大型仪器功能开发(151~159)瓦里安300XP离子注入机改造及功能开发

在完全掌握瓦里安300XP离子注入机各部件的工作原理后, 将原离子源供电系统中500 W电流源和450 W起弧电源升级为1 500 W电流源和1 500 W起弧电源, 并集成到当前系统中.将现有不稳定的气体流量、离子源电源、分析器、源磁场和吸极高压塑料光纤隔离控制线路, 升级成多通道光纤通讯光端机隔离控制系统.将一个10 cm进样终端改造成15 cm的样品卡盘, 并开发了一套独立控制剂量监测系统.改造后, 硼最大束流超过150 μA, 且可调节. 15 cm圆片的片内及片间电阻不均匀性小于3.5%.利用大束流硼离子注入制备浓硼掺杂单晶硅结构层, 应用到微电子机械系统压力传感器、热电器件以及纳米谐振子器件中.     

新型N,N-二氯叔丁胺的合成及其稳定性

以叔丁胺(1)为原料,三氯异氰脲酸(2)为氯化试剂,合成了新化合物N,N-二氯叔丁胺(3),其结构经1H NMR,IR和MS表征。考察了溶剂对3合成工艺的影响,用二氯甲烷作溶剂,3的分离更为简便。3稳定性较差,室温放置二个月后易分解为一氯叔丁胺和叔丁烯。并讨论了其分解机理。     

微聚焦管硬x射线位相衬度成像

利用微聚焦管硬x射线光源进行同轴位相衬度成像实验，所用的光源聚焦尺寸最小可达0.5μm.根据微聚焦硬x射线管的光学传递函数，对光源尺寸、相干长度等因素对成像分辨率的影响进行了分析.对新鲜的未经任何处理的生物样品进行了位相衬度成像，分辨率在10μm左右，并和吸收衬度成像进行了对比.实验结果表明利用微聚焦管作为硬x射线光源，多色硬x射线位相衬度成像可以得到比吸收衬度成像高得多的分辨率. 关键词： 位相衬度成像 微聚焦管x射线源 吸收衬度成像 光学传递函数     

Bi系超导粉末在热处理过程中放氧和吸氧过程的研究

本文采用氧分析仪系统地研究了Bi系超导粉末在热处理过程中出现的放氧现象和吸氧现象.研究了工艺参数如样品的质量、氧分压、混合气体流量以及升温速率对放氧过程的影响.当Bi系超导粉末在氧分压为8.5%的气氛中在830℃保温3小时的时候,放氧量相当于超导粉末中含氧量的3.6%.实验结果表明在升温过程中出现吸氧现象是由于Pb从(Bi,Pb)-2212相中析出,与其他第二相反应生成了Pb3(Sr,Bi)3Ca2CuOy(3321相),在较高温度下发生的放氧现象与3321相和Ca2PbO4相的分解有关.     

控轧控冷技术应用在Bi-2223／Ag超导带材制备过程中的研究

控轧控冷技术在钢铁中厚板材的应用已趋成熟，采用控轧控冷技术制备的中厚板材具有组织均匀、晶粒细小、机械性能高等优点．Bi-2223／Ag超导带材制备过程需经过多次反复的热处理和中间轧制过程，本文结合控轧控冷工艺特点，通过控制带材中间轧制制度和控制热处理冷却速度，研究了压下量和冷却条件对Bi-2223相变和其微观结构的影响，并借助SEM、XRD等方法对带材样品进行了观察，实验结果表明：合理的控轧控冷条件能够改善Bi-2223／Ag的微观结构并能够有效提高其电性能．这为控轧控冷技术在Bi-2223／Ag超导带材制备中的应用提供了初步理论依据，同时为形变热处理工艺提供了新的优化方向．     

长脉冲强流二极管径向绝缘研究

 介绍了一种应用于长脉冲强流二极管的径向绝缘结构。简介了真空表面闪络机理，径向绝缘结构的设计思路。采用锥形绝缘结构，使用计算机模拟静电场分布优化设计了几何结构参数，在脉宽为200ns的脉冲源上进行了实验研究。二极管最高输出电压为750kV，平均绝缘子表面耐电场强度约50kV/cm，达到了设计要求。     

氯酚偶氮罗丹宁分光光度法测定金矿石中微量金

试验表明:在pH 3.80的乙酸一乙酸钠缓冲介质中,金(Ⅲ)、氯酚偶氮罗丹宁与十六烷基三甲基溴化铵三者相互反应生成摩尔比相应为1:3:1的红色三元络合物;其吸收峰位于490 nl-n波长处,在此波长测得其表观摩尔吸光率为3.2×i05L·tool-1·cm-1,吸光度与金(Ⅲ)的质量浓度在700μg·L-1以内呈线性关系,其线性回归方程为A=0.162 4 C 0.029 21,相关系数为0.999 8.应用此方法测定了金矿石样品中微量金,并用标准加入法作回收试验,测得平均回收率在98.0%.     

Ku波段28单元径向线阵列天线馈电系统设计北大核心CSCD

研究了一种Ku波段多单元矩形径向线子阵馈电系统.为了满足特定耦合量的要求,提出了一种层叠式的新型耦合探针,并以此为基础,对中心频率为12.5GHz的28单元矩形栅格径向线子阵馈电系统进行了设计与分析.模拟仿真结果表明：该口径为61.6mm×125.2mm 的馈电系统在12.5GHz中心频率处反射系数为0.015,耦合不平衡度为1.05dB;同时在12.2-12.7GHz的频带范围内,反射系数小于0.1,耦合不平衡度最大值为2.62dB,基本满足了28路等幅馈电输出的要求.     

铝毒对覆铁膜水稻生长和根尖细胞壁组分的影响

以水稻浙辐802为材料,通过缺磷(-P)和供Fe~(2+)(+Fe)两种方式诱导形成根表铁膜,研究根系生长、根尖铝(Al)含量和根尖细胞壁组分差异。结果表明,100μmol/L Al~(3+)处理48 h,-P和+Fe处理的根相对伸长率降低了66.67%和51.25%,其中-P处理的根相对伸长率显著低于+Fe处理。根尖Al和MDA含量分别比对照组(CK)增加了1 105.6%和322.5%,82.45%和51.61%,-P处理的水稻根尖Al和MDA含量显著高于+Fe处理。Al处理也显著增加根尖细胞壁的果胶、半纤维素1和半纤维素2含量,其中-P处理的增加幅度高于+Fe处理。表明-P处理受Al毒害更加严重。由于-P处理诱导形成的铁膜中的Fe含量显著高于+Fe处理,而铁膜中的P含量则是前者显著低于后者,因此可以认为,根表铁膜上吸附的P在水稻耐铝中起主要作用。     

Effective SNR improvement using a high-power pulsed pump in an ytterbium-doped fiber amplifier

A high-power pulsed pump method is proposed to obtain a high-energy output with an improved signal- to-noise ratio （SNR） during pulse amplification. Based on numerical analysis, the ytterbium-doped fiber amplifiers are compared under different pumping conditions. At the same signal gain, the output using the high-power pulsed pump shows great SNR improvement and reduced output signal distortion, compared with a continuous-wave pump and a low-power pulsed pump. By adjusting the pump parameters, the amplifier can achieve the optimal output SNR without sacrificing the signal gain. We believe that the high-power pulsed pump scheme is very suitable for the high-energy nanosecond pulse amplification, which has a high SNR requirement.