Universal order-parameter and quantum phase transition for two-dimensional q-state quantum Potts model

We investigate quantum phase transitions for q-state quantum Potts models (q=2,3,4) on a square lattice and for the Ising model on a honeycomb lattice by using the infinite projected entangled-pair state algorithm with a simplified updating scheme. We extend the universal order parameter to a two-dimensional lattice system, which allows us to explore quantum phase transitions with symmetry-broken order for any translation-invariant quantum lattice system of the symmetry group G. The universal order parameter is zero in the symmetric phase, and it ranges from zero to unity in the symmetry-broken phase. The ground-state fidelity per lattice site is computed, and a pinch point is identified on the fidelity surface near the critical point. The results offer another example highlighting the connection between (i) critical points for a quantum many-body system undergoing a quantum phase-transition and (ii) pinch points on a fidelity surface. In addition, we discuss three quantum coherence measures: the quantum Jensen-Shannon divergence, the relative entropy of coherence, and the l₁ norm of coherence, which are singular at the critical point, thereby identifying quantum phase transitions.     

N,N(-双(邻甲苯基)-3,6-二甲基-1,4-二氢-S-四嗪-1,4-二甲酰胺的晶体结构

邻甲苯基异腈酸酯与3,6-二甲基-1,6-二氢-S-四嗪在催化剂4-二甲胺基吡啶存在下反应,生成标题化合物( C20H22N6O2, Mr = 378.43 )。经X-射线单晶结构分析表明此晶体属单斜晶系,P21/c空间群,a = 11.151(4),b = 15.318(2),c = 11.352(2)?,β=103.85(2)°,V = 1882.7? 3,Z = 4,μ= 0.093mm-1,Dc = 1.413g/cm3,F(000) = 800。结果表明,该化合物的两个酰胺基处于S-四嗪环的1,4位,而四嗪环本身呈船式构象。     

(HAlNH)n(n=1～6)簇的结构、红外光谱和热力学性质的研究

用自洽场理论(HF)和密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,在6-31G水平上研究了HAlNH的低聚物(HAlNH)~n(n=1～6)簇的几何构型、电子结构、红外光谱和化学热力学性质,并比较了(HAlNH)~n和(ClAlNH)~n两种低聚物对应结构中化学键强弱,分析了引起(AlN)~n骨架结构发生变化的原因。结果表明,(HAlNH)~n簇的基态结构为C~s(n=1),D~2~h(n=2),D~3~h(n=3),T~d(n=4),C~s(n=5)和D~3~d(n=6)对称点群。HAlNH基态结构中,Al-N键是三重键。在D~2~h(n=2)和D~3~h(n=3)结构中,所有Al-N键均为二重键。在T~d(n=4)和D~3~d(n=6)中,Al-N键为正常单键,而在C~s(n=5)结构中含有三种Al-N键：单键、双键和混合键。振动频率计算表明,结构a～f均为基态稳定结构。热力学计算给出的稳定性顺序为：f>d>e>c>b>a。     

(HAINH)_n(n=1～6)簇的结构、红外光谱和热力学性质的研究

用自洽场理论(HF)和密度泛函理论(DET)的B3LYP方法,在6-31G~μ水平上研究了HAINH的低聚物(HAINH)_n(n=1～6)簇的几何构型、电子结构、红外光谱和化学热力学性质,并比较了(HAINH)_n和(CIAINH)_n两种低聚物对应结构中化学键强弱,分析了引起(AIN)_n骨架结构发生变化的原因.结果表明,(HAINH)_n簇的基态结构为C_8(n=1),D_(2h)(n=2),D_(3h)(n=3),T_d(n=4),C_s(n=5)和D_(3d)(n=6)对称点群.HAINH基态结构中,AI-N键是三重键.在D_(2h)(n=2)和D_(3h)(n=3)结构中,所有AI-N键均为二重键.在Td(n=4)和D_(3d)(n=6)中,AI-N键为正常单键,而在C_s(n=5)结构中含有三种AI-N键:单键、双键和混合键.振动频率计算表明,结构a～f均为基态稳定结构.热力学计算给出的稳定性顺序为:f>d>e>c>b>a.     

