水相CdTe纳米晶的合成、生长机理和应用研究

纳米晶在生物检测、光电器件、光波导、可调激光器等领域有着广泛的应用前景．本文以CdTe为例,对近年来水相纳米品合成和生长机理方面的研究进展作了简要的归纳和论述．水相合成纳米晶具有操作简单、价格低廉、在水溶液中稳定性高等优点,并可以通过静电力、范德华力等弱相互作用实现一维、二维甚至三维结构的组装．对纳米晶的生长机理的研究涵盖了热力学主导的Ostwald熟化（Ostwaldripening）机理和动力学控制的聚集机理两个主要方面．文章最后对水相合成CdTe纳米晶的应用进行了总结和展望,     

聚合物光学体材料与膜材料的分子设计,合成与性能

总结了有关含砜、硫、溴、金属离子、有机硅、环状化合物、半导体纳米微粒等的聚合物光学体材料与膜材料的功能化及高性能化的设计合成思想,对这些材体材料与膜材料相关的折射率、色散、透光性等光学性质,表面硬度、冲击强度、耐磨性等机械性质及玻璃化转变温度、热稳定性、膨胀系数等热性能进行了研究,讨论了一些透明膜层及复合物的功能性质。     

一种基于共振角度测量的小型SPR传感器

合成了一种光学有机玻璃并进行了性能表征，用其制作了一种不规则六面体光学棱镜，采用这种光学棱镜，以发光二极管为光源，线阵CCD为检测器，组装了一种共振角度同时测量的小型SPR传感装置，讨论了影响该传感器灵敏度，分辨率和线性范围的因素，将其用于乙醇和磷酸二氢钾的检测，获得了较好的结果。     

利用去湿现象制备具有SERS活性的银纳米粒子图案

构建了具有表面增强拉曼散射(SERS)活性的二维有序环状与盘状的银纳米粒子结构, 利用CTAB包覆银纳米粒子的氯仿溶液直接在图案化的金基底上进行去湿, 当改变银纳米粒子的浓度时可以得到不同的图案. 利用原子力显微镜(AFM)对其结构进行了表征, 以4-巯基吡啶作为探针分子, 采用表面增强拉曼成像技术研究了这种基底的SERS活性, 这将为SERS的研究开拓新的领域.     

有机硅耐磨透明涂料

详细总结了构成有机硅耐磨涂料的主要原料，无机溶胶添加剂、溶剂及其他助剂，对兼有防雾性、可染色性、抗静电性、紫外吸收性的耐磨涂料进行了介绍，给出了ＪＤ涂覆液的制备及涂层的性能。     

含稀土铕(Ⅲ)配合物光学树脂的制备及光学性能的研究

报道了将多种稀土铕（Ⅲ）的二元及三元配合物复合于苯乙烯（St)／甲基丙烯酸（HMA）的共聚体系,制备得到具有发光功能的透明光学树脂,对其光学性能进行研究。同时,考察了稀土配合物的含量对聚合物 透明性、发光性能的影响。     

多组份含金属盐透明树脂的合成

本文将双烯聚醚砜大分子单体(BPS-MA)引入含金属(Pb、Ba等)盐单体的苯乙烯体系中进行聚合,发现单体配比与树脂透明性密切相关。对于Pb(MA)_2/St/MA/BPS-MA四元体系,欲获得透明树脂,BPS-MA用量大于20％时,摩尔比MA/[Pb(MA)_2]可由原来的5.5降至2.2左右,并且可获得n_D>1.60的透明材料。光学性能测试结果表明,Pb(MA)_2、BPS-MA量增加,n_D增大,阿贝数v_D略降低;MA量增加,n_D下降v_D略增加。适当的配比可望制备出性能优异的多组份含金属盐透明聚合物材料。     

量子点与人源抗谷胱甘肽单链抗体的连接与表征

用已构建的表达载体pPELB-B3, 在大肠杆菌Rosetta中可溶性表达人源抗谷胱甘肽(GSH)单链抗体B3(scFv-B3), 经Ni2+螯合亲和层析纯化后, 用点印迹法验证了其与GSH结合的特异性. 将水相合成的半导体纳米粒子(半导体量子点, QDs)在N-羟基琥珀酰亚胺(NHS)和1-乙基-3-(3-二甲基氨基丙基)碳酰二亚胺盐酸盐(EDC)的作用下, 与scFvs连接. 光谱分析和膜印迹结果表明, scFvs成功地共价连接到QDs表面, 所得的QD-scFvs复合物能够较好地识别GSH. 荧光显微镜观察QD-scFvs与人乳腺癌细胞MCF-7的作用结果, 初步判断QD-scFvs能够跨膜进入细胞.     

当前光学塑料的研究方向及综合性能的均衡

根据结构与性能的关系对当前光学塑料的主要研究方向进行了归纳和总结，介绍了具有高折光指数、高耐热性及其它功能性的新型光学材料，指出了性能之间均衡对实现化的意义。     

环氧树脂/三乙硫醇胺固化反应行为的研究

用差热式扫描量热仪 (DSC)对双酚 A环氧 (DGEBA) 三乙硫醇胺自催化固化体系的固化反应过程进行分析 ,并根据Kissinger和Ozawa方法分别求得体系固化反应的表观活化能ΔE为 4 1.35和 4 6 .6kJ mol;根据Crane等理论计算得到该体系的固化反应级数n =0 .84及指前因子A =7.4 3× 10 3(s- 1 ) ;同时利用FTIR在位跟踪固化反应过程特征官能团吸收峰的变化 ,确定了最佳固化反应工艺条件 :T凝胶 =80℃ ,T固化 =12 0℃ ,T后处理 =16 0℃