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Composite materials with interpenetrating network structures usually exhibit unexpected merit due to the cooperative interaction. Locally resonant phononic crystals (LRPC) exhibit excellent sound attenuation performance based on a periodical arrangement of sound wave scatters. Inspired by the interpenetrating network structure and the LRPC concept, we develop a locally network anechoic coating (LNAC) that can achieve a wide band of underwater strong acoustic absorption. The experimental results show that the LNAC possesses an excellent underwater acoustic absorbing capacity in a wide frequency range. Moreover, in order to investigate the impact of the interpenetrating network structure, we fabricate a faultage structure sample and the network is disconnected by hard polyurethane (PU). The experimental comparison between the LNAC and the fanltage structure sample shows that the interpenetrating network structure of the LNAC plays an important role in achieving a wide band strong acoustic absorption. 相似文献
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基于熔融拉锥技术研制的3 dB宽带耦合器的光纤环形镜的工作原理,提出了一种新型的具有有源闭合腔装置的光纤光栅传感系统。在用作闭合共振腔端镜的环形镜中写入十个波分复用光纤光栅传感元,利用共振腔中接入的法布里-珀罗滤波器,通过控制电压对传感光栅的波长扫描,实现对传感地址的查询。用非平衡的迈克耳孙扫描干涉仪将传感光栅的波长漂移信息变为相移信息,实现传感信号的解调。系统传感灵敏度的实验值为1.5835°/10-6ε,与理论值(1.6662°/10-6ε)基本吻合。 相似文献
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Improved Programming Efficiency through Additional Boron Implantation at the Active Area Edge in 90nm Localized Charge-Trapping Non-volatile Memory 下载免费PDF全文
XU Yue YAN Feng CHEN Dun-Jun SHI Yi WANG Yong-Gang LI Zhi-Guo YANG Fan WANG Jos-Hua LIN Peter CHANG Jian-Guang 《中国物理快报》2010,27(6):164-166
As the scaling-down of non-volatile memory (NVM) cells continues, the impact of shallow trench isolation (STI) on NVM cells becomes more severe. It has been observed in the 90nm localized charge-trapping non-volatile memory (NROMTM) that the programming efficiency of edge cells adjacent to STI is remarkably lower than that of other cells when channel hot electron injection is applied. Boron segregation is found to be mainly responsible for the low programming efficiency of edge cells. Meanwhile, an additional boron implantation of 10°tilt at the active area edge as a new solution to solve this problem is developed. 相似文献
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