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51.
于中温水热条件下合成出一种三维亚磷酸铁(H3O)2·[FeⅡ5(HPO3)6], 并对其进行了单晶解析、热重及磁性等系列表征. 晶体属三方(Trigonal)晶系, P3c1空间群, a=1.026 9(5) nm, b=1.026 9(5) nm, c=0.929 5(6) nm, Z=2. 化合物中心铁原子采取略变形八面体构型, 与亚磷酸根假四面体连接形成三维骨架结构, 沿c轴方向有一六元环孔道.  相似文献   
52.
在温和水热体系中合成出单相水合石榴石Sr3Fe2(OH)12.产物在573K左右经历快速的与Sr最近邻的OH-断裂与分解过程,在空气或氧气中焙烧出现从Fe(Ⅲ)到Fe(Ⅳ)的氧化.骨架Fe离子价态变化直接决定分解过程及产物的结构类型.采用Mossbauer谱联用XPS法测出Sr-Fe水合石榴石晶格中存在2种八面体Fe(OH)6.  相似文献   
53.
在Na_2O-CaO(MgO)-Al_2O_3-B_2O_3-R-H_2O体系中用水热法合成了2种新型的微孔硼铝酸盐。XRD、IR和XPS分析表明,它们具有新的骨架结构。在一定温度下脱除结构中的游离水及其它分子后,所得产物表现出特征的分子筛吸附性能。吸附性能的测定结果及孔径分布的计算表明,其孔径大小在5~6之间。  相似文献   
54.
在溶剂热条件下, 以原位反应为基础合成了两个碘化物(C6H8N3)+I3-(1, C6H8N3=2,3-dihydroimi-dazo[1,2-a]pyrimidin-1-ium, 2,3-二氢咪唑[1,2-α]-嘧啶鎓阳离子)和[(Cu3I4)(C8H17N2)](2, C8H17N2=N-ethyl-4-aza-1-azonia-bicyclo[2.2.2]octane, N-乙基三乙烯二铵阳离子). 用元素分析、粉末X射线衍射及单晶X射线衍射等对化合物进行了表征. 结果表明, 化合物1属于三斜晶系, P1空间群, a=0.74281(15) nm, b=0.84241(17) nm, c=0.9993(2) nm, α=82.02(3)°, β=83.30(3)°, γ=82.92(3)°, V=0.6114(2) nm3. 化合物2属于单斜晶系, P21/c空间群, a=0.68924(14) nm, b=1.0786(2) nm, c=2.2779(5) nm, β=94.84(3)°, V=1.6874(6) nm3. 在两个化合物合成中存在两种不同类型的配体原位合成反应, 即化合物1的2-氨基嘧啶和乙醇的成环反应与化合物2的三乙烯二胺和乙醇的烷基化反应.  相似文献   
55.
通过水热合成得到石榴石型铁氧体材料Nd3-xSrxFe5O12(x=0.2,0.4,0.6,0.8),经X射线粉末衍射分析确定样品属于立方晶系,Ia3d空间群,晶格常数a>1.2600 nm.Mssbauer谱数据显示Sr2+离子和Nd3+离子共同占据十二面体C位,晶格中有少量Fe4+离子生成.通过扫描电子显微镜观察到样品晶粒为菱形十二面体.高温M-T曲线和磁滞回线表明,4个样品的居里温度均在570 K左右,不因Sr2+离子含量不同而改变;但是随着Sr2+离子在晶格中含量的增加,样品的饱和磁化强度(Ms)下降,矫顽力(Hc)增大.  相似文献   
56.
化学的黄金时代   总被引:8,自引:0,他引:8  
化学的黄金时代到2023年,即美国《化学与工程新闻》(C&EN)创刊100周年时,化学将会是怎样的呢?什么样的研究将主宰《美国化学会志》(JACS)?JACS及其它杂志是否会通过电子媒介广泛传播?哪里是从事化学研究的最佳场所,是大学里传统的化学系,还...  相似文献   
57.
用脉冲激光沉积方法制备非晶La_(0.75)Sr_(0.25)MnO_3(a-LSMO)薄膜作为阻变器件(Ag/a-LSMO/ITO)的中间层,所得器件具有良好的非易失性和双极阻变行为。ITO衬底及超薄a-LSMO薄膜具有很高的可见光透过率,从而可制备半透明阻变器件。通过高分辨透射电镜直接观测到了在银电极与ITO电极间的银导电细丝。器件的阻变特性归因于在非晶镧锶锰氧层中的银导电细丝的生长与断裂。  相似文献   
58.
利用水热反应模拟原始地球的水热环境, 以甘油和磷酸二氢铵为原料, 采用非生物手段合成了sn-甘油-1(3)-磷酸和甘油-2-磷酸2种磷酸酯类物质. 通过此反应, 无机磷进入生物分子形成了在生物体中起重要作用C—O—P键. 研究了反应温度、 反应时间及矿物催化剂对反应的影响. 在蒙脱土的催化下, C—O—P键的产率最大可达到1.15%(摩尔分数).  相似文献   
59.
简要阐述了恒压相图的边界理论及其在许多方面的应用。可供与相平衡和相图有关课程的教师和学生参考。  相似文献   
60.
缺陷调控是固体化学中的基本问题,也是决定材料性能的核心要素。基于缺陷调控的忆阻效应将给未来电子信息领域带来全新的变革。本文综述了无机固体材料中忆阻效应的研究进展,主要总结了忆阻效应的产生机制和忆阻材料的类型,结合原子级p-n结的相关工作,提出深入明确电场下缺陷迁移机制将是从无机固体化学角度研究忆阻效应的重要方向。  相似文献   
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