Diffeological空间范畴中光滑映射的分解

本文研究了diffeological空间范畴中光滑映射的分解问题.利用经典同伦论中映射分解的方法,获得了任何一个光滑映射都可以分解为一个光滑同伦等价和光滑纤维化或光滑上纤维化的复合的结果,推广了拓扑空间范畴中的相关结果.     

ZnO薄膜的分子束外延生长及性能

利用分子束外延(MBE)和氧等离子体源辅助MBE方法分别在Si(100)、GaAs(100)和蓝宝石Al2O3(0001)衬底上用Zn、ZnS或以一定Zn-O化学计量比作缓冲层,改变衬底生长温度和氧压,并在氧气氛下,进行原位退火处理,得到ZnO薄膜。依据X射线衍射(XRD)图,表明样品的结晶性能尚好,且呈c轴择优取向;实验结果表明在不同衬底上生长的ZnO薄膜,由于晶格失配度不同,其衍射峰也有区别。用原子力显微镜(AFM)观测薄膜的表面形貌,为晶粒尺寸约几十纳米的ZnO纳米晶,且ZnO晶粒呈六边形柱状垂直于衬底的表面。采用掠入射X射线反射率法测膜厚。在360nm激发下,样品的发光光谱是峰值为410,510nm的双峰谱,是与样品表面氧缺陷有关的深能级发光。     

纪念牛顿《原理》出版三百周年暨学术讨论会在京召开

牛顿不仅是一位伟大的物理学家、数学家,而且在力学、光学、化学、天文学、技术、经济和哲学等十多个领域均有建树。他不愧为十七世纪最伟大的科学家和哲学家,是世界科学史上的一位巨人。牛顿的《自然哲     

A Two-Photon Femtosecond Laser System for Three-Dimensional Microfabrication and Data Storage

Utilizing the well-focused femtosecond laser with extreme high pulse intensity, we built a two-photon micro-fabrication and data storage system, which was introduced through several functional parts. Based on this homemade system, several three-dimensional microstructures were fabricated by two-photon polymerization, and three-dimensional data storage of six-layers was achieved by two-photon excitation with a photochromic material.     

Zn,Cr∶LiNbO3单晶的坩埚下降法生长及其荧光光谱

通过选择合适的化学原料（Li2O∶48.6mol%, Nb2O5∶51.4mol%）、控制生长速度（<3 mm/h）及固液界面的温度梯度（20~40℃/cm）与温场，用坩埚下降法成功地生长出了Zn、Cr双掺杂初始浓度分别为3 mol%、0.1 mol%,以及6 mol%、0.1 mol%的大尺寸铌酸锂晶体.生长的晶体无宏观缺陷,在He-Ne激光的照射下，无散射中心.测定了晶体的宽带荧光光谱（700~1200nm）及R带（710~740nm）的精细变温光谱.这些R带的光谱线由Cr离子所取代的Li(Cr3+Li)与Nb(Cr3+Nb)的发光中心以及声子辅助吸收所致.     

ICP与吸收光谱测定LiNbO3, Zn:LiNbO3晶体中Cr3+离子的分布及有效分凝系数

应用坩埚下降法生长了掺杂Cr与双掺杂Cr，Zn的LiNbO3晶体。测定了掺杂晶体不同部位的吸收系数。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法测定了Cr离子在LN晶体中的浓度，并计算了Cr离子在LiNbO3晶体中的有效分凝系数。研究结果表明：在单掺杂Cr的LiNbO3晶体中，随着Cr^3 掺杂浓度从0．1增加到0．5mol％时，其有效分凝系数从3．75减少到2．49，Cr^3 离子在晶体中的浓度分布差异逐步减少；ZnO的掺入能有效地减少Cr^3 的分凝系数，然而ZnO掺杂浓度从3增加到6mol％时，其有效分凝系数且从1．85增加到2．25。可从ZnO组分对Cr离子的排斥作用及Zn离子在LN晶体中随掺杂数量变化的分凝现象解释了产生Cr离子浓度及有效分凝系数变化的原因。