药学专业药物化学实验教学现状与教学改革

从实验课与理论课相互关系、实验教学内容、与基础课的衔接、与相关课程的沟通和实验室管理等5个方面分析了药物化学实验教学中存在的问题,针对这些问题提出了改革措施,并对药学实验教学改革进行了展望。     

Ar和H2气氛退火CdZnTe表面的XPS研究

对CZT晶体进行了相同温度条件下Ar和H2气氛退火实验研究.利用XPS的离子溅射深度剖析对比分析了退火前和不同气氛退火后CZT晶体表面成分和价态的变化,并以上述变化为依据,推测了退火前CZT晶体的表面结构和成分以及退火过程中气体与CZT晶体表面发生的化学反应.结果表明,相比Ar气氛退火,H2气氛退火后因为TeO2和富Te层会先后和H2发生化学反应而大量减少,可以有效地去除TeO2和富Te层,增大H与CZT的接触面积,促进H与CZT的进一步反应.     

A rigorous criterion to identify the validity of the Born approximation

This paper intends to identify the validity of the orn approximation by a new universal criterion, which is ultimately reduced to the calculation of an operator norm. With the purpose of enabling the criterion to be applicable to general scattering problems, a method is proposed to estimate the norm of the operator concerned. Compared with the conventional criterion, this method excels in its ability to acquire a quantificational upper bound of the relative error by Born approximation as well as to extend its valid frequency to a wider range. Two canonical scattering examples are given as evidence for the validity of the criterion.     

材料介观有序结构小角光散射图案的FFT算法

用快速傅里叶变换计算方法(FastFourierTransformation,FFT)直接获得高分子材料中介观有序结构小角激光光散射(SALS)图案,从而对实验获得的球晶和液晶液滴的SALS图案进行结构预测.作为实例,计算了几种典型液晶液滴构型的SALS图案.     

双光子光聚合技术及其研究进展

本文对双光子光聚合技术进行了比较全面系统的综述,主要介绍了双光子光聚合的基本原理,国内外双光子光聚合光敏引发体系和具有大的双光子吸收截面有机分子的研究现状以及双光子光聚合技术的潜在应用领域.     

环氧有机硅阳离子型光敏预聚物的合成及其光敏性能的研究

合成了环氧有机硅光敏预聚物及阳离子光引发剂甲苯茂铁四氟硼酸盐 ,研究光引发剂种类、预聚物与单体配比、增感剂结构等因素对固化速度的影响 ,发现预聚物体系的感度较高 ,最小感度值为 1 65mJ/cm² ;并讨论了甲苯茂铁四氟硼酸盐的暗聚合能力     

关于最弱受约束电子势模型理论中势函数物理意义的讨论

从屏蔽、贯穿和极化作用考虑,对最弱受约束电子势模型理论(简称WBEPM理论)的势函数进行了讨论.通过一系列推导、论证,得出WBEPM理论的有效势的物理意义为:势函数中的第一项表示最弱受约束电子在有效核电荷+Z＇e中心场中的势能;第二项代表最弱受约束电子对非最弱受约束电子和核组成的"实”的极化作用所引起的偶极子场中的势能.     

新型香豆素酮类不对称双光子染料的合成及其光物理性质

本文以二苯乙烯和香豆素为共轭桥,二乙氨基为电子给体,羰基为电子受体,合成了一个具有D-π₁-A-π₂-D结构的香豆素酮类双光子染料C3.用紫外-可见光谱、荧光光谱研究了该化合物的光物理性质.发现在光作用下C3很容易发生分子内电荷转移,进而转变为扭曲的分子内电荷转移,产生很大的偶极矩变化.以飞秒脉冲激光为激发光源,用上转换荧光法测定了其双光子吸收截面.在激发波长为850 nm时,新化合物的双光子吸收截面值达1292 GM,比同系列香豆素酮衍生物C1、C2的双光子吸收截面值高一到两个数量级.     

籽晶垂直布里奇曼法生长大尺寸CdZnTe单晶体

采用改进的垂直布里奇曼(MVB)法并引入籽晶生长技术,成功生长出直径60mm,单晶体积超过200cm3的CdZeTe(CZT)晶锭.根据CZT 晶片在近红外(NIR)波段的透过谱,由截止波长推算Zn组分在晶片中的平均含量,进一步的拟合得出晶体生长过程Zn沿晶锭轴向分凝因数约为1.30;分析了晶片在中红外波段内的红外透过率,发现波数在2000～4000cm-1内透过率平直且较高,超过60;,而从2000cm-1到500cm-1随波数的减小透过率急速下降至零;由钝化后的Au/CZT晶片的I-V曲线,计算得到生长态CZT晶片的电阻率ρ达到1.8×109～2.6×1010Ω·cm.     

制备方法和条件对Rh-Mn-Li-Ti/SiO2催化剂CO加氢制C2含氧化物性能的影响

制备方法和条件对Rh-Mn-Li-Ti/SiO2催化剂CO加氢制C2含氧化物性能的影响;Rh基催化剂;TiO2助剂;CO;加氢;合成气;C2含氧化合物