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慢电子与Kr,Xe和Rn原子弹性散射截面的计算 总被引:1,自引:1,他引:0
根据文献〔1〕中提出的慢电子散射的等效势模型,本文采用Slater波函数来描述原子核外电子的形为,导出了入射电子与Kr、Xe和Rn原子之间较为简单的等效势。对慢电子与Kr、Xe和Rn的弹性散射总截面、动量转移截面和微分散射截面进行了计算。对e-Kr和e-Xe的散射,我们的计算结果与其他理论和实验数据符合的较好。对于e-Rn散射,我们发现也存在着Ramsauer-Townsend效应。研究表明,本方法特别适用于慢电子与复杂原子之间的散射。 相似文献
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采用在cBN表面进行镀钛、并在PcBN结合剂中加入纳米金刚石的方法,对静压法合成的PcBN的组织结构进行研究。通过对镀钛后的cBN和合成的PcBN样品进行XRD、SEM、显微硬度、致密度分析和热稳定性分析,并与结合剂中不含纳米金刚石的PcBN样品进行对比,研究纳米金刚石的添加对合成PcBN的组织结构和性能的影响。实验结果表明,在有镀钛cBN、Al和Si存在的环境中,采用先升压至5.5 GPa,然后升温至1 400 ℃,保温保压500 s的合成工艺,在PcBN中未发现纳米金刚石发生石墨化;作为碳源,与Si、Ti、Al等共同作用,在PcBN组织中形成多种耐热、高硬、稳定的化合物。适当过量地加入使得PcBN组织中残留部分未反应的纳米金刚石,不仅提高了PcBN的致密性,而且提高了PcBN的硬度,更为重要的是消除和减轻了“架桥”现象。在合成PcBN的过程中,Ti和纳米金刚石的反应活性最强。结合真空微蒸发镀钛技术,cBN表面镀钛和加入纳米金刚石使PcBN中的各组分之间充分反应形成的多种化合物过渡层,使得PcBN中各相之间有良好的相容性,PcBN的热稳定性得到提高。 相似文献
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The photoluminescence (PL) of nanocrystal present in porous silicon shifts from the near infrared to the ultraviolet depending on the size when the surface is passivated with Si-H bonds. After oxidation, the centre wavelength of PL band is pinned in a region of 700-750 nm and its intensity increases obviously. Calculation shows that trap electronic states appear in the band gap of a smaller nanocrystal when Si = O bonds or Si-O-Si bonds are formed. The changes in PL intensity and wavelength can be explained by both quantum confinement and trap states in an oxidation layer of nanocrystal. In the theoretical model, the most important factor in the enhancement and the pinning effects of PL emission is the relative position between the level of the trap states and the level of the photoexcitation in the silicon nanocrystal. 相似文献
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从接触力、能量分布和接触网络结构特点出发,提出了强力链的力大小(Fc)判据(Fc大于平均接触力〈F〉)和角度θc判据(θc=180/〈Z〉,其中〈Z〉是平均配位数),指出强力链和弱力链是本质不同的两类结构存在于颗粒体系中,其中强力链网络与体系的宏观性质直接相关.以二维颗粒体系的单轴压缩为例,计算发现了强力链长度的幂率分布规律,分析了侧向压力系数与相应强力链网络结构的关系:当内部强力链网络充分发育而不再变化时,侧向压力系数趋于稳定数值. 相似文献
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在多生命状态各个体余寿相依的情形下,通过比较边际分布或相依结构,研究终身年金趸缴保费精算现值的差异.采用Copula函数作为相依结构的表示,分别研究:(1)假设各投保集团个体余寿之间相依结构相同的情形下,根据余寿向量在随机序意义下的大小,比较各投保集团终身年金趸缴保费精算现值的大小;(2)假设两个投保集团个体余寿有相同的分布,但个体余寿之间相依结构不相同的情形下,比较其终身年金趸缴保费精算现值的差异. 相似文献