全文获取类型
收费全文 | 956篇 |
免费 | 261篇 |
国内免费 | 251篇 |
专业分类
化学 | 456篇 |
晶体学 | 23篇 |
力学 | 111篇 |
综合类 | 34篇 |
数学 | 325篇 |
物理学 | 519篇 |
出版年
2023年 | 29篇 |
2022年 | 26篇 |
2021年 | 17篇 |
2020年 | 24篇 |
2019年 | 49篇 |
2018年 | 38篇 |
2017年 | 28篇 |
2016年 | 22篇 |
2015年 | 29篇 |
2014年 | 43篇 |
2013年 | 51篇 |
2012年 | 30篇 |
2011年 | 51篇 |
2010年 | 65篇 |
2009年 | 69篇 |
2008年 | 63篇 |
2007年 | 73篇 |
2006年 | 43篇 |
2005年 | 42篇 |
2004年 | 73篇 |
2003年 | 64篇 |
2002年 | 36篇 |
2001年 | 46篇 |
2000年 | 43篇 |
1999年 | 36篇 |
1998年 | 35篇 |
1997年 | 28篇 |
1996年 | 22篇 |
1995年 | 21篇 |
1994年 | 28篇 |
1993年 | 17篇 |
1992年 | 19篇 |
1991年 | 12篇 |
1990年 | 26篇 |
1989年 | 24篇 |
1988年 | 22篇 |
1987年 | 22篇 |
1986年 | 15篇 |
1985年 | 19篇 |
1984年 | 15篇 |
1983年 | 9篇 |
1982年 | 8篇 |
1981年 | 4篇 |
1980年 | 3篇 |
1979年 | 3篇 |
1965年 | 5篇 |
1961年 | 2篇 |
1959年 | 3篇 |
1958年 | 2篇 |
1955年 | 3篇 |
排序方式: 共有1468条查询结果,搜索用时 187 毫秒
61.
SiC单晶化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,广泛用于大功率器件产业.但由于其材料的硬度很大,加工非常困难.脆性材料塑性域加工为提高该类材料的表面质量,降低加工时间和成本提供了有效的途径.本文采用不同刀具角度和刀尖圆弧半径的单点金刚石刀具对4H-SiC单晶进行刻划实验,利用声发射、摩擦力传感器来监测刻划过程中声发射信号强度以及摩擦力的变化,并通过Leica DCM3D以及SEM观察划痕沟槽表面形貌、切屑状态,综合分析以获得4H-SiC单晶在不同角度、刀尖圆弧半径下塑脆转变的临界切削深度.结果表明,增大刀具角度有利于塑性域加工;在相同条件下,刀尖圆弧半径越大,临界切削深度越大. 相似文献
62.
基于Visco-SCRAM模型的侵彻装药点火研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对弹体侵彻过程中装药的安全性,基于黏弹性统计裂纹力学(visco-statistical crack mechanics, Visco-SCRAM)模型计算装药整体温升、装药裂纹摩擦生热以及弹体装药与壳体摩擦生热,考察这3种机制对装药温升的贡献以及侵彻装药的点火机制,得到了装药点火对应的弹体侵彻临界初始速度。结果表明:(1)装药与弹体内壁摩擦生热对装药温升有一定贡献,随着弹体初始撞击速度的提高,摩擦生热对温升的贡献逐渐增大;(2)黏性、损伤和绝热体积变化导致的装药整体温升对装药点火的作用有限; (3)裂纹摩擦形成热点是侵彻装药点火的物理机制;(4)采用Visco-SCRAM模型可预测低强度、长脉冲载荷作用下的装药点火响应。 相似文献
63.
针对全双工通信系统设计了光子集成射频自干扰消除功能芯片.该芯片采用相位调制将射频信号转换至光域,在光域内进行光载射频信号的幅相调控以实现干扰对消功能.对功能芯片中主要功能单元进行优化设计后,延时调谐范围为0~10ps,30GHz带宽内的延时抖动小于0.1ps;滤波响应阻带抑制度为36.5dB,通带带宽为60.6GHz,边沿陡峭度为9.2dB/GHz.建立了光子集成芯片射频自干扰消除系统的理论模型,对功能芯片中可调光延时线、可调光衰减器及滤波器等引入的延时、幅度不匹配对系统消除性能的影响进行了仿真分析.结果表明,幅度失配量为0.02dB时,2GHz带宽信号下系统抑制度为-42.7dB;延时抖动为0.07ps时,2GHz带宽信号下系统的抑制度为-37dB.研究结果可为光子集成射频干扰抑制功能芯片的研制提供参考. 相似文献
65.
蛋白质的化学修饰反应是在维持蛋白质的完整性与功能的基础上,通过官能团的化学反应获得新的生物缀合物。本文综合分析了蛋白质结构以及反应条件对化学修饰反应的影响,分类评述了蛋白质化学修饰的4种主要方法(氨基修饰、巯基修饰、羧基修饰以及苯羟基修饰)的机理、适用范围以及实际操作中的优劣,并探讨了修饰反应目前面临的问题以及未来发展的方向。 相似文献
66.
