高激发热核衰变中哪些粒子先发射

通过测量两裂片符合下两关联粒子的速度差分布 ,研究了 2 5MeV/u⁴⁰ Ar +¹⁹⁷Au反应中高激发核出射轻粒子和Li碎片的发射次序 .通过比较实验结果和三体弹道计算结果 ,观察到高速轻粒子 (氚和氦粒子 )优先于高速Li碎片发射 ,但低速轻粒子却在低速Li碎片之后发射 .此外 ,观测到轻粒子之间 (如氘和氚 )无优先发射     

低气压双维位置灵敏多丝正比室的研制

描述了为在放射性束流线上开展核反应研究而研制的灵敏面积为50mm×50mm的双维位置灵敏的低气压多丝正比室,研制的低气压多丝正比室为穿透式,在真空中使用,工作气压为8mb,透射性好,不干扰束流,放射源测试结果表明,它的x,y方向的位置双径迹分辨为1mm,用放射性束流在束测试结果表明,对30—40MeV的低Z放射性束的探测效率大于80%,适用于中能次级束实验中入射束的定位和反应中产生的带电粒子出射角度的测量。     

重离子裂变反应碎片角分布

本工作采用固体核径迹探测器和金硅面垒型半导体探测器测量了¹²C+¹⁸¹Ta,¹⁹⁷Au,Pb和²⁰⁹Bi以及¹⁴N+Pb裂变反应碎片角分布.还借助于已经发表的若干裂变反应碎片角分布数据,在可裂变参数Z²/A,激发能E和角动量I较宽的范围内,用碎片角分布统计断点模型分析了重离子裂变反应碎片角分布数据.结果表明,统计断点模型能够解释重离子裂变反应碎片角分布.     

16O+115In反应中余核的激发函数

在能量为51—97MeV的¹⁶O离子轰击¹¹⁵In的反应中,采用核化学技术测定了21个反应产物的激发函数,实验结果与复合核统计蒸发模型的Alice程序以及描述复合核统计蜕变过程的Monte-Carlo模拟计算值进行了比较.     

~(12)C离子引起裂变反应的碎片角分布

本工作采用固体核径迹探测器(天然白云母)和金硅面垒型半导体器测量了72.7,69.6,67.4,65.4,63.4和61.4MeV~(12)C离子轰击~(169)Tm,~(175)Lu,~(181)Ta,W,Re,pt,~(197)Au,Pb和~(209)Bi裂变反应的碎片角分布.建立在鞍点模型基础上的裂变碎片角分布理论能够很好地解释碎片角分布实验数据.对于不同的可裂变参数Z~2/A,本工作给出了K_0~2随核激发能E的变化趋势.由碎片角分布各向异性提取的(?)_0/(?)_(eff)值与转动液滴模型的计算值做了比较.     

裂变位垒的角动量效应测量

本工作采用金硅面垒型半导体探测器和天然白云母固体核径迹探测器测量了¹²C+²⁰⁹Bi和¹⁴N+Pb反应的裂变截面σ_f和蒸发余核截面σ_er.由蒸发余核截面提取角动量l_er,基于统计模型导出的裂变宽度与蒸发中子宽度比(Γ_f/Γ_n)_l的表达式计算给定角动量l_er的裂变位垒E_f(l),从实验上研究裂变位垒的角动量效应.     

12C离子引起裂变反应的碎片角分布

本工作采用固体核径迹探测器(天然白云母)和金硅面垒型半导体器测量了72.7,69.6,67.4,65.4,63.4和61.4MeV ¹²C离子轰击¹⁶⁹Tm,¹⁷⁵Lu,¹⁸¹Ta,W,Re,Pt,¹⁹⁷Au,Pb和²⁰⁹Bi裂变反应的碎片角分布.建立在鞍点模型基础上的裂变碎片角分布理论能够很好地解释碎片角分布实验数据.对于不同的可裂变参数Z²/A,本工作给出了K²随核激发能E^*的变化趋势.由碎片角分布各向异性提取的J₀/J_eff值与转动力液滴模型的计算值做了比较.     

12C+209Bi和14N+Pb裂变反应碎片角分布和激发函数测量

本工作采用固体核径迹探测器(天然白云母)和金硅面垒型半导体探测器测量了¹²C+²⁰⁹Bi和¹⁴N+Pb裂变反应的碎片角分布和激发函数.由碎片角分布各向异性提取的鞍点有效转动惯量J₀/J_eff与转动有限力程模型(RFRM)做了比较.用统计蒸发模型计算的裂变激发函数拟合实验数据,研究了裂变位垒的角动量效应.     

35MeV/u 36Ar+112,124Sn反应中中等质量碎片关联函数的入射道依赖

³⁶Ar+^112,124Sn反应中小角关联出射的中等质量碎片(IMF)约化速度关联函数. 结果表明³⁶Ar+¹²⁴Sn反应系统中的约化速度关联函数在小约化速度处的反关联程度比³⁶Ar+¹¹²Sn反应系统中的强, 表现出明显的入射道依赖性. 考察出射粒子对的单核子总动量时, 发现这种差异主要来自于高动量粒子对的贡献. 用三体弹道理论模型MENEKA分别计算了两个系统的IMF发射时标, 在³⁶Ar+¹¹²Sn反应系统中约为150fm/c, 而在³⁶Ar+¹²⁴Sn反应系统中, 约为120fm/c. 同位旋相关的量子分子动力学计算表明, ³⁶Ar+¹²⁴Sn系统中IMF的发射时间谱比³⁶Ar+¹¹²Sn系统略有前移, 相应地, 其中心密度从最高点随时间的下降亦比³⁶Ar+¹¹²Sn系统略快.     

四苯鏻盐离子选择电极的制备并作铌的电位滴定

以四苯鏻过氯酸盐、氟钽酸盐为电活性物质,对六种介体溶剂进行比较,选择苯二甲酸二(2-乙基己)酯研制成四苯鏻盐PVC膜电极,线性响应下限可达5×10~(-8)M.以该电极为指示电极,提出四苯溴化鏻作滴定剂电位滴定铌的新方法。滴定5-10mg铌的变异系数为0.26％,大量Fe、Co、Ni、Al、Cu、Ti、Sn、Ge不干扰,可在硫酸、磷酸、盐酸介质中滴定。应用于超导及磁钢材料中铌的测定,不需分离共存元素,远较重量法简单快速,结果亦良好。