基于扭转-滑移耦合约束的梁桥抗倾覆滑移整体稳定分析

为了分析考虑支座失效的梁桥整体稳定问题，推导了七自由度曲梁单元刚度矩阵，并建立了部分支座脱空和滑移等情况下的边界约束方程，利用Newton-Raphson迭代法求解了含支座约束的有限元总方程，并提出了依据支座受力状态判断梁桥失稳模式的方法，编制了相应程序.以简支超静定曲梁为例，验证了所提出的七自由度曲梁单元的精度；进一步利用所提出方法分析了某匝道桥倒塌事故，通过对比传统杆系有限元方法，验证了所提出的方法能更精确地模拟各种支座失效情况下的梁桥平衡状态.     

用原子荧光法测定食品中总砷的经验介绍

由于氢化物原子荧光法具有方法简单、精密度好、灵敏度高、线性范围宽等优点,已在土壤、食品、化妆品等砷含量的测定中得到广泛应用.对该法测定食品总砷过程中还原剂与砷标准的反应时间与荧光强度值之间的关系进行了探讨,得出其最佳反应时间.     

二氮杂萘联苯类铱配合物的制备及其电致磷光性能

电致磷光材料因其优异的电致发光性能,引起了科学界的广泛研究兴趣。本论文以含增加溶解性的位阻苯氧基团的二氮杂萘联苯衍生物为配体,通过与三氯化铱在温和及无催化剂存在的条件下一步反应以较高产率直接生成铱的三环配合物磷光体Ir(MPCPPZ)₃,并对其结构、光物理性能、电致发光性能进行了研究。该磷光体易溶于二氯甲烷、氯苯等多种溶剂,适合旋涂法的电致发光器件制作。该磷光体的构型为热力学上稳定的面式构型,荧光量子产率在95%以上。光致发光的发射峰在590 nm左右。磷光体的HOMO能级为-5.15 eV,LUMO能级为-2.9 eV。磷光体表现了较高的热稳定性,起始分解温度为388 ℃。以配合物掺杂于PVK-CBP中做成电致发光器件后,电致发光光谱与光致发光光谱相比出现了红移,能完全表现为配合物的发光。在12%掺杂浓度时器件的效率最大,当亮度91 cd·m^-2时,外量子效率为20.2%,这是目前旋涂器件的最好结果。该器件的最大亮度5870 cd·m^-2,功率效率5.7 lm·W^-1。当电流密度达到100 mA·cm^-2时,外量子效率为6.6%。     

烟酸稀土分子杂化发光材料的制备与性能研究

利用烯-巯加成的方法,合成了一种带有三联吡啶基团的有机硅氧烷,该中间体用核磁共振、红外、质谱等手段进行了表征确认.以该中间体作为第二配体,加入稀土(Eu3+、Tb3+)烟酸配合物,在正硅酸乙酯的存在下用溶胶-凝胶法原位制备了稀土(Eu3+、Tb3+)烟酸配合物与二氧化硅基质以共价键相连的烟酸稀土分子杂化发光材料.通过红外光谱、紫外-可见光漫反射光谱、荧光光谱和寿命测试表征了制备的杂化发光材料.荧光光谱数据表明在杂化材料中,由于三联吡啶配体通过有效的分子内传能过程将其激发态的能量传递给稀土离子的发射能级,从而极大地提高了稀土离子的特征发射.掺铕离子的最强发射为617nm,是纯红光发射;而掺铽离子的最强发射为543nm,是典型的绿光发射.掺铕和铽的分子杂化材的荧光寿命分别为0.66ms,0.68ms,同时荧光衰减均为一级指数衰减,说明稀土离子在杂化材料中分散得很均匀.     

PVA栅绝缘层浓度对P3HT有机场效应晶体管性能的影响

采用溶液制备法制备了用PVA作为绝缘层、P3HT作为有源层的有机场效应晶体管,,研究了不同浓度PVA栅绝缘层对器件性能的影响。实验结果显示,以质量分数为8%的PVA溶液制备的栅绝缘层具有最好的性能,器件的场效应迁移率为0.31 cm²·V^-1·s^-1,阈值电压为-6 V。进一步分析了PVA栅绝缘层浓度对器件性能提高的原因,结果表明,对于制备溶液化的有机场效应晶体管,选取合适的PVA栅绝缘层浓度非常重要。     

基于蛋清栅绝缘层的高性能C_(60)有机场效应晶体管(英文)

采用生物材料(蛋清)作为栅绝缘层制备了基于C60为有源层的有机场效应晶体管。器件展现出了合理的电学特性,场效应迁移率和阈值电压分别为2.59 cm2·V-1·s-1和1.25 V。有机场效应晶体管展现良好性能的原因是蛋清具有较高的介电常数及热退火后形成的光滑表面形貌。实验结果表明,对于制备有机场效应晶体管来说,蛋清是一种有前途的绝缘层材料。     

二极管泵浦Nd:YAG板条双通放大器技术研究

对二极管泵浦NdYAG板条双通放大器进行了理论设计和数值计算.在注入能量1 mJ,小信号增益为0.23 cm-1时理论计算结果为双通放大器输出能量为229.8 mJ.实验在10 Hz时获得单脉冲输出能量216 mJ;400 Hz时获得单脉冲输出能量203.4 mJ,光束质量因子小于5,激光脉宽为16.9 ns.实验结果与理论计算基本吻合.用相位共轭镜取代0°全反镜,超高斯镜取代振荡级输出镜,并采用镜面均匀的光学器件可以改善光束质量及光斑均匀性.     

无电极电光电场传感器灵敏度提高的研究

从提高灵敏度角度出发,理论上分析了无电极电光电场传感器电极长度与灵敏度和带宽的关系.通过比较不同结构的传输函数,验证平衡检测方式的可行性,最后选取使用平衡检测的三端口结构作为实验器件结构,从而为器件制作的可行性方案从理论上作了验证.     

Optical and Electronic Properties of InGaN／GaN Multi—Quantum—Wells Near—Ultraviolet Lighting—Emitting—Diodes Grown by Low—Pressure Metalorganic Vapour Phase Epitaxy

The near-ultraviolet lighting-emitting-diodes (UV-LEDs) with the InGaN/GaN multi-quantum-well (MQW) structure were grown by low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy. The double crystal x-ray diffraction revealed a distinct second-order satellite peak. The near-ultraviolet InGaN/GaN MQW LEDs have been successfully fabricated to emit at 401.2nm with narrow FWHM of 14.3nm and the forward voltage of 3.6 V at 20 mA injection current at room temperature. With increasing forward current from l 0 mA to 50 mA, the redshift of the peak wavelength was observed due to the band-gap narrowing caused by heat generation.     

测定金属热膨胀系数的新方法

热膨胀是固体材料的一个重要特性.线膨胀系数是工程设计、精密仪器制造、材料焊接和加工中必须考虑的重要参数之一.学习线膨胀系数的测量是十分有意义的.