氢键和π-π诱导的三重穿插的二维Zn(Ⅱ)配位聚合物的晶体结构和荧光性能

本文以(4-羧基苄基)-4,4′-二羧基二苯胺(H3L)和1,10-菲罗啉(Phen)为配体,溶剂热合成了一个二维锌配位聚合物[Zn(HL)(Phen)]n(1),对其进行了红外、热重、粉末单晶衍射等表征,配合物属于三斜晶系,空间群P21/c。相邻的Zn(Ⅱ)离子通过连接HL2-和Phen形成一维之字形的链,该一维链通过氢键和π-π作用进一步形成三重穿插的二维超分子结构。此外,还研究了配合物的荧光性能。     

V型咪唑配体构筑的二维穿插层状锌(Ⅱ)配合物的晶体结构及荧光性能(英文)

本文以4,4′-二咪唑基二苯醚(BIDPE)和庚二酸(H2pim)为配体,溶剂热合成了一个互锁的二维配位聚合物{[Zn(BIDPE)(pim)]·(H2O)}n(1)。对其进行了红外、热重、粉晶衍射、单晶衍射等表征,配合物属于单斜晶系,空间群P21/c。相邻的Zn髤离子通过连接BIDPE和pim2-形成手性二维波浪形面,两个相邻的面相互互锁仍然形成2Dchiral的结构。相邻互锁的2Dchiral结构的螺旋方向相反,通过ABAB堆积最终形成了2Dachiral超分子框架。此外,本文也研究了配合物的荧光性能。     

Nb2O5在t-ZrO2表面的分散状态与Br(φ)nsted酸特征

以草酸铌为前驱物,四方相氧化锆(t-ZrO2)为载体,通过浸渍法制备不同负载量的Nb2O5/t-ZrO2催化剂.采用粉末X射线衍射(XRD)、激光拉曼光谱(LRS)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)等技术对t-ZrO2表面Nb2O5分散状态进行表征;采用异丁烯(IB)与异丁醛(IBA)缩合生成2,5-二甲基-2,4-己二烯(DMHD)反应评价不同负载量的Nb2O5/t-ZrO2的催化性能,采用吡啶吸附红外(Py-IR)光谱表征催化剂Br(φ)nsted酸中心特征.结果表明,由XRD定量相分析方法测定的Nb2O5在t-ZrO2表面单层分散容量与“嵌入模型”预测值接近.Nb2O5/t-ZrO2表面Br(φ)nsted酸中心特征与Nb2O5聚集状态密切相关.     

碳化硅薄膜脉冲激光晶化特性研究

采用XeCl准分子激光对非晶碳化硅(a-SiC)薄膜的脉冲激光晶化特性进行了研究.通过原子力显微镜（AFM）和Raman光谱技术对退火前后薄膜样品的形貌、结构及物相特性进行了分析.结果表明，选用合适的激光能量采用激光退火技术能够实现a-SiC薄膜的纳米晶化.退火薄膜中的纳米颗粒大小随着激光能量密度的增加而增大；Raman谱分析结果显示了退火后的薄膜的晶态结构特性并给出了伴随退火过程存在的物相分凝现象.根据以上结果并结合激光退火特性，对a-SiC的脉冲激光晶化机理进行了讨论. 关键词： 激光退火 晶化 碳化硅     

脉冲激光退火纳米碳化硅的光致发光

采用XeCl准分子脉冲激光退火技术制备了纳米晶态碳化硅薄膜(nc-SiC),并对薄膜的光致发光(PL)特性进行了分析。结果表明,纳米SiC薄膜的光致发光表现为300～600 nm范围内的较宽发光谱带,随退火激光能量密度的增加,nc-SiC薄膜398 nm附近的发光峰相对强度增加,而470 nm附近发光峰相对减小。根据nc-SiC薄膜的结构特性变化, 认为这两个发光峰分别来源于6H-SiC导带到价带间的复合发光和缺陷态发光,并且这两种发光过程存在竞争。     

