The theoretical study on the potential energy curve for X~3△ state of TiO molecule

This paper applies the density functional theory method to optimise the structure for X ³Δ state of TiO molecule with the basis sets 6-31G, 6-31++G and 6-311G^**. Comparing the attained results with the experiments, it obtains the conclusion that the basis set 6-31++G is most suitable for the optimal structure calculations of X ³Δ state of TiO molecule. The whole potential energy curve for the electronic state is further scanned by using B3P86/6-31++G method for the ground state, then it uses a least square fitted to Murrell--Sorbie functions, at last it calculates the spectroscopic constants and force constants, which are in better agreement with the experimental data.     

外电场作用下Si_2O分子的激发特性

主要对2种Si2O分子异构体的激发特性进行研究,由计算结果可知,外电场对Si2O分子的激发能,振子强度,跃迁偶极矩及吸收光谱有着显著的影响.无外电场时三角型Si2O(C2v,1A1)分子在可见光区无吸收谱,外电场作用下其在可见光区(407.18—526.93nm)有比较弱的吸收谱.直线型Si-Si-O(C∞v,3Σ-)分子在有无外电场作用时在蓝光和紫光区均有一定的吸收谱,其中比较难得的是在蓝色光区(478.88—488.59nm)呈现较强的吸收谱.     

外电场作用下TiO光激发特性研究

利用密度泛函BLYP方法优化得到了TiO分子的稳定构型,并计算了TiO分子基态在外场作用下前线轨道变化情况,然后利用杂化组态相互作用CIS-DFT方法,比较了TiO分子在外电场下的激发特性.结果表明,在一定的电场范围内,随着电场的增大,α轨道的最高占据轨道与最低空轨道能隙逐渐变小,β轨道能隙逐渐变大,同时可跃迁的低激发态跃迁波长随电场的增大而变长,高激发态波长变化相对复杂,且基态跃迁至激发态的耦合强度随外电场的增大而加强.     

Si2O2 molecule: structure of ground state and the excited properties under different external electric fields

Geometry and vibrational frequencies of the ground state of Si 2 O 2 molecule are studied using density function theory (DFT) at the level of cc-pvtz and 6-311++G.It is found that the optimizing value by B3lyp/cc-pvtz is closer to the experimental data.The excited properties under different external electric fields are also investigated by the time-dependent-DFT method.Transitions from the ground state of Si 2 O 2 molecule to the first singlet state under different external electric fields can take place more easily.The corresponding absorption spectral line is about 360 nm in wavelength and the excitation energy is about 3.4 eV.     

类氢离子Mg~(11 ),Al~(12 )光谱参数的理论计算及在温度诊断中的应用

采用“多功能相对论原子结构计算程序”GRASP2 (1 992 ) ,分别计算了类氢离子 Mg11 ,Al12 能级之间电偶跃迁 (E1 )的波长、几率和振子强度 ,其中跃迁波长值与实验值相吻合。充分利用计算结果 ,采用等电子线率法对文献 [4 ]的谱线强度比测温实验进行理论上的探讨 ,即利用原子序数相差不大 (ΔZ=1 ,2 )的两种示踪原子相同离化态的同种跃迁谱线进行电子温度诊断 ,以期望提高测温精度     

外电场对NO在Graphene负载的Pd单原子上的吸附特性的调控

本研究中,通过基于密度泛函理论的第一性原理并考虑范德华力修正计算了Graphene负载的Pd单原子界面特性以及NO的吸附特性(包括吸附构型的结构参数、吸附能和电子结构等),并着重研究了电场对其吸附特性的调控规律及其内在机理.结果表明：1) NO在Pd/Graphene上能够形成较强的化学吸附,吸附能为1.09 eV.吸附的NO分子中的N-O键拉长. Pd-d态与NO-p态的强杂化作用都表明NO分子在Pd-Graphene上被活化. 2)在电场作用下Graphene负载的单原子Pd上的电荷随施加的电场逐渐变化. 3)跟没有施加电场的NO吸附的体系相比,当对NO吸附体系施加沿Z正方向的电场时,NO的吸附增加,吸附的NO从衬底获得更多的负电荷,而Pd所带的正电荷逐步减少;当对NO吸附体系施加沿Z负方向的电场时,NO的吸附减弱,吸附的NO从衬底获得的负电荷逐渐减少,而Pd所带的正电荷逐步增加. 4)外加电场能够有效地调控NO的吸附特性,并调控NO与衬底之间的电荷转移进而调控其电子结构.     

