外科冷冻探针周围组织温度场的焓法求解

本文通过用焓模型求解非线性生物传热方程,研究了低温外科中冷冻探针周围组织的瞬态温度场,使生物组织的“冷冻损伤”形状、成长速率及最终稳态冷冻区域大小得以确定.本文旨在一方面为低温外科提供必要的理论依据,另一方面使一般相变导热问题的焓法求解得以进一步深入及推广.     

1,3-二吡啶基苯和4,4′-二羧基二苯砜构筑的钴(Ⅱ)配合物合成、结构和性质(英文)

以两种V型的配体4,4′-二吡啶基苯(1,3-dpb)和4,4′-二羧基二苯砜(H2sdb),和钴(Ⅱ)通过溶剂热反应合成了1个配位聚合物{[Co(dpb)(sdb)(H2O)2]·2H2O·DMF}n(1)。对其进行了红外、热重、粉晶衍射、单晶衍射等表征,配合物属于三斜晶系,空间群P1。其中Co(Ⅱ)的2个顶点被水分子占据,相邻的钴(Ⅱ)离子连接着1,3-二吡啶基苯和4,4′-二羧基二苯砜形成一维的双绳链,相邻的链之间通过羧基-配位水和配位水-配位水间的氢键相互连接形成二维的层状结构,层状结构之间通过砜基-配位水间的氢键又相互连接形成三维结构。此外,还研究了配合物的固体紫外-可见光谱。     

Al-Ti-B细化工业纯铝凝固组织演变过程数值模拟

采用耦合群体动力学方法与元胞自动机方法建立了细化处理条件下铝合金凝固微观组织演变的数值模型.该模型考虑了a-Al的非均匀形核过程、晶粒的初始球形长大以及之后的枝晶生长过程.利用建立的模型模拟了Al-5Ti-1B中间合金细化工业纯铝凝固组织演变过程.结果表明:形核初始阶段,熔体中存在充足数量的有效形核粒子, a-Al形核率随着熔体过冷度的增大逐渐增高;形核开始不久后, a-Al的异质形核过程由熔体中有效形核粒子数量控制,直到再辉发生,形核停止.模拟分析了中间合金添加量以及熔体冷却速度对工业纯铝凝固组织演变过程的影响,模拟结果与实验结果相符,验证了模型的准确性.     

V型咪唑配体构筑的二维穿插层状锌(Ⅱ)配合物的晶体结构及荧光性能

本文以4,4'-二咪唑基二苯醚(BIDPE)和庚二酸(H₂pim)为配体,溶剂热合成了一个互锁的二维配位聚合物{[Zn(BIDPE)(pim)]·(H₂O)}_n(1)。对其进行了红外、热重、粉晶衍射、单晶衍射等表征,配合物属于单斜晶系,空间群P2₁/c。相邻的Zn(Ⅱ)离子通过连接BIDPE和pim^2-形成手性二维波浪形面,两个相邻的面相互互锁仍然形成2D_chiral的结构。相邻互锁的2D_chiral结构的螺旋方向相反,通过ABAB堆积最终形成了2D_achiral超分子框架。此外,本文也研究了配合物的荧光性能。     

移动加热器法生长CZT晶体的成分及缺陷均匀性研究

采用移动加热器法,成功生长出尺寸为φ55 mm×70 mm的CdZnTe晶体.采用电子探针、光致发光谱等方法,测试了晶体径向的成分和缺陷分布,并与垂直布里奇曼法生长的同成分CdZnTe晶体进行了对比分析.结果表明,移动加热器法生长的CdZnTe晶体沿径向的成分和缺陷分布均匀,均优于垂直布里奇曼法生长的晶体.     

一次性聚苯乙烯发泡塑料餐具解禁事件及其对化学教学的启示

“一次性聚苯乙烯发泡塑料餐具”在禁用14年之后,近期被国家发展和改革委员会“解禁”,并引起社会的广泛关注和争论。“一次性发泡塑料餐具”问题也是化学教学中经常涉及的“热点”问题之一,因此“解禁”事件也必然会影响到化学教学。结合“一次性发泡塑料餐具”生产的化学工艺流程,分析了其“解禁”原因,探讨了“解禁”事件对化学教学的几点启示。     

Electronic structure and defect states of transition films from amorphous to microcrystalline silicon studied by surface photovoltage spectroscopy

In this paper, surface photovoltage spectroscopy (SPS) is used to determine the electronic structure of the hydrogenated transition Si films. All samples are prepared by using helicon wave plasma-enhanced chemical vapour deposition technique, the films exhibit a transition from the amorphous phase to the microcrystalline phase with increasing temperature. The film deposited at lower substrate temperature has the amorphous-like electronic structure with two types of dominant defect states corresponding to the occupied Si dangling bond states (D⁰/D^- and the empty Si dangling states (D⁺). At higher substrate temperature, the crystallinity of the deposited films increases, while their band gap energy decreases. Meanwhile, two types of additional defect states is incorporate into the films as compared with the amorphous counterpart, which is attributed to the interface defect states between the microcrystalline Si grains and the amorphous matrix. The relative SPS intensity of these two kinds of defect states in samples deposited above 300\du increases first and decreases afterwards, which may be interpreted as a result of the competition between hydrogen release and crystalline grain size increment with increasing substrate temperature.     

基于多体作用的原子/连续耦合方法的先验误差估计

本文研究理想晶体发生位错时如何发生形变,应用本地化拟连续方法(QCL)、基于能量的拟连续方法(QCE)、非本地化拟连续方法(QNL),分析了多体作用下Frenkel-Kontorova模型在一维情形中先验误差分析,推导了该误差估计与原子模型解的光滑性的关系,并且由于考虑的是一维原子链,该误差还具备超收敛性.本文将一致性误差分析分解为模型误差和粗粒化误差,并推导出基于负范数的误差估计,稳定性分析将均匀应变扩充为非线性应变.最后利用数值实验说明了本文的分析结果.