高温超导电缆研究进展综述

人们对电能需求的持续增长,促使电网输电密度和输电容量逐渐增大,传统的输电技术将遇到越来越多的问题。高温超导电缆具有传输容量大和功率密度高等优势,是解决这些问题和满足未来大容量电力传输的重要技术之一。在综合分析国内外大量文献资料的基础上,介绍高温超导电缆的基本结构、发展现状和关键技术,总结制约其工业化应用过程当中面对的主要问题,并提出了高温超导电缆的发展建议。     

Nb_2O_5/γ-A1_2O_3表面铌氧物种的分散状态与酸性特征

负载型Nb_2O_5是多种催化反应的有效催化剂.以草酸铌为前驱物,γ-Al_2O_3为载体,通过浸渍法制备不同负载量的Nb_O_5/γ-Al_2O_3催化剂.采用粉末X射线衍射(XRD)、激光拉曼光谱(LRS)和吡啶吸附傅立叶变换红外(Py-IR)光谱方法对催化剂表面铌氧(NbO_x)物种的分散特征、酸性特征进行表征,通过异丁烯(IB)与异丁醛(IBA)缩合生成2,5-二甲基-2,4-己二烯(DMHD)反应评价催化剂表面酸催化活性.结果表明,Nb在γ-Al_2O_3表面的单层分散容量(г_(Nb)为7.6 μmol·m~(-2),与"嵌入模型"理论分析:Nb~(5+)分散在γ-Al_2O_3优先暴露晶面(110)上八面体空位中的单层分散容量值7.5 μmol·m~(-2)接近,即分散的Nb~(5+)离子键合在γ-Al_2O_3表面八面体空位中.在低负载量下,分散在γ-Al_2O_3表面的Nb_2O_5主要以孤立的NbO_x物种形式通过Nb--O--Al键与载体表面键合,与LRS结果一致.处于孤立状态下的NbO_x物种使表面Lewis酸位量下降.随负载量的增加,孤立的NbO_x物种通过Nb--O--Nb键连接而聚集,并形成表面Br(o)nsted酸位,随着NbO_x聚集度增加,表面Br(o)nsted酸密度增加,酸性增强,对IBA与IB缩合反应催化活性增加.当负载量超过单层分散容量时,NbO_x物种呈现三维聚集状态,DMHD的转化频率(TOF)降低,同时表面Br(o)nsted酸性增强,导致目标产物DMHD的选择性降低.Nb2_O_5/γ-Al_2O_3催化剂表面Br(o)nsted酸特征与NbO_x物种聚集状态密切相关.     

外科冷冻探针周围组织温度场的焓法求解

本文通过用焓模型求解非线性生物传热方程,研究了低温外科中冷冻探针周围组织的瞬态温度场,使生物组织的“冷冻损伤”形状、成长速率及最终稳态冷冻区域大小得以确定.本文旨在一方面为低温外科提供必要的理论依据,另一方面使一般相变导热问题的焓法求解得以进一步深入及推广.     

SiOx∶H(0＜x＜2)薄膜光致发光的退火行为研究

采用退火后处理的方法，使SiO_x∶H(0＜x＜2)形成纳米硅与二氧化硅的镶嵌结构.利用红外透射谱、Raman谱和光致发光谱，系统地研究了不同退火温度对薄膜微结构及室温光致发光谱的影响.发现发光谱均由两个Gauss线组成，其中主峰随着退火温度的升高而红移，而位于835nm的伴峰不变.指出退火前在720—610nm的波长范围内强的主峰可能来源于膜中的非晶硅原子团，随退火温度的升高主峰的红移是由于非晶硅原子团的长大.而伴峰可能来自硅过剩或氧欠缺引入的某种发光缺陷.1170℃退火后在850n 关键词：     

氢化非晶氧化硅薄膜的微结构及光致发光的研究

采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)技术制备了一组氧含量不同的氢化非晶氧化硅 (a-SiO_x∶H)薄膜 ,室温下在 5 5 0～ 90 0nm的波长范围内观察到了两个强的发光带 :一个是由峰位在 6 70nm( 1 85eV)左右的主峰和峰位在 835nm( 1 46eV)的伴峰组成的包络 ,另一个只能在氮气氛中 1 1 70℃退火后的样品中观测到 ,峰位大约在 85 0nm .通过对红外谱和微区Raman谱的分析 ,认为这两个发光带可能分别与存在于薄膜中的a-Si原子团和Si纳米晶粒有关.