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31.
C60 Langmuir-Blodgett膜的微结构形态   总被引:4,自引:0,他引:4  
利用LB(Langmuir-Blodgett)方法组装C60复合膜, 以二十二酸 (BA)、二十酸 (AA)、十八酸 (SA) 和十八胺 (OA) 作为辅助成膜材料, 改变辅助成膜材料的摩尔比, 成功地控制了C60的聚集结构. Dynamic force microscopy(DFM)形貌结果表明由摩尔比nC60∶nSA∶nAA∶nOA=2∶3∶3∶4组成的特定C60组装体具有两种结构: 一种为粒径大约180 nm左右的大颗粒, 另一种结构是粒径大约在30 nm左右的小团簇. 等链长的酸胺混合以及其它比例组成的C60聚集体颗粒大小不均且结构单一. UV-Vis吸收光谱也说明C60分子在LB膜中通过相互作用发生一定程度的聚集.  相似文献   
32.
不同溶胶体系对纳米氧化锌发光特性的影响   总被引:3,自引:1,他引:2  
采用溶胶-凝胶工艺制备ZnO纳米粉体,研究了两种不同溶剂下制备的纳米ZnO的荧光特性。实验结果表明两种氧化锌样品有相同的晶型和能带结构,其紫外发光相似,但其带间的可见发射表现出了巨大差异,其原因在于两溶剂的极性不同导致两体系凝胶、烧结的微过程不同,从而使两种ZnO样品的表面态结构和布局发生变化。  相似文献   
33.
采用溶胶-凝胶方法制备ZnO纳米粉体,研究了两种不同溶剂下制备的纳米ZnO的荧光特性。结果表明两种氧化锌有相同的晶型和能带结构,其紫外发光相似,但其带间的可见发射表现出了巨大差异,其原因在于两溶剂的极性不同导致两体系凝胶、烧结的微过程不同,从而使两ZnO样品的表面态结构和布局发生变化。  相似文献   
34.
CuInS2:两步电沉积制备及性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用恒电位沉积法制备铜铟合金预制膜,并存管式炉中通过固态源蒸发硫化预制膜得到CuInS:薄膜.通过扫描电镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)对CuInS2薄膜的表而形貌、截面厚度、成分组成和薄膜的组织结构进行了研究,并利用紫外可见光吸收谱仪(UV-Vis)研究了不同硫化温度对CuInS:薄膜的形貌及其光学吸收性质的影响.结果表明:不同的退火温度能够影响CuInS:薄膜的表面形貌以及带隙的大小,从而影响其光学吸收特性.  相似文献   
35.
Er3+、In3+等金属离子对多孔硅光致发光性质的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
用阳极腐蚀的方法制备了多孔硅样品,用电化学方法在多孔硅中注入Er^3+、In^3+等金属离子,并对注入离子后多孔硅的光致荧光光谱进行了研究,结果表明:注入Er^3+及In^3+后的多孔硅在588nm处的妇光峰强度大大增加,同时发光峰稍有展宽。随着离子注入时间的增长,强度继续增加,但当离子溶液浓度一定时,这种增强对时间具有饱和性。  相似文献   
36.
WO3纳米管的模板法制备及表征   总被引:5,自引:0,他引:5  
0引言 WO3纳米材料具有光致变色、电致变色、气致变色等特性,可用于光学信息和储存显示器、pH值探测器、气敏传感器、灵敏窗口等[1,2];并且在太阳能的储存与利用、光电转换、光催化降解大气和水中的污染物等方面有着广阔的应用前景[3,4],成为近几年重点研究的半导体材料之一.以前纳米WO3的制备主要集中在薄膜上,其薄膜的制备工艺已经相当成熟,主要包括蒸发法、溅射法、CVD法、喷涂法、阳极氧化法、溶胶-凝胶法等[3].  相似文献   
37.
采用sol-gel法制备了钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3).用XRD、DSC、Raman等表征技术研究了Ba1-xSrxTiO3的晶体结构和相变行为.结果表明,随着锶含量的增加,晶胞体积逐渐减小,c/a趋近于1,相变温度降低,相变热减少,相变弥散性增强,且存在热滞现象.Raman光谱发生有趣变化,当x=0.30时,室温下发生结构相变, Ba1-xSrxTiO3以立方相为主要存在相,相变具有有序-无序特征.  相似文献   
38.
利用分子组装技术制备了C60 有序分子膜 ,利用光电谱研究了C60 有序分子膜光电特性。结果表明 ,C60 具有特殊的光电行为 ,作为良电子受体 ,在n -Si表面上表现出了与通常染料分子截然不同的光电荷转移特性。  相似文献   
39.
纳米晶钛酸钡的Sol-gel法制备及其尺寸效应   总被引:7,自引:0,他引:7  
采用sol-gel法制备了不同粒径的钛酸钡(BT)纳米晶粉. XRD、Raman光谱和DSC测试结果显示,随着退火温度的升高,晶粒长大,晶胞的a轴逐渐减小, c轴逐渐增大.粒径在54 nm左右时,钛酸钡由顺电立方相向铁电四方相结构转变,在立方-四方相变过程中,晶胞略微膨胀.随着粒径的减小,正交-四方相变温度升高,四方-立方相变温度降低, Raman谱峰降低和宽化,粒径为38 nm左右时四方相的特征峰消失.  相似文献   
40.
一种新的WO3纳米管的制备方法   总被引:6,自引:1,他引:6  
一维纳米材料因可用来构造高性能纳米器件的结构单元而成为纳米材料研究的热点.目前的研究重点集中在材料的制备和结构性能表征方面,已发展了多种制备方法,主要有模板法、V-L-S法、L-L-S法和V-S法等,其中阳极氧化铝(AAO)模板法是制备一维材料的好方法.AAO模板的制备工艺已相当成熟,  相似文献   
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