Sm原子的偶宇称高激发态的光谱研究

采用双色三步激发和光电离过程,对Sm原子的偶宇称高激发态的光谱进行了研究.先采用两条激发路线分别将Sm原子两步共振激发至待测的高激发态,然后利用光电离技术对其进行探测.分别将第一束激光的波长固定在627.50nm和624.41nm上,以便将Sm原子从亚稳态共振激发到由4f⁶6s6p电子组态所构成的两个原子状态上.第二束激光在440-700nm的波段范围内扫描,不仅使Sm原子在30040-38065cm^-1能域内的偶宇称高激发态上布居,将其进一步光电离,测量了其光谱.通过光谱定标和选择定则等分析手段,本工作不仅精确获得了136个态的能级位置,而且也唯一确定了其总角动量,并且给出了相关跃迁的相对谱线强度.     

Measurement of Mg Content in Zn1-xMgxO Films by Electron Probe Microanalysis

Zn1-xMgxO films are grown on A-sapphire substrates by molecular beam epitaxy, and Mg content in the Zn1-xMgxO films is measured by electron probe microanalysis （EPMA） when the acceleration voltage, the emission current, and the magnification are set to be 1 k V, 30 μA and 1000, respectively. The dead time is controlled within 17%-20% during the measurement with the receive angle of characteristic x-ray of 45°. The Mg content of the ZnMgO film is calculated by the low energy calibration and the ZAF calibration. By comparing the measurement result with the theoretical analysis and the EPMA result with the inductively coupled plasma （ICP）, one can obtain that the measured value of Mg content of the samples is in good agreement with the theoretical analysis no matter whether the phase separation exists or not, and the correctness of ICP and EPMA is valid when Mg content in the samples is less than 0.5.     

MBE生长的垂直堆垛InAs量子点及HFET存储器件的应用

用MBE设备以Stranski-Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点，在生长过程中通过对量子点形状，尺寸的控制来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性，用原子力显微镜（AFM）进行表面形貌的表征，并利用光致发光（PL）和深能级瞬态谱（DLTS）对InAs量子点进行观测。所用Al0.5Ga0.5As势垒外延层，对镶嵌在其中的InAs量子占粗很强的量子限制作用，并产生强量子限制效应，可以把InAs量子点的电子和空穴能级的热激发当作“深能级”的热激发来研究，这样可用DLTS方法进行测量，在垂直堆垛的InAs量子点的HFET器件中，由充电和放电过程的IDS－VGS曲线可以看到阈值电压有非常大的移动，这样便产生存储效应。     

全光纤Mach-Zehnder干涉仪及其在光纤自发布里渊散射测量中的应用

从理论上分析了全光纤Mach-Zehnder干涉仪的分光原理,并将所研制的全光纤单通Mach-Zehnder干涉仪和双通Mach-Zehnder干涉仪应用于自发布里渊散射光谱的测量,实现了色散位移光纤中自发布里渊散射与瑞利散射的有效分离.     

光纤传感器技术动向 消除因光强变化引起的误差

1.前言光纤好比电线,但与电线不同,纤维的弯曲损耗和与光学元件的耦合系数对外部刺激很敏感,被传递的光强容易变化,因此在组成光纤传感器时,这是应注意的问题。为了实现具有可靠性的光纤传感器,必须采取相应的措施。本文介绍了减少和消除因光强变化引起的测量误差的有关最新研究动向。     

分子束外延法在Sapphire衬底上生长的Zn1－xMgxO薄膜折射率及厚度的测试

利用偏振光椭圆率测量仪对分子束外延(MBE)法在Sapphire衬底上生长的Zn_1-xMg_xO 薄膜的薄膜折射率和厚度进行了测试. 结合ICP法测得的薄膜中的Mg组成量，经数值拟合，导出表征薄膜厚度与薄膜生长条件、薄膜折射率与薄膜中的Mg组成量之间关系的曲线，为MBE法在Sapphire衬底上生长Zn_1-xMg_xO 薄膜时控制薄膜厚度以及在制作Zn_1-xMg_xO 薄膜的波导时控制薄膜的折射率提供了理论依据. 关键词： ZnMgO薄膜 偏振光椭圆率测量仪 折射率 分子束外延(MBE)     

溶剂效应与海藻酸钠溶液溶胶-凝胶相转移

以溶质、溶剂间的协同作用作为高分子电解质体系的凝胶化条件，以松软粒子结构（Blob）间的三维修滤过程作为体系的凝胶化模型，从而将高分子电解质体系的凝胶化分为松软粒子的形成和渗滤过程．结合不同浓度海藻酸钠溶液的Ca2＋离子深加体系的凝胶化，分析了高分子电解质溶胶-凝胶相转移的实质，得到了体系相对粘度的临界指数k＝0．90～0．97和相转移的临界点fc与聚合物浓度间的幂次关系fc～c-0.65，明确了临界点附近相对粘度的幂次公式ηrel∝（fc-f）-k的适用范围．     

P波作用下饱和土中深埋圆形复合式衬砌隧道动应力响应研究

采用波函数展开法,推导出了平面P波入射下饱和土中深埋圆形双层衬砌动应力集中问题的解析解,并将该解退化为弹性介质中双层衬砌对平面P波散射的稳态解,验证了计算结果的正确性。研究结果表明,饱和土中双层衬砌的内边界动应力集中系数值大于外边界;外侧衬砌及内侧衬砌弹性模量对衬砌的动应力集中系数影响较大,在保证外侧衬砌稳定性较好的条件下,内侧衬砌尽可能选择刚度较小的材料;增加外侧衬砌及内侧衬砌的厚度可明显地减小衬砌内的动应力集中系数。     

千层塔提取物废液中3,4-二羟基肉桂酸和3,4-二甲氧基肉桂酸的提取

利用高速逆流色谱(HSCCC)对千层塔提取物废液中含量较高的2个同系物进行初步纯化分离, 再利用高效液相色谱(HPLC)对收集到的样品进行同系物分离, 得到8mg化合物A, 7mg化合物B, 纯度均在95%以上. 经核磁共振仪(NMR)鉴定2个组分的化学结构, 结果证明, 千层塔提取物废液所含的主要成分即2个同系物分别为3,4-二羟基肉桂酸和3,4-二甲氧基肉桂酸. 结论也同时证实高速逆流色谱与高效液相色谱联用能够有效分离样品所含同系物, 且工业提取千层塔有效成分后的废液中仍含有价值物质.