开的几届国际加速器和原子分子物理专题会议内容和物理摘要，分析了原子分子物理学的研究现状和发展趋势，归纳了目前研究的一些课题和今后的研究方向。     

用束箔技术研究Ar离子高电离态激发光谱

本文介绍用箔技术研究94MeV的Ar离子和C箔（39μg/cm^2）相互作用，产生高电离态的类Be(ArXV）－类C（ArXIII）等少电子离子。同时，这些离子的电子被激发到高能级，退激放出真空紫外光谱（VUV），测量这些光谱，可以得到原子状态的信息。     

氧离子轰击引起钽的L壳层X射线发射截面的研究

在北京原子能研究院串联加速器上,利用20—45 MeV的O⁵⁺轰击Ta靶,研究靶的L壳层X射线. 给出了Ta的L壳层各亚壳层Ll,Lα,Lβ和Lγ X射线发射截面的比值,并且与ECPSSR理论计算做了比较. 结果表明,在误差范围内比值σ(Ll)/σ(Lα)、σ(Lβ)/σ(Lα)和σ< 关键词： L壳层X射线')" href="#">L壳层X射线 发射截面 ECPSSR理论     

Studies of K-shell x-ray energy shifts induced by MeV/u heavy ions

This paper reports that the K x-ray spectra of the thin target 47Ag, 48Cd, 49In and 50Sn were measured by an HPGe semi-conductor detector in collisions with 84.5 MeV 6C4+ ions. Our experiment revealed the Kα x-ray energy shifts were not obvious and the Kβ1 x-ray energy shifts were about 90～110 eV. The simple model of Burch et al has been previously used to calculate the K x-ray energy shifts due to an additional vacancy in 2p orbit. The present work extends the model of Burch to calculate the x-ray energy shifts of multiple ionized atoms induced by heavy ions with kinetic energy of MeV/u. In addition to our experimental results, many other experimental results are compared with the calculated values by using the model.     

类氦C离子诱发不同金属厚靶原子的K-X射线

利用中国原子能科学研究院HI-13MV串列加速器上提供的动能为15—55 MeV的类氦C离子分别轰击Fe, Ni, Nb和Mo金属厚靶,采用HpGe探测器测量了K-X射线,获得了相应的K-X射线的发射截面.本文中由于各个靶原子外壳层电离度的不同,类氦C离子与Fe, Ni靶原子相互作用发射的K_β与K_α X射线的分支强度比随入射离子动能增加而减小,而Nb, Mo靶原子发射的K-X射线分支强度比变化不明显.利用厚靶截面公式计算了靶原子K-X射线的发射截面,并与不同的理论模型及质子的结果进行了对比.结果表明随类氦C离子动能的增大, Fe, Ni靶原子发射的K_β与K_α X射线的总产生截面与考虑多电离的两体碰撞近似修正模型最为符合Nb, Mo靶原子发射的K_β与K_α X射线的总产生截面与平面波恩近似模型的理论值最为接近.质子与单核子C离子能量相同时,质子比类氦C离子激发不同靶的K-X射线产生截面约小3个数量级.     

FeI和CuI中性激发谱的研究

利用束箔技术研究能量为110keV的Fe⁺和Cu⁺离子分别与厚度为8.5μg/cm²的碳箔相互作用激发放出的光,这些光经鉴定主要来自中性原子Fel和Cul的激发,测量顺着箔后的光衰变曲线,得到7条Fel和3条CuI的能级寿命,在箔的制备、束流密度的调节等方面做了一系列工作,故在低能重离子轰击下,使箔的使用寿命延长到30min以上。     

645 MeV Xe35+离子辐照SiO2在线光发射的研究

离子辐照可以改变二氧化硅(SiO₂)的晶体结构和光学性质.采用645 MeV Xe³⁵⁺离子辐照SiO₂单晶,在辐照过程中,利用光栅光谱仪测量在200—800 nm范围内的光发射.在发射光谱中,观测到中心位于461和631 nm的发射带.这些发射带是弗伦克尔激子辐射退激产生的,其强度与辐照离子能量和辐照离子剂量密切相关.实验结果表明:发射光强随离子在固体中的电子能损呈指数增加.由于离子辐照对晶体造成损伤,发射光谱强度随辐照剂量的增加而降低.文中讨论了这些与晶体结构有关的发射带,结合能量损失机制讨论了激子形成和退激过程.快重离子辐照过程中发射光谱的原位测量对研究辐照改性具有重要意义,有助于揭示离子辐照引起晶体损伤的物理机制.     

低能高电荷态氩离子与氩原子碰撞反应截面研究

使用位置灵敏技术和飞行时间方法研究了低能高电荷态氩离子与氩原子的碰撞反应,给出了实验测量得到的入射离子电荷交换截面和转移电荷截面,研究了反应截面与不同电荷态参教的关系,并与修正后的分子过垒模型计算结果进行了比较。     

校正磁场和cos/sin线圈的设计

介绍了控制束心corkscrew运动的原理,给出了用cos/sin线圈产生校正磁场方法并比较两种设计的结果。指出用较严格设计的cos/sin线圈能更有效地调节校正磁场。     

聚变中的某些物理问题

对核聚变中的某些物理问题进行了论述和探讨． Some physical issues in nuclear fusion are discussed and studied here.