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51.
本文采用不同相成分纳米前驱粉,制备了一系列SmBa2Cu3O7-x块材,并对其制备工艺进行了研究.纳米前驱粉制备采用本中心自行研发的一种简便高效的"凝胶快速分解法".研究结果表明,采用"凝胶快速分解法",经650℃~950℃的适当热处理可以得到不同相成分的纳米前驱粉;在一定的温度和时间范围内,前驱粉的粒度基本不受热处理温度的影响.磁测量的结果表明,化学成分相同时,前驱粉的相组成对最终的SmBa2Cu3O7-x块材的临界超导转变温度(Tc)并无明显影响. 相似文献
52.
高温超导体相对定量的磁通钉扎力分析 总被引:1,自引:0,他引:1
为了更准确地分析高温超导体在高温如液氮温区的磁通钉扎机制,基于Dew—Hughes模型,对传统的钉扎力标度方法进行了改进,发展了钉扎力密度的多源分析方法.在高温超导体中芯钉扎机制处于主导地位,由正常相和Ginzburg参量(△k)变化引起的点、面和体缺陷在改进分析方法中均将考虑.论中通过几个Bi-2223/Ag带材的钉扎力分析实例对传统的单函数方法和改进多源分析方法进行了比较.结果表明,采用多源分析方法可以更准确地给出样品中起作用的钉扎机制的信息,例如,样品中对磁通钉扎有贡献钉扎中心类型及其相对强度等. 相似文献
53.
对单主多从博弈进行分析,给出跟随者反应函数的相关性质.进一步,针对跟随者反应函数是集值映射的情形,定义出中级社会Nash均衡,讨论该均衡的存在性,并把该均衡应用到非线性反需求函数的单主多从寡头竞争,得出该模型的中级社会Nash均衡解. 相似文献
54.
研究了具有任意多个局中人的非合作多目标博弈(多目标大博弈).基于一般非合作博弈中的Berge均衡概念,定义多目标大博弈中的弱Pareto-Berge均衡.进一步推广了截口定理,得到新的截口定理,并且利用这个新的截口定理证明多目标大博弈中弱Pareto-Berge均衡的存在性.多目标大博弈中弱Pareto-Nash均衡的存在性结论可作为弱Pareto-Berge均衡存在性的特例给出. 相似文献
55.
本文建立了一个利用金刚石对顶砧超高压装置测量金属高压电阻变化率的实验方法,并用这种方法研究了锰铜的高压电阻变化率,压力达18.5GPa。实验表明:在低于13GPa的压力范围内,锰铜电阻随压力的变化呈一线性关系,在13—18.5GPa的压力范围内则是另一线性关系。在13GPa附近,出现一个线性关系的“转折点”。在“转折点”以下我们测得的压阻系数为0.024GPa-1与Barsis和Kume以及苏昉等人最新给出的结果都符合得很好。在“转折点”以上,需用新的线性关系来描述,对应的压阻系数为0.020GPa-1。 相似文献
56.
无氟MOD方法制备GdBCO薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
采用无氟金属有机物沉积方法(MOD)在单品基底SiTrO3(100)上制备GdBa2Cu3O7-x(GdBCO)薄膜.所用的无氟MOD方法制备GdBCO薄膜具有前驱溶液稳定、薄膜致密性好以及相比于TFA-MOD方法在热处理过程中无HF气体的产生等优点.经过一系列热处理工艺后,对薄膜进行X射线衍射(XRD)分析、扫描电镜(SEM)分析以及超导性能的测试.通过熔融外延生长,得到c轴织构良好、表面平整致密、临界超导转变温度为90 K的GdBCO薄膜,77K自场下的临界电流密度约为0.6 MA/cm2. 相似文献
57.
2007年国家自然科学基金的各项评审工作已经基本结束,现将物理科学二处基金项目受理、评审情况作一简要综述,使广大物理学科研工作者对物理科学二处资助领域总体状况有所了解,并希望能为2008年度拟在物理科学二处申报项目的专家提供参考. 相似文献
58.
59.
目前,有机光导体(organic photo conductor)大部分采用双层结构,即拥有电荷产生层(CGL)和电荷传输层(CTL)的功能分离型结构。这种结构可有效地降低热激发,暗衰减速度,并能减少单层结构中不同载流子的复合概率。其中CGL一般是将颜料(CGM)微粒分散于高分子树脂内制成,CTL则由树脂中掺人一定量的电荷传输材料CTM(一般为分子级的电子受体或给体)。曝光时,CGL吸收光子产生的电荷(空穴和电子),注人CTL中,在表面电荷产生的电场的作用下,传输至OPC表面,与这部分的表面电荷形成静电潜影。 相似文献
60.
系统地研究了在由1-(2,4,-三硝基)芴基-2,6-二甲基苯胺(DMTNF),4-(二乙氨基)-苯甲醛-1,1-二苯基腙(DEH)和Y晶型氧钛酞菁(Y-TiOPc)或非金属酞菁(H2Pc)构成的单层结构有机光导体的性能,考查了电荷产生材料(CGM)浓度、电场强度和CGM的种类对光导体静电照相性能的影响.研究结果表明,光导体的量子收率和感光度与CGM浓度有很大关系,正充电时随CGM的浓度的增加而增加,负充电时随CGM的浓度增加而降低.两种光导体在近红外光谱区表现出良好的光敏性,适合LD扫描成像.Y-TiOPc光导体的最高峰在80 nm处,半衰曝光量为0.588 μJ/cm2(正充电),0.828 μJ/cm2(负充电);H2Pc光导体正充电最高峰在800 nm处,半衰曝光量为1.50 μJ/cm2,负充电最高峰在820 nm处,半衰曝光量为1.9 μJ/cm2. 相似文献