低能重离子注入花生干种子深度-浓度分布的方向效应研究

用双光子激光扫描显微镜技术观测200keV V⁺离子从不同方向注入花生干种子的 深度-浓度 分布，发现沿纵向和横向注入的离子在样品中的深度-浓度分布有显著差别，即分布具有方 向效应.初步分析了造成注入离子分布出现方向效应的原因. 关键词： 离子注入 植物种子 深度-浓度分布 方向效应     

低能离子注入植物种子的深度分布及生物效应机理研究

采用四种物理测量方法：扫描电子显微镜和能量色散x射线分析，质子激发x荧光分析，双光子激光扫描显微技术和正电子湮没技术测定了能量为200keV V⁺ 注入干花生种 子的深度分布.测量结果表明，注入的低能离子在干种子花生内的深度远比TRIM95的理论计算值为高.对低能离子注入植物种子后的生物效应的机理进行了讨论. 关键词： 低能离子注入 植物种子 深度分布 生物效应机理     

低能N+注入植物种子射程分布的模拟计算

伴随着离子束生物技术的广泛应用, 国内许多单位开展了低能离子注入植物种子的实验研究. 其中关于低能离子注入植物种子诱变的物理机理, 集中在离子注入的深度-浓度分布上. 一些单位直接使用纵向非静态(LSS)理论和TRIM程序来计算低能离子注入植物种子的深度-浓度分布, 却发现计算结果与实验测量结果相差甚远. 所以在对植物种子靶材料进行处理和对LSS理论进行修正的基础上, 在二维近似情况下, 用蒙特卡罗方法分别模拟计算了200keV V⁺和20keV Ti⁺注入花生和棉花种子的射程分布, 得到了与实验结果较符合的曲线. 在此模型基础上, 计算了同样初始条件和理论计算模型下无法从实验上测量的N⁺注入植物种子的射程分布, 初步地为低能N⁺注入植物种子射程分布提供了一种理论计算方法.     

X射线衍射研究N2+注入Si

本文首先给出了180keV的N₂⁺注入Si的X射线衍射(XRD)分布,然后用Levenberg-Marquardt最优化方法模拟实验曲线。根据XRD运动学理论,在我们给出的试探胁变函数和多层模型的基础上,用自编程序计算给出了晶格胁变随注入深度、剂量和退火温度的变化。最后我们对实验和计算结果进行了初步的分析讨论。 关键词：     

背散射方法研究金属中注入轻离子分布

用能量为MeV量级的α粒子背散射方法测定了大剂量N⁺ (5×10¹⁷ atom/cm²,100keV)注入铁膜(厚约4000?)及铁块(工业纯)的注入离子的浓度-深度分布。由于大剂量杂质的注入,使基体背散射谱出现“凹坑”,提出了一种利用“凹坑”计算杂质分布的方法。 关键词：     

磷分子离子(P2+)注入硅的损伤行为

本文研究了不同能量(5—600keV)和不同剂量(10¹⁴-10¹⁶atom/cm²)下的P₂⁺和P⁺注入〈100〉单晶硅后的损伤及退火行为。实验结果表明,P₂⁺注入所产生的损伤总是大于P⁺注入所产生的损伤。由移位效率之比N_D^*(mol)/2N_D^*(atom)所表征的分子效应随入射能量的改变而变化并在100keV(P₂⁺),50keV(P⁺)处达到极大值。P₂⁺与P⁺注入的样品,退火后的载流子分布也有某些区别。我们认为,产生这些分子效应的基本原因是位移尖峰效应,但当入射离子的能量较高时,还应该考虑离子、靶原子之间的多体碰撞效应的贡献。 关键词：     

Fe+注入植物种子射程实验的Monte-Carlo仿真

研究表明,TRIM程序运算结果与实验测量离子注入种子的射程分布数据相差甚远.本文根据种子微结构的特点,综合考虑多种因素,设计种子微结构模型和运算程序,用Monte-Carlo仿真不同能量（110 keV,20 keV,200 keV）、不同注量（2×10¹⁶ ions·cm^-2,5×10¹⁶ ions·cm^-2,10¹⁷ ions·cm^-2,2×10¹⁷ ions·cm^-2）的Fe⁺注入花生、彩棉、小麦种子的射程分布,结果显示本设计程序仿真的结果与实验测量数据较为吻合.所获得的注入离子与种子微结构相互作用的随机抽样模拟运算方法,为离子注入与生命体相互作用的理论研究提供新的思路.     