特殊构型Si_2N_2分子团簇电致激发特性的密度泛函理论研究

以在可见光区有吸收峰的Cs构型的Si2N2分子团簇为研究对象,利用密度泛函B3LYP方法,在aug-ccpVTZ基组水平下优化得到了处于不同外电场中的Si2N2分子团簇的稳定结构.分析发现:在不同的外电场中,Si2N2分子构型对称性没有发生改变,均为Cs对称性,且都有6种振动模式;随着外电场强度的逐渐增大,Si2N2分子振动频率较低的前三种振动模式的频率略有减小,而后三种振动模式的频率逐渐增加;随着外电场强度的逐渐增大,在一定电场范围内最高占据分子轨道与最低空分子轨道的能隙值出现振荡,之后能隙值随着外电场强度的增大而减小.在此基础上,采用含时密度泛函TD-B3LYP方法研究了外电场对Si2N2分子吸收谱的影响规律.计算得到的吸收谱范围在紫外-可见光区,这与实验值相符合.随着外电场强度的逐渐增大,在可见光区吸收谱发生红移,最大跃迁振子强度逐渐增大.结果表明,施加外电场有利于Si2N2分子在可见光区的吸收,也有利于操控分子特定激发态的电子状态,进而调节相应的跃迁光谱特性,可达到获得所需特定波长的要求.     

Si3O cluster: excited properties under external electric field and oxygen-deficient defect models

This paper investigates the excited states of Si₃O molecule by using the single-excitation configuration interaction and density functional theory. It finds that the visible light absorption spectrum of Si₃O molecule comprises the yellow and the purple light without external electric field, however all the visible light is included except the green light under the action of external electric field. Oxygen-deficient defects, which also can be found in Si₃O molecule, have been used to explain the luminescence from silicon-based materials but the microstructures of the materials are still uncertain. Our results accord with the experimental values perfectly, this fact suggests that the structure of Si₃O molecule is expected to be one of the main basic structures of the materials, so the oxygen-deficient defect structural model for Si₃O molecule also has been provided to research the structures of materials.     

SAC-CI方法研究甲基乙烯基硅酮分子激发态1 1A’’, 1 1A’, 2 1A’’结构与性质

采用对称性匹配簇/组态相互作用(symmetry adapted cluster－configuration interaction, SAC－CI)方法, 在6-311++g**基组水平上优化了甲基乙烯基硅酮分子的前三个单激发态1 1A’’, 1 1A’, 2 1A’’的平衡几何结构, 比较三个激发态的电荷分布, 最高占据轨道, 最低空轨道, 能隙等结构特性. 研究发现, 1 1A’ 态能隙差最小, 电子容易发生跃迁. 计算了三个单重激发态相应的振动光谱, 得出其振动模式. 从甲基乙烯基硅酮分子激发态结构特性, 电荷分布, 极强位置振动模式等方面分析了其断键机制.     

Au_n(n=2—9)团簇的几何结构和电子特性

采用密度泛函DFT中的B3LYP方法 ,选择LANL2DZ基组 ,对Aun(n =2— 9)小团簇的各种可能结构进行优化 ,得到了它们的基态平衡结构并计算出其原子化能 .研究表明 :随着团簇尺寸的增大 ,单个原子的平均原子化能逐渐增大 .同时分析了团簇的能级分布、最高占据轨道与最低空轨道之间形成的能级间隙 .计算出了电子亲和能和电离势 ,计算值与实验值非常接近 .最后分析了费米能级、电子亲和能和电离势形成“奇 -偶”振荡效应的原因