C_(60)有序分子膜的光电特性

利用分子组装技术制备了C60 有序分子膜 ,利用光电谱研究了C60 有序分子膜光电特性。结果表明 ,C60 具有特殊的光电行为 ,作为良电子受体 ,在n -Si表面上表现出了与通常染料分子截然不同的光电荷转移特性。     

WO3纳米管的模板法制备及表征

0引言 WO3纳米材料具有光致变色、电致变色、气致变色等特性,可用于光学信息和储存显示器、pH值探测器、气敏传感器、灵敏窗口等[1,2];并且在太阳能的储存与利用、光电转换、光催化降解大气和水中的污染物等方面有着广阔的应用前景[3,4],成为近几年重点研究的半导体材料之一.以前纳米WO3的制备主要集中在薄膜上,其薄膜的制备工艺已经相当成熟,主要包括蒸发法、溅射法、CVD法、喷涂法、阳极氧化法、溶胶-凝胶法等[3].     

表面光电压测量中的最佳相位

对基于锁相放大技术的表面光电压测量中的“最佳相位"的物理意义及影响因素进行了系统的理论分析及实验验证.结果表明,对于通常所采用的金属-绝缘体-半导体（MIS）“三明治"测量结构,其等效阻抗会很大程度地影响到最佳相位.对于体相材料,“最佳相位"仅与测量条件有关;对于纳米材料等体系,光照可以改变MIS结构的等效电阻(Rins)、等效电容(Cins),从而将引起最佳相位角的显著变化,使“最佳相位”与所研究材料的特性直接关联起来.因此,该手段有可能成为一种新的纳米材料光电检测方法.     

pH值对电沉积CuInSe2薄膜的组份、结构及光电性能的影响

本文采用一步恒电位沉积法在铟锡氧化物(ITO)基底上制备CuInSe2薄膜,研究了沉积过程中不同的离子浓度配比及pH值对CuInSe2膜结构性能的影响。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)及X射线衍射仪(XRD)研究了薄膜材料的结构性能,结果发现pH值对薄膜的化学成份、表面形貌、晶格结构都有显著影响,通过控制合适的浓度及酸度分别制备了高质量富铟与富铜薄膜。利用表面光电压(SPS)技术分别对富铟与富铜薄膜的光电分离特性进行了研究,结果发现富铟薄膜具有很强的光电响应;而富铜薄膜由于Cu-Se相的存在,在薄膜中形成了新的界面,电子-空穴对在其界面处因捕获而发生复合,从而导致其光电响应的强烈降低。所得到的结果为提高铜铟硒薄膜的光电效率提供了有价值的新思路。     

Er3+、In3+等金属离子对多孔硅光致发光性质的影响

用阳极腐蚀的方法制备了多孔硅样品,用电化学方法在多孔硅中注入Er3+、In3+等金属离子,并对注入离子后多孔硅的光致荧光光谱进行了研究,结果表明：注入Er3+及In3+后的多孔硅在588nm处的发光峰强度大大增加,同时发光峰稍有展宽。随着离子注入时间的增长,强度继续增加,但当离子溶液浓度一定时,这种增强对时间具有饱和性。