20keV钛离子注入植物种子深度浓度分布的模拟计算

通过创建植物种子靶材料模型和修正的LSS（纵向静态稳定性）理论，使用Monte Carlo方法，提出了一种离子注入植物种子近似计算方法，使用该方法计算了20keV钛离子分别注入花生种子和彩棉种子的深度浓度分布。同时将该计算结果，TRIM程序计算结果，高斯拟合结果分别与实验测量结果进行了比较，本工作获得的计算结果更加接近实验值，并分析讨论了计算和实验结果差异的一些原因。     

20keV钛离子注入植物种子深度浓度分布的模拟计算

通过创建植物种子靶材料模型和修正的LSS（纵向静态稳定性）理论，使用Monte Carlo方法，提出了一种离子注入植物种子近似计算方法，使用该方法计算了20keV钛离子分别注入花生种子和彩棉种子的深度浓度分布。同时将该计算结果，TRIM程序计算结果，高斯拟合结果分别与实验测量结果进行了比较，本工作获得的计算结果更加接近实验值，并分析讨论了计算和实验结果差异的一些原因。     

V+注入锐钛矿TiO2第一性原理研究

用金属离子注入方法在锐钛矿TiO₂薄膜中掺杂了V⁺，采用全势线性缀加平面波方法计算了锐钛矿TiO₂及V⁺掺杂TiO₂超原胞的电子结构，通过紫外-可见吸收光谱测试方法检测了注入不同剂量的V⁺对TiO₂薄膜吸收光谱的影响.理论计算和实验结果表明，锐钛矿TiO₂薄注入V⁺后，带隙宽度变小，吸收光谱发生红移，并且TiO 关键词： +注入')" href="#">V⁺注入 2')" href="#">TiO₂ 全势线性缀加平面波方法 能带结构     

梯形管内壁等离子体离子注入鞘层扩展MATLAB-PIC数值模拟

基于MATLAB利用Particle-in-cell模型,对梯形管内壁等离子体离子注入过程,进行了二维数值模拟.计算结果表明在中心电极附近出现了"阳极鞘层",该鞘层内部不存在离子,而且在鞘层边缘离子密度最高.在上下管壁上的离子注入剂量呈现"m"形分布.通过对注入过程中等离子体密度分布和不同时间段管壁不同位置离子注入剂量的跟踪,发现"阳极鞘层"扩展行为是导致"m"形分布的原因.由于梯形管形状的不对称性,"阳极鞘层"的边缘向梯形长底方向扩展较快.在注入初始时刻离子注入的能量很低,随着时间延长离子能量逐渐升高,这是由离子初始位置决定的.可见梯形管自身形状决定了鞘层形状和最终的离子注入能量和剂量分布.     

POSITRON ANNIHILATION STUDY ON SURFACE STRUCTURE OF BIOLOGICAL SAMPLES IMPLANTED BY IONS WITH LOW ENERGY

The organic materials of biological samples, such as lima bean and peanut, were implanted respectively by nitrogen ions with an energy of 100 keV and vanadium ions with an energy of 200 keV. The positron annihilation lifetime spectra of implanted and non-implanted samples were compared with each other especially in τ₃ and I₃. The experimental results showed that before implantation there were many small holes with diameters of 0.48 and 0.7 nm respectively in lima bean and peanut. After ion implantation, the size of holes would be changed because of organism cross linking and scission. The effective penetration range of implantation of ions with low energy into biological samples is about 200μm.     

铒离子注入6H-SiC的横向离散研究

利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散规律等是很重要的.用400 keV能量的铒(Er)离子分别与样品表面法线方向成0°,45°和 60°倾角注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×10¹⁵ cm^-2 的400 keV Er离子注入6H-SiC晶体的横向离散.测出的实验值与TRIM98和SRIM 2006得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM98和SRIM 关键词： 离子注入 6H-SiC 卢瑟福背散射技术 横向离散     

Simple technique for measurement of energy spectra of ions from laser produced plasma

Old absorption technique is revived for measuring the energy spectra of ions arising from laser generated plasma. The technique suggested relies on implantation of produced ions into a light element target situated close to the ion production site. Then the ion energy spectra are reconstructed from the depth profile of the implanted ions measured by some of the common depth profiling techniques such as RBS or SIMS. Theoretical range vs. ion energy relations are used for this purpose. In this study the principles of the method are explained and its capabilities are assessed. The feasibility of the method is demonstrated on the energy spectra of Ta ions arising from the laser generated plasma.     

真空、低能离子注入对人宫颈癌（HeLa）细胞中 p53及c-fos mRNA的表达影响

在具有高效护水功能石蜡油的保护下进行了人宫颈癌细胞(HeLa细胞)的低能离子注入及真空处理, 用荧光定量PCR的方法分别研究了真空和30 keV N+的不同注入剂量下, 细胞中p53基因和c-fos基因的mRNA表达变化。 结果表明, 上述两个基因的表达与真空及低能离子注入之间存在着剂量关系。