Quantum State Transfer between Two Distant Atoms by Connecting Two Cavities via Optical Fibres

A scheme is proposed to unconditionally implement state transfer between two distant atoms by sending the atoms across two distant cavities connected via an optical fibre, respectively. The field state, which preserves the information about the first atom, is transmitted from one cavity to the other along the fibre. A Faraday rotator integrated in the fibre can be designed to completely stop the fields reflected from the second cavity, thus after the field interacts with the second atom for a defined time, the state transfer can be accomplished with unit efficiency.     

关于有界域的逆紧映照

本文对近20年来多复变函数的一个发展迅速的数学热门分支－逆紧映照作了一个回顾和整理。这是作者继续从事此方向研究的先声，也希望本文能为有志于此的研究者提供一些便利。本文从经典的结果开始，通过对逆紧映照在边界上的开拓及分支点的分布的讨论，详细地阐述了这些年来关于逆紧映照何时成为双全纯映照的若干结果。最后，对近年来关于逆紧映照另外的一些工作进行了简单的介绍。     

厄米—双曲余弦—光斯光束的瞄准稳定性

用失调叠加积分的方法，对厄米－双曲余弦－高斯光束的瞄准稳定性作了研究，得到了厄米－双曲余弦－高斯光束失调因子|ηm|^2的精确解析公式和近似解析公式，并用数值计算了相对横向偏移和相对角向偏移对失调因子|ηm|^2的影响以及对精确解析公式和近似解析公式的适用范围作了分析和说明。     

三甲基硅、三甲基锗和三甲基锡取代的一系列芘衍生物的紫外吸收和荧光性质

被三甲基硅(Me3Si-)、三甲基锗(Me3Ge-)和三甲基锡(Me3Sn-)取代的芘衍生的紫外吸收波长和未取代的芘相比较,波长红移.一,二,三,四取代三甲基硅芘最大吸收波长红移小于10nm.荧光强度和周期按Me3SiAr＞Me3GeAr＞Me3SnAr顺序减弱.1,3,6,8-四-三甲基硅芘的荧光强度在一系列芘衍生物中是最大的.     

过氧聚钨酸薄膜上光栅的制备

用过氧聚钨酸（PPTA）水溶液，通过离心涂膜法在显微镜载玻片上制备了具有光滑表面且厚度为100nm的PPTA薄膜，利用PPTA薄膜在紫外光照下可研制光栅以及其它光学元件的薄膜材料，具有很高的利用价值。     

类氢类氦类锂镁离子双电子复合的旁观电子角动量研究

类氢类氦类锂镁离子经中间双激发态进行的双电子复合过程在研究惯性约束聚变电子温度中占有很重要的地位.用准相对论方法计算了双电子复合经不同Rydberg态跃迁通道的复合速率系数,并给出不同离化度离子的双电子复合速率系数随电子温度的变化规律.显示出离子的相关能对峰值的电子温度有很大影响,当类氢离子跃迁通道的旁观电子角动量为1时双电子复合系数最大,而类锂离子是旁观电子角动量为3时最大. 关键词： 双电子复合 镁离子 角动量     

NO-2-I-体系双波长紫外分光光度法测定痕量亚硝酸根

在稀盐酸介质中,亚硝酸根氧化碘化钾的反应产物I-3在288nm和352nm处有两个强吸收峰.基于此建立了双波长紫外分光光度法测定痕量NO-2的新方法.该法简便、快速、选择性好,线性范围为0-0.4μg/mL,检出限为3.4×10-9g/mL.用于河水、井水、矿泉水中亚硝酸根的测定,结果令人满意.     

Au-Zn,TiPdAu电极对InGaAsP/InP双异质结发光管可靠性影响的研究

本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉,采用In焊料,研究了器件的可靠性问题,在室温大气气氛中;70℃存储,70～80℃带电老化,三种条件下长时间考核结果表明:器件的I-V特性正常,末见正向压降明显变化。还比较了Au-Zn材料作p面电极用TiPdAu作肖脱基势垒限制层制成的器件和用TiPdAu作电极材料制成的深Zn扩散型器件在老化过程中的特性变化,后二种结构的器件,在长期老化过程中,有源区中有大面积DSD生长和增殖。     

Interferences in Photodetachment of a Negative Molecular Ion

The photodetachment of a negative molecular ion is studied theoretically using a two-center model. The detached electron wave function is obtained as a superposition of two coherent waves originating from each center. The photo-detached electron flux is evaluated on a screen placed at a large distance from the negative molecular ion. The electron flux on the screen displays strong interferences, the peak positions are related to the distance between the two centers in the negative molecular ion. We a/so obtained a simple analytical formula for the total photodetachment cross section. It approaches one and two times of the cross section for the one-center system in the high and lowphoton energy limits respectively.