B$lt;sub$gt;$lt;i$gt;n$lt;/i$gt;$lt;/sub$gt;($lt;i$gt;n$lt;/i$gt;=2—15)团簇的几何结构和电子性质

应用密度泛函理论中的B3LYP方法计算并分析了不同生长模式下B_n（n=2—15）团簇的几何结构及电子性质. 同时,比较和讨论了不同生长模式下硼团簇的原子束缚能、能级间隙和第一电离势. 研究表明：直线构型稳定性最低,金属性较强,尤其在n=8时能隙仅有0.061 eV,说明该团簇已具有金属特征. 平面或准平面构型稳定性最高,非金属性强. 立体构型的稳定性与金属性介于直线和平面构型之间. 另外,还讨论了基态团簇的束缚能、能量二阶差分、能级间隙和第一电离势随团簇尺寸的变化,结果表明B₁₂与B₁₄是幻数团簇. 关键词： n团簇')" href="#">B_n团簇 密度泛函理论 几何结构 电子性质     

Bn(n =2-15)团簇的几何结构和电子性质

应用密度泛函理论中的B3LYP方法计算并分析了不同生长模式下Bn(n= 2-15)团簇的几何结构及电子性质.同时,比较和讨论了不同生长模式下硼团簇的原子束缚能、能级间隙和第一电离势.研究表明:直线构型稳定性最低,金属性较强,尤其在n=8时能隙仅有0.061eV,说明该团簇已具有金属特征.平面或准平面构型稳定性最高,非金属性强.立体构型的稳定性与金属性介于直线和平面构型之间.另外,还讨论了基态团簇的束缚能、能量二阶差分、能级间隙和第一电离势随团簇尺寸的变化,结果表明B12与B14是幻数团簇.     

Structures,stabilities,and electronic properties of GaAs tubelike clusters and single-walled GaAs nanotubes

<正>The geometric structures,stabilities,and electronic properties of(GaAs)_n tubelike clusters at up to n=120 and single-walled GaAs nanotubes(GaAsNTs) were studied by density functional theory(DFT) calculations.A family of stable tubelike structures with a Ga-As alternating arrangement were observed when n≥8 and their structural units (four-membered rings and six-membered rings) obey the general developing formula.The average binding energies of the clusters show that the tubelike cluster with eight atoms in the cross section is the most stable cluster.The sizedependent properties of the frontier molecular orbital surfaces explain why the long and stable tubelike clusters can be obtained successfully.They also illustrate the reason why GaAsNTs can be synthesized experimentally.We also found that the single-walled GaAsNTs can be prepared by the proper assembly of tubelike clusters to form semiconductors with large band gaps.     

用密度泛函理论研究ZrnB（n=1-13）团簇的结构及性质

利用密度泛函理论,得到了ZrnB(n=1-13)团簇的基态结构,计算并讨论了团簇能量的二阶差分和离解能.结果表明,n=2,5,12时,相应团簇较稳定,特别是Zr5B团簇的稳定性最高.同时分析了ZrnB团簇的电子性质及磁性,结果显示能隙随n值的增大出现奇偶振荡趋势,特别是ZrM12B团簇的能隙只有0.015 eV,表明该团簇已具有金属性.电倚转移随n值增大,整体呈增大趋势,除了二聚体ZrB,电荷由B原子转移到Zr原子.利用Mulliken布居分析得到二聚体ZrB(5.000 μB)和团簇Zr4B(3.000 μB)的磁矩较大,ZrnB团簇中总磁矩主要来自Zr原子的4d轨道.     

InAs管状团簇及单壁InAs纳米管的结构、稳定性和电子性质

采用密度泛函理论研究了InnAsn (n≤90)管状团簇以及单壁InAs纳米管的几何结构、稳定性和电子性质. 小团簇InnAsn (n=1-3)基态结构和电子性质的计算结果与已有报道相一致. 当n≥4时优化得到了一族稳定的管状团簇, 其结构基元(In原子与As原子交替排列的四元环和六元环结构)满足共同的衍化通式. 团簇的平均结合能表明横截面为八个原子的管状团簇稳定性最好. 管状团簇前线轨道随尺寸的变化规律有效地解释了一维稳定管状团簇的生长原因, 同时也说明了实验上之所以能合成InAs纳米管的微观机理. 此外, 研究结果表明通过管状团簇的有效组装可得到宽带隙的InAs半导体单壁纳米管.     

200 keV V+注入花生种子深度-浓度分布的蒙特卡罗模拟

在对植物种子靶材料进行处理和对LSS理论进行修正的基础上,用蒙特卡罗方法模拟计算了在一维和二维近似情况下,200 keV V⁺注入花生种子的深度-浓度分布,得到了与实验结果较符合的曲线.并在同样初始条件和理论模型下,计算了200 keV N⁺注入植物种子的深度-浓度分布,为研究低能离子注入植物种子深度-浓度分布提供了一种初步的理论计算方法.