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51.
氨基多羧酸类配合物的配位数和结构不但与金属离子的半径、电荷和电子结构有关,而且还与氨基多羧酸类配体的形状和大小有关。本文报道了Na2[FeⅢ(ida)2]2·3H2O(ida=亚氨基二乙酸根)配合物的合成并测定了它的分子结构和晶体结构。具体结果如下:单斜晶系,P21/c空间群,a=15.6480(10),b=16.7870(10),c=10.347(2),β=90.790(10)°,V=2717.7(6)3,单位晶胞中的分子数为3,对于4789个独立的衍射点,它的R值为0.0333。其中两个配合物离子[FeⅢ(ida)2]-都是N和N顺位的变形八面体结构。由此可知具有对称电子结构(high-spind5)的FeⅢ与被看成是edta(=乙二胺四乙酸根)去掉了CH2-CH2的双ida配体形成的配合物只能选择六配位八面体结构。 相似文献
52.
用三弧Czochralski法和真空电弧熔炼法制备了Ho2Co17-xSix化合物.通过X射线衍射和磁性测量手段研究了化合物的结构与内禀磁性.重点讨论了磁晶各向异性和自旋重取向转变.实验结果表明,Ho2Co17为Th2Ni17型六角结构,在0.5≤x≤3的化合物均为Th2Zn17型菱方结构,能够获得单相2:17型化合物的最大Si含量是x=3.在x≤2的浓度范围,化合物的易磁化方向垂直于c轴.随Si含量增加,化合物的居里温度和Co原子平均磁矩单调减少.根据Ho2Co17-xSix化合物的居里温度和自旋重取向温度,获得了磁相图.根据热磁曲线,确定了温度补偿点.在Ho2Co17化合物中观察到了在1005 K发生自旋重取向转变. 相似文献
53.
线接触弹性接触变形的解析算法 总被引:14,自引:1,他引:13
以一般光滑性体接触理论为基础,结合有限长弹性体接触的特点,求出线接触弹性接蟹变形的解析公式,并发现其解析解与数值解具有很好的一致性,所得公式可以对赫兹线接触理论加以补充,与经验公式相比,它能够确切反映材料、载荷以及曲率半径等对接触变形的影响,为工程中的精确计算提供了方便。 相似文献
54.
55.
56.
介绍了N辛基N‘-(氨基对苯磺酸钠)硫脲(OPT)的合成上,紫外和元素分析等方法测试,确定了其组成和结构。并了该试剂与钯(Ⅱ)的元素分析等方法测试,确定了其组成和结构。并研究了该试剂与钯(Ⅱ)的显色反应;从而建立了光度法测定微量钯的新方法,在PH4.0-5.5的HAc-NaAc缓冲体系中,Pd^2+和OPT可形成一种稳定的1:4的黄色水溶性配合物,配合了大吸收波长位于302.4nm处,表观摩尔吸光 相似文献
57.
茂金属催化剂的负载化 总被引:4,自引:0,他引:4
负载化是茂金属催化剂发展的一个新方向。本文系统地描述了茂金属负载化催化剂的主要制备方法;分析了活性中心的本质、结构以及生成机理;并且讨论了负载化对茂金属催化剂烯烃聚合性能的影响。 相似文献
58.
窄线宽激光由于其具有单色性好、稳定度高、相干长度长等优点,广泛应用于光电检测领域,包括相干通信、精密测量、光学频率标准、吸收光谱计量以及光与物质相互作用研究等。目前频率稳定的氦氖激光器线宽可以达到MHz量级,分布反馈式(DFB)光纤激光器线宽可达kHz量级,DFB半导体激光器线宽可以达到MHz量级,然而光栅反馈半导体激光器可以实现百kHz量级线宽的输出。为了进一步压窄各类激光器线宽,需要通过反馈控制技术来锁定激光到某一频率参考。该研究将自行设计的超稳腔作为频率参考,实现了632.8 nm外腔半导体激光器(ECDL)线宽的有效压窄。本窄线宽激光产生系统的研制包括超稳腔设计、光路设计、ECDL频率控制以及系统集成。超稳腔采用两镜法布里-珀罗腔(F-P腔)结构,腔体是膨胀系数约为10-6 K-1的微晶玻璃,腔镜为一对反射率达99.988 5%(±0.003 5%)的平面镜和凹面镜。为进一步减小外界环境对F-P腔腔长的影响,需要对腔体进行温度控制,本系统采用四片总功率为96 W的半导体制冷片以及水冷散热设计。同时为了降低声音和空气流动对腔模频率的影响,将F-P腔置于真空度为10-5 torr的真空室中;另外为了有效隔振,腔体与真空室用硅橡胶材料隔离。该系统采用的ECDL为德国Toptica公司的DL pro系列激光器,其具有压电陶瓷(PZT)和电流调制两个频率控制端,响应带宽分别为1 kHz和100 MHz。激光器的频率控制采用了Pound-Drever-Hall (PDH)锁频技术,18 MHz的调制频率加载到激光器的电流调制端,通过对F-P腔的反射信号进行解调获得误差信号,通过两路反馈控制,实现了近1 MHz的锁定带宽。通过对系统的不断优化,最后将自由运转状态下约300 kHz的激光线宽压窄到了10 kHz量级,并且系统运行稳定,连续12小时锁定的频率漂移量约为30 MHz。该研究研制的632.8 nm窄线宽激光源不仅可以应用到吸收光谱计量领域,同时也可以在光学面型精密测量领域发挥重要作用。 相似文献
59.
Space-graded silicon solar cells are evaluated by 1 MeV and 2 MeV electron-irradiation. The mean degradation of the maximum power (Pmax) is presented and analyzed. The degradation at both electron energies has been correlated with the displacement damage dose (Dd). A good linearity between the electron Dd and the mean Pmax degradation is obtained. The concept of Dd has also been used to predict the Si solar cell response in a low-earth-orbit (Altitude 799 km, Inclination 99o) radiation environment, considering the shielded effect of a 120 μ m-thick silica coverglass on reducing the radiation. Compared with the on-orbit data from a Si solar array of a Chinese satellite (duration from April 2007 to July 2010), a good match can be found between the on-orbit data and the predicted results using Dd methodology, indicating the method is appropriate for evaluating the radiation damage of the solar cells, and also to provide a new technique for studying radiation effects on the optoelectronic detectors used in many high energy physics applications, where harsh radiation environments produce damage in optoelectronic device materials. 相似文献
60.