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Con(n=2~10)团簇的结构和磁性 总被引:2,自引:0,他引:2
采用密度泛函理论中的局域自旋密度近似(LSDA)和广义梯度近似(GGA)对Con(n=2~10)团簇的几何构型进行优化,并对能量、频率和磁性进行了计算,两种方法确定的基态构型完全一致,并从平均键长、平均配位数和对称性对磁性的影响进行了理论探讨.研究表明, Con(n=2~10)基态团簇的磁性在n=2~4时主要受平均键长的影响,在n=5~9时主要受平均配位数的影响,在n=10时受原子间距和平均配位数的相互影响,最终导致与Co8基态团簇具有相同的磁性.基态团簇在Co5和Co9出现了磁性局域最小点. 相似文献
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Si_2C_(m-2)(m=4~15)团簇的结构与稳定性 总被引:1,自引:0,他引:1
用密度泛函理论(DFT)的B3LYP/6-31G*方法, 对Si2Cm-2(m = 4~15)团簇的几何构型、电子结构、振动频率等性质进行了研究, 讨论了化学键的特征和热力学稳定性, 比较了Si2Cm-2团中环状和线状结构的差异。结果表明, m = 4~13的团簇为线状结构, m=14~15的团簇为环状结构。在线状结构中, 随着m增大, 自旋多重度出现1、3交替变化, 并且Si原子倾向于在C链端部成键;环状结构中, C原子形成环状, 2个Si原子处于椭圆环状构型的两端。m 为奇数的Si2Cm-2团簇比m为偶数的更为稳定。 相似文献
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用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法, 在6-31G*水平上, 对(AIN)+n和(AIN)-n(n = 1~15) 团簇的几何构型、红外光谱和热力学稳定性进行了研究, 并对它们的电离能及电子亲和能进行了讨论. 结果表明: (AIN)n团簇的电荷状态对簇合物的结构有较大影响, 随着n的增大影响逐渐减小; 所有平衡结构中不存在Al-Al和N-N键, Al-N键是惟一键型;(AIN)+n和(AIN)-n结构稳定性幻数与(AIN)n相同, 即n = 2, 4, 6, …等偶数结构较为稳定; (AlN)10团簇具有最大的电离能(IP = 9.14 eV)和最小的电子亲和能(EA = 0.19 eV), 较其他团簇更稳定. 相似文献
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用从头计算分子轨道法和密度泛函理论 ,在HF/6 31G 和B3LYP/6 31G 水平上对ClnAlNHn 和HnAlNHn(n =1~ 3)及其碎片分子的几何构型、电子结构、振动光谱和化学热力学性质进行了理论研究。结果表明 ,优化几何参数与实验值相吻合。Cl2 AlNH2 和H2 AlNH2 分子中 ,Al-N键为由一个σ键和一个π键组成的双重键 ,旋转势垒分别为 34.10和 5 4 .35kJ·mol- 1。而Cl3AlNH3和H3AlNH3分子中 ,Al-N键为σ型单键 ,对应的旋转势垒为 0 .31和 2 .5 0kJ·mol- 1,有较小的势垒 ,易于旋转。化学热力学计算表明 ,ClnAlNHn 和HnAlNHn 分子中 ,Al-N键能的大小顺序为△Hn =2>△Hn =1>△Hn =3. 相似文献
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氮化铝薄膜的组成分析 总被引:2,自引:0,他引:2
Al N是一种无机非铁性压电材料 ,具有宽的带隙、高的电阻率、高的抗击穿电压、高的声传播速率和低的传输损耗 ,在微电子器件中有着广泛的应用前景 [1] .由于 Al N薄膜的声速在整个无机非铁性材料中最高 ,因而成为 GHz级声表面波器件的首选材料 [2 ] .要实现 Al N薄膜的表面声波器件应用 ,不但结构重要 [1] ,组成也很重要 [3] ,因为薄膜的组成对其性质影响很大 .Al N压电薄膜要求整个膜层的 Al/N比一致 .富 Al会使薄膜介电性能变差 ,富 N会使薄膜结构致密度变差 .因而对其组成研究是非常重要的 .Penza等 [3] 采用X射线光电子能谱 ( X… 相似文献
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用自洽场理论(HF)和密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,在6-31G水平上研究了HAlNH的低聚物(HAlNH)~n(n=1~6)簇的几何构型、电子结构、红外光谱和化学热力学性质,并比较了(HAlNH)~n和(ClAlNH)~n两种低聚物对应结构中化学键强弱,分析了引起(AlN)~n骨架结构发生变化的原因。结果表明,(HAlNH)~n簇的基态结构为C~s(n=1),D~2~h(n=2),D~3~h(n=3),T~d(n=4),C~s(n=5)和D~3~d(n=6)对称点群。HAlNH基态结构中,Al-N键是三重键。在D~2~h(n=2)和D~3~h(n=3)结构中,所有Al-N键均为二重键。在T~d(n=4)和D~3~d(n=6)中,Al-N键为正常单键,而在C~s(n=5)结构中含有三种Al-N键:单键、双键和混合键。振动频率计算表明,结构a~f均为基态稳定结构。热力学计算给出的稳定性顺序为:f>d>e>c>b>a。 相似文献
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The van der Waals heterojunctions,stacking of different two-dimensional materials,have opened unprecedented opportunities to explore new physics and device concepts.Here,combining the density functional theory with non-equilibrium Green’s function technique,we systematically investigate the spin-polarized transport properties of van der Waals magnetic tunnel junctions (MTJs),Cu/MnBi2Te4/MnBi2Te4/Cu and Cu/MnBi2Te4/hBN/n·MnBi2... 相似文献