Theoretical Analysis of Characteristics of GaxInl—x NyAsl—y／GaAs Quantum Well Lasers with Different Intermediate Layers

Based on the band anticrossing model, the effects of the strain-compensated layer and the strain-mediated layero n the band structure, gain and differential gain of GalnNAs/GaAs quantum well lasers have been investigated. The results show that the GaNAs barrier has a disadvantage in increasing the density of states in the conduction band. Meanwhile, the multilayer quantum wells need higher transparency carrier density than the GalnNAs/GaAs single quantum well with the same wavelength. However, they help to suppress the degradation of the differential gain. The calculation also shows that from the viewpoint of band structure, the strain-compensated structure and the strain-mediated structure have similar features.     

基于ispPAC的精密放大器的设计

在电路设计中要实现对微弱信号放大、高速信号采集、大功率输出等功能，必须采用模拟电路，但长期以来模拟电路的设计一直存在着处理精度低，设计、调试难度大等缺陷。近年来出现了一类新型集成电路即可编程模拟器件，既属于模拟集成电路，又同可编程逻辑器件一样，通过相应的开发软件可由用户通过现场编程和配置来改变其内部连接和元件参数从而获得所需要的电路功能。现在已有IBM、Motorola、Anadigm、FAS、SIDSA、Lattice等厂商相继推出各具特色的系列可编程模拟器件。     

Bi2Sr2Ca1-xPrxCu2Oy单晶的弛豫谱研究

我们测量了千赫兹范围内超导掺Pr系列的Bi2Sr2Ca1-xPrxCu2Oy单晶从液氮温度至室温的微结构弛豫谱,发现该样品在120K附近存在一个损耗峰P.该峰的强度先随Pr含量x的增加而变大,但到达x～0.11-0.17之间时,出现最大值,而后又随x的增加而减小.这种行为与超导转变温度Tc与x的关系一致,这表明该峰与超导机制密切相关.文中还对该峰的机制进行了讨论.     

激光偏振参量对光场感生电离电子碰撞机制等离子体电离参量的影响

以基于光场感生电离电子碰撞机制的类钯氙系统为例，计算并讨论了不同抽运激光偏振对等离子体的电离速率、阈值激光强度、电子在激光场中的剩余能量、各电荷态相对集居数、初始电子能量分布等电离参量的影响，计算结果表明，在相同的激光功率密度下，激光偏振对类钯氙41.8nm4d^95d^1S0-4d^95p^1P1跃迁的X射线激光放大影响很大，圆偏振激光抽运更有利于类钯氙41.8nm4d^95d^1S0-4d^95p^1P1跃迁的X射线激光放大的实现。     

GaAs／GaInNAsSb超晶格性能的影响

用Keafing的价力场(valence force field)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs／GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变．用折叠谱(foldedspectrummethod)合Williamson经验赝势法计算了GaAs／GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构．讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响．发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元，从而影响了该超晶格的发光性能．计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量．     

类钙钛矿化合物Ca(Mn2 Cu1)Mn4 O12的磁性与磁电阻效应

利用固相反应法制备了名义成分为Ca(Mn2 Cu1 )Mn4 O1 2 的类钙钛矿锰氧化物 .x射线衍射表明 ,为了获得较为致密的样品和减小杂相含量 ,可以采用高温烧结再在 10 73K长时间空气中退火的制备方法 .样品在低温下同时存在铁磁相和反铁磁相 ,由于反铁磁相的存在导致样品在 4 5K时的磁化强度显著降低 ,并在 8T的高磁场下仍未达到饱和 .样品呈半导体导电性质 ,在 85K和 6T磁场下磁电阻比的最大值可达 - 4 6 % .     

一种新颖的用于光腔模式及光束传输模拟的特征向量法

根据有限元法单元划分的思想，提出了一种新颖的模拟光腔模式及光束传输的特征向量法. 该方法的关键之处在于基于衍射积分理论构造了一种新的光束传输矩阵，通过求解特征矩阵方程可一次性得到谐振腔的一系列特征向量，每一列特征向量即代表了腔镜上光场的一个确定模式的振幅及相位分布. 并可采用该方法模拟光场传输到腔内或腔外任意地方的场分布. 该方法将传统方法中大量的迭代过程转化成为本征积分方程特征向量的求解过程，并与初值取值无关，且可一次性求得多个模式分布，从而可方便地分析谐振腔的模式鉴别能力. 特征向量法对圆形镜共焦 关键词： 谐振腔 特征向量法 模式分布     

Q-正则Loewner空间中的拟对称映射

本文在Q-正则Loewner空间中用环模不等式刻划了拟对称映射.另外,在 Q-维Ahlfors-David正则空间中建立了拟对称映射作用下的Grotzsch-Teichmuller型 模不等式,它是通过伸张系数的积分平均来表示.     

Y123体系正常态行为的低温内耗研究

我们用双端振动簧法研究了系列在最佳掺杂区域Sr掺杂的Y(Ba1-xSrx)2Cu3O7-δ(Y123)样品从室温至液氮温区的音频内耗谱.实验观察到未掺杂的Y123在220K附近有一个相变内耗峰(标记为P3),随着Sr含量的增加,P3峰的强度逐渐受到了抑制,而峰位没有系统的变化.我们的结果不支持以前的氧有序无序解释.结合近来在离子沟道实验[1]以及核四极共振,和霍尔系数实验结果,在该温区也观察到转变,我们认为P3与载流子行为的转变有关,而电子与晶格耦合在其中起着重要作用.我们还研究了过掺杂区域P3峰的变化,观察到P3峰的强度向过掺杂区逐渐抑制,这也表明P3峰同超导电性存在内在联系.     

硅基稀土掺杂团簇MSi_7~q(M=Eu,Sm,Yb;q=0,-1)结构预测与光电子能谱研究

采用随机踢球模型结合密度泛函理论,在PBEPBE/RE/SDD/Si/6-311+G(d)水平下研究了中性和阴性的硅基稀土掺杂团簇MSi_7~q(M=Eu,Sm,Yb;q=0,-1)的几何结构、稳定性及电子和磁学性质.计算结果表明,阴性团簇的基态结构是在五角双锥的双锥侧面外法向方向加入一个Si原子而形成的3D结构,并且稀土原子M处于五角双锥的顶点;中性团簇的最低能结构是一个畸变的双帽八面体,并且M原子处于八面体的赤道面上.SmSi_7~-团簇在这3种稀土掺杂的团簇中具有最高的平均结合能和掺杂能,是这3种稀土掺杂团簇中最稳定的一种.Si_7团簇是非磁性团簇,但是当M原子(M=Eu,Sm,Yb)掺入其中时,由于镧系元素独特的原子磁性,使其变成了磁性团簇.此外,还模拟了各团簇前几种低能异构体的光电子能谱.