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61.
运用器件模拟软件模拟了pn结6H-SiC紫外光探测器的光响应灵敏度特性.讨论了不同掺杂浓度、不同器件结深对响应灵敏度的影响.对于p+n结器件,当受光面为p+层,且厚度约为0.2μm、浓度约为9×10.18cm-3、n层浓度约为1×1 0.16cm-3时,器件有较大的响应灵敏度,R=167.2mA/W;当受光面为n+ 层 ,且厚度约为0.2μm、浓度约为9×10.18cm-3、p层浓度约为1×10.16cm-3时,器件有较大的响应灵敏度,R=183.5mA/W.通过比较可知,模型能较好地反应实际情况,与实验数据符合较好.
关键词:
6H-SiC
紫外光探测
吸收系数
光响应灵敏度 相似文献
62.
给出了一种新型SiC MOSFET——6H-SiC肖特基源漏MOSFET.这种器件结构制备工艺简单,避 免了长期困扰常规SiC MOSFET的离子注入工艺难度大、退火温度高、晶格损伤大,注入激活 率低等问题.分析了该器件的电流输运机理,并通过MEDICI模拟,给出了SiC肖特基源漏MOSF ET伏安特性以及其和金属功函数、栅氧化层厚度和栅长关系.
关键词:
碳化硅
肖特基接触
MOSFET
势垒高度 相似文献
63.
64.
The consecutive reaction of bis [2, 2, 2-trifluoroethyl] phosphiteand its application to the one-pot synthesis of 3-cyano-β, γ-un-saturated nitriles with exclusive or predominant E-selectivity(E: Z=100--85:0--15) and excellent yields (94%--99%) aredescribed. 相似文献
65.
66.
Two-dimensional threshold voltage model of a nanoscale silicon-on-insulator tunneling field-effect transistor 下载免费PDF全文
The tunneling field-effect transistor(TFET) is a potential candidate for the post-CMOS era.In this paper,a threshold voltage model is developed for this new kind of device.First,two-dimensional(2D) models are used to describe the distributions of potential and electric field in the channel and two depletion regions.Then based on the physical definition of threshold voltage for the nanoscale TFET,the threshold voltage model is developed.The accuracy of the proposed model is verified by comparing the calculated results with the 2D device simulation data.It has been demonstrated that the effects of varying the device parameters can easily be investigated using the model presented in this paper.This threshold voltage model provides a valuable reference to TFET device design,simulation,and fabrication. 相似文献
67.
0.15-μm T-gate In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As InP-based HEMT with fmax of 390 GHz 下载免费PDF全文
In this paper, 0.15-μm gate-length In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As InP-based high electron mobility transistors (HEMTs) each with a gate-width of 2×50 μm are designed and fabricated. Their excellent DC and RF characterizations are demonstrated. Their full channel currents and extrinsic maximum transconductance (gm,max) values are measured to be 681 mA/mm and 952 mS/mm, respectively. The off-state gate-to-drain breakdown voltage (BVGD) defined at a gate current of-1 mA/mm is 2.85 V. Additionally, a current-gain cut-off frequency (fT) of 164 GHz and a maximum oscillation frequency (fmax) of 390 GHz are successfully obtained; moreover, the fmax of our device is one of the highest values in the reported 0.15-μm gate-length lattice-matched InP-based HEMTs operating in a millimeter wave frequency range. The high gm,max, BVGD, fmax, and channel current collectively make this device a good candidate for high frequency power applications. 相似文献
68.
积累区MOS电容线性度高且不受频率限制, 具有反型区MOS电容不可比拟的优势. 本文在研究应变Si NMOS电容C-V特性中台阶效应形成机理的基础上, 通过求解电荷分布, 建立了应变Si/SiGe NMOS积累区电容模型, 并与实验结果进行了对比, 验证了模型的正确性. 最后, 基于该模型, 研究了锗组分、应变层厚度、掺杂浓度等参数对台阶效应的影响, 为应变Si器件的制造提供了重要的指导作用. 本模型已成功用于硅基应变器件模型参数提取软件中, 为器件仿真奠定了理论基础.
关键词:
应变Si NMOS
积累区电容
台阶效应
电荷分布 相似文献
69.
为了研究稀土掺杂对单层MoS2电子结构的影响,文章基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了本征及La,Ce,Nd掺杂单层MoS2的晶格参数、能带结构、态密度和差分电荷密度.计算发现,稀土掺杂所引起的晶格畸变与杂质原子的共价半径大小有关,La杂质附近的键长变化最大,Nd杂质附近的键长变化最小.能带结构分析表明,La掺杂可以在MoS2的禁带中引入3个能级,Ce掺杂可以形成6个新能级,Nd掺杂可以形成4个能级,并对杂质能级属性进行了初步分析.差分电荷密度分布显示,稀土掺杂可以使单层MoS2中的电子分布发生改变,尤其是f电子的存在会使差分电荷密度呈现出反差极大的物理图象. 相似文献
70.