南疆地区沙尘多、灰尘大,枣树叶片表面经常覆盖一定程度的粗颗粒度沙尘,为了有效去除沙尘、灰尘在枣树叶片水分光谱测量过程中产生的散射噪声和基线漂移,研究一种适用于风沙较大地区的枣树叶片水分含量的快速检测方法,以不同灌溉梯度下的枣树叶片为研究对象,通过近红外光谱仪获取120个叶片样本的1 000~1 800 nm的光谱数据,并同步测量叶片水分含量,采用归一化、移动窗口平滑、 SavitZky-Golay(SG)卷积平滑、 SG求导、标准正态变量校正(SNV)和多元散射校正(MSC)等方法对原始光谱进行预处理,分析对比不同方法对散射噪声的处理能力,采用偏最小二乘回归分析方法筛选了敏感波段和建立预测模型。实验结果表明,枣树叶片水分含量强吸收峰为1 443 nm,波谷为1 661 nm;归一化光谱并未消除1 000~1 400 nm波段的散射噪声;移动窗口平滑和SG卷积平滑并未改进光谱曲线,散射噪声仍然存在; SG导数光谱的光谱特征峰和特征谷明显左移,光谱曲线不够平滑,噪声明显; SNV和MSC方法具有较好的散射噪声消除能力。偏最小回归分析方法筛选特征波长的结果表明(设置筛选波长数量为5),基于原始光谱未筛选到1 443 nm的强波峰和1 661 nm的波谷附近的波段;基于归一化光谱在1 450 nm波峰附近筛选的波长有一定的偏差,在1 661 nm波谷附近的筛选的波长明显高于1 700 nm;基于移动窗口和SG卷积平滑光谱在1 443 nm具有一定的筛选能力,但并未筛选到1 661 nm附近的波长;导数光谱并未筛选到1 443和1 661 nm波段; SNV和MSC在波峰和波谷位置附近均筛选了敏感的光谱波段,其中MSC略优于SNV方法恰好在波峰和波谷位置,共筛选了1 002, 1 383, 1 411, 1 443和1 661 nm五个特征波段,也证明了MSC方法散射噪声和基线漂移处理能力最优,提高了敏感波长的筛选能力。偏最小二乘回归模型结果表明,不同预处理方法的RMSE值均较低, SNV和MSC方法改进了模型的预测结果,R~2高于0.7,其中基于MSC方法的模型具有最高的R~2和最低的RMSEP和RMSEPCV,R~2=0.750 4, RMSEP=0.034 3, RMSECV=0.021 5,预测结果较优。证明MSC方法对沙尘和颗粒度引入的散射噪声具有较好的去除能力,可改进波长的筛选、提高预测模型精度,为南疆沙尘区的枣树叶片水分含量的无损检测提供了有效方法。 相似文献
67.
68.
桑立雯 ;秦志新 ;岑龙斌 ;沈波 ;张国义 ;李书平 ;陈航洋 ;刘达艺 ;康俊勇 ;成彩晶 ;赵鸿燕 ;鲁正雄 ;丁嘉欣 ;赵岚 ;司俊杰 ;孙维国 《中国物理快报》2008,25(1):258-261
We report AlGaN-based back-illuminated solar-blind Schottky-type ultraviolet photodetectors with the cutoff- wavelength from 280nm to 292nm without bias. The devices show low dark current of 2.1× 10^-6A/cm^2 at the reverse bias of 5 V. The specific detectivity D* is estimated to be 3.3 × 10^12cmHz^1/2 W^-1 . To guarantee the performance of the photodetectors, the optimization of AlGaN growth and annealing condition for Schottky contacts were performed. The results show that high-temperature annealing method for Ni/Pt Schottky contacts is effective for the reduction of leakage current. 相似文献
69.
在磁约束核聚变堆的面对等离子部件设计中,液态金属锂膜流因具有带走杂质、保护面对等离子固壁等优点而被认为是优选方案之一. 然而,如何克服聚变堆中强磁场环境下产生的磁流体力学效应并形成大面积均匀铺展锂膜流动是目前亟需解决的问题.本文通过搭建室温液 态镓铟锡回路和高温液态锂回路,开展了两种不同特性的液态金属膜流实验, 并采用传统可视化方法获得了展向磁场存在时镓铟锡和锂在导电底板形成的液膜流动表面特征.实验结果 表明: 无磁场时,两种液态金属膜流流动表面波动特性与常规流体膜流均一致, 即随着流动雷诺数的增加表面波动变得更为混乱; 而展向磁场存在时,镓铟锡膜流表面波动变得更为规则, 且沿着磁场方向平行排列,表现为拟二维波动的特征; 而锂膜流却产生了明显的磁流体 力学阻力效应,表现为在流动方向局部产生锂滞留现象, 且滞留点随雷诺数增大向下游移动. 最后通过膜流受力分析,进一步阐述了锂膜流受到比镓铟锡膜流更为严重磁流体力学效应影响的原因. 相似文献
70.