基于星体跟踪器的天文找北系统

以星体跟踪器为基础，设计了一种天文找北系统。介绍了天文找北系统的结构和工作原理，对找北系统的精度进行了分析。分析表明：天文找北系统结构简单，精度高，对外部误差源不敏感。     

新高考视阈下的高三数学复习教学

新高考指落实国务院《深化新时代教育评价改革总体方案(2014年)》的高考.新高考在考试政策与命题方面进行变化.这些变化内涵及它对高三教堂复习影响,老师又如何应对,本文以实例加以探讨.     

金的化学状态对Au／CoCeOx催化剂CO氧化性能的影响

以CoCeOx复合氧化物为载体,采用沉积沉淀法制备了负载型的金催化剂,并通过不同温度的预处理控制Au的化学状态. 使用粉末X射线衍射、高分辨透射电子显微镜、程序升温还原和X射线光电子能谱对催化剂进行了表征,考察了在室温条件下该系列催化剂的一氧化碳氧化性能. 结果表明, Au/CoCeOx催化剂的CO氧化性能与催化剂表面Au 的含量成正比, Au 可能是反应的主要活性物种. 添加水汽对反应有一定的促进作用,但由于Au 不能稳定存在,特别是当催化剂表面Au 的含量过高时,在水汽的作用下Au 迅速发生歧化反应,使得催化剂的性能下降.     

具有分子内电子转移特征的氨基蒽醌类有机化合物的合成 及光物理性质研究

合成了一系列1,5-二烷基氨基蒽醌类和含有可光致聚合CH2＝CHCO2基团且具有分子内电子转移特征的烷基氨基蒽醌类有机光功能化合物. 通过1H NMR, IR和MS对合成的化合物进行了结构鉴定. 通过光引发测试等实验证明, 含有可光致聚合CH2＝CHCO2的基团、具有分子内电子转移特征的烷基氨基蒽醌/邻氯六芳基双咪唑(HABI)体系, 在500 nm左右的可见光照射下, 且具有较快的光漂白速度和较高的光引发效率, 可以与Ar＋激光器匹配作为高效可见光敏聚合的光引发-吸收剂使用.     

支持向量回归同时测定苯丙氨酸、酪氨酸和色氨酸的研究

在波长200~400 nm范围内,测定酪氨酸、色氨酸和苯丙氨酸混合体系的吸光度,用连续小波变换(CWT)对光谱数据进行预处理,再用支持向量回归(SVR)方法进行建模,建立了支持向量回归紫外分光光度法同时测定酪氨酸、色氨酸和苯丙氨酸的方法,用所建方法对模拟样品进行了测定。结果表明,酪氨酸、色氨酸和苯丙氨酸预测结果的回收率在98%~102%之间,测定结果准确。     

硝酸盐和氯化物中结晶水的荷移光度法测定研究

实验发现,含有结晶水的无机盐在有机溶剂中同5-(4-二甲胺基苄叉)绕丹宁会发生诱导荷移反应,以致于吸收光谱发生变化.基于此试验了各种影响定量测定硝酸盐和氯化物中水分的因素,确定了最佳条件.方法可用于测定测定硝酸盐和氯化物中水分的水分.     

基于体验的物理实验教学情境设计策略

基于体验的物理实验教学情境设计是运用科学思维方法对物理实验进行创新开发与优化设计,以体 现实验教学对提高学生科学素养的意义,某种程度上是教师将自身教学思想和理念通过情境设计进行显性化的表 达     

光路显示仪

在我们日常生活中,所遇到的光学现象是很多的,各种光学器材更是生活中不可缺少的工具。尤其是在部队中,多种多样的光学仪器广泛的在各兵器中使用着。所以光学已是我们     

关于高中化学课本中银镜反应实验的改进意见

1.试验银镜反应所用试管事先用苛性碱加热煮沸洗净,如改用硝酸加热煮沸洗净,再用大量水冲洗,效果更好。 2.课本上规定“在试管里放氧化银的氨溶液3—4毫升,福马林1—2毫升,混和微热……”按上法当混和时已出现黑色,实验很易失败,因反应太快,如用氧化银氨溶液和福马林体积比为20:1(即用2毫升氧化银的氨溶液加3—5滴福马林)即出现银镜,且非常光亮,微热更快。 3.如用下法不需加热,效果亦显著。在洗净的试管中倒入1毫升福马林并转动使附着于试管壁上,倒去多余的福马林(以备另用),在附有福马林的试管中加入氧化银的氨溶液3—5毫升,转动即有光亮的银镜出现。     

Effect of Hydrogen Implantation on SIMOX SOI Materials

Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed.