ITER 低温泵外部容器的结构设计与应力分析

ITER 低温泵需要定期再生循环以去除吸附的气体,处于安全考虑氢的累计体积摩尔浓度不能超过 1.5mol⋅m⁻³,从而使得再生的容积必须不小于15m³,需要额外设计容器结构以提供足够的再生容积,同时兼顾支撑和密封的作用。介绍了ITER 低温泵外部容器的结构与功能,并运用有限元分析方法对其不同载荷状况进行了数值计算,为其结构设计与优化提供了理论依据。     

磁场、多孔性和各向异性动脉壁有多处狭窄段时对血液流动的影响

建立一个血液流动的数学模型:多孔介质在磁场作用下,血液流过一段有多处狭窄段的弹性动脉;用一个各向异性的弹性圆柱形管道模拟动脉,用粘性不可压缩的导电流体表示血液,动脉有轻微的局部性狭窄,形成一段内腔局部变窄的动脉,并完成该模型的数学分析．详细阐述了血管壁参数对血液流动的影响,参数包括纵向和圆周向的粘弹性应力分量Tt和Tθ、血管壁的各向异性度γ、血管及其周边结缔组织的总质量M、完全栓管中粘性约束的贡献C和弹性约束的贡献K,并用图形表示壁面剪切应力的分布、径向和轴向的速度等．还研究了狭窄形状参数m、渗透率常数κ、Hartmann数Ha和血管狭窄区的最大高度δ,对血液流动特征的影响．研究表明,流动受到周边结缔组织（动脉壁运动）的影响式微,血管壁的各向异性度,是确定动脉材料的一个重要指标．进一步发现壁剪切力分布,随着Tt和γ的增加而增加,随着Tθ,M,C和K的增加而减少．壁面剪切应力分布的传播,以及壁面处阻力阻抗的传播,栓管与自由管相比要低得多;狭窄段咽喉处的剪切应力分布特性,完全栓管和自由管正相反．靠近中心线的俘获区大小,随着渗透率κ的增加而增大;随着Hartmann数Ha的增加而减小．最后,狭窄段非对称时,逐渐形成俘获区;狭窄段对称时,不出现俘获区,各向同性自由管（无初始应力）中俘获区的大小,比完全栓管中的小得多．     

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简要介绍伯努利家族在力学上的贡献. 在19世纪力学3项最突出的进展:分析力学、连 续介质力学和统计力学方面,伯努利家族的成就起着奠基和先行者的作用.     

高效液相色谱法测定盐酸倍他洛尔

盐酸倍他洛尔(Betaxolol Hydrochloride)是优异的心脏选择性β-受体阻滞剂。其β-受体阻滞作用为普萘洛尔的4倍,基本无内源性拟交感活性,膜稳定作用也很弱,口服后在胃肠道吸收完全,血药浓度达峰时间为2-4h,同时进食不影响吸收。临床主要用于治疗中度高血压和心绞痛;其滴眼剂用于治疗眼内压增高和开角型青光眼。国内一直未     

渡越辐射过程中的能量关系和荷电粒子的速率变化问题

本文从麦克斯韦方程出发,定量地讨论了高速带电粒子通过界面产生渡越辐射过程中的能量平衡问题;并由此揭示了带电粒子越过箔片组过程中的速率脉动变化问题.这一工作有助于完善带电粒子通过箔片组产生渡越辐射的理论.     

自治Birkhoff系统的广义正则变换和辛算法研究

研究了自治Birkhoff系统的广义正则变换,将Hamilton系统的辛算法推广到Birkhoff系统,通过引入凯莱变换和生成函数法构造Birkhoff方程的Birkhoff的辛差分格式,同时讨论了Birkhoff差分格式的辛算法.     

教学杂谈

简要介绍笔者在几十年教学中的一些体会. 概略说 来不外乎做好知识储备上的准备, 在教学上要有轻有重,在教学方法上要充分尊 重学生的主动性,提高他们学习的兴趣.     

Silicon-on-nothing MOSFETs fabricated with hydrogenand helium co-implantation

In this paper, a method to fabricate Silicon-on-Nothing (SON) MOSFETs using H$^{ + }$ and He$^{ + }$ co-implantation is presented. The technique is compatible with conventional CMOS technology and its feasibility has been experimentally demonstrated. SON MOSFETs with 50nm gate length have been fabricated. Compared with the corresponding bulk MOSFETs, the SON MOSFETs show higher on current, reduced leakage current and lower subthreshold slope.     

氧化锌晶体生长基元模拟

本文利用Hyperchem分子模拟软件对氧化锌晶体生长基元Zn(OH)42-进行了系统的模拟.通过模拟分析生长基元的结合方式,提出了生长基元的结合规律.结果表明:Zn原子数(生长基元)与共用O原子数(O桥)的比例越大所形成的络合物越稳定;当分子中Zn原子和共用O原子比例一定时,羟基数目越少则越稳定.并且通过计算机模拟生长基元直线状结合情况解释了单晶ZnO纳米线状或纳米棒状的结构很难在实验中获得的原因.     

分叉问题及其数值方法

本文综述了分叉问题的数值方法近年来的发展,特别介绍了笔者在这一方向上的新工作,文末给出了两个应用例子。