GaAs/Al_(0.23)Ga_(0.77)As双量子阱的带边不连续性和阱间耦合

本文报道在300和77K对一组具有不同垒宽Lb的GaAs/Al_(0.23)Ga_(0.77)As双量子阱样品的光调制反射谱(PR)的研究结果。除观察到11H,11L和22H等容许跃迁外,同时还识别一个从Al_(0.23)Ga_(0.77)As价带顶至量子阱第一电子束缚能级的跃迁,另一个从量子阱第一轻空穴束缚能级至Al_(0.23)Ga_(0.77)As导带底的跃迁。利用这些跃迁确定导带边不连续性为0.63。对Lb≤40实验观察到11H和11L跃迁都明显地分裂成对称和反对称分量,对分裂大小的实验值与理论计算作了比较。在77K的11H的PR谱中在高能端明显地出现一个肩形峰,其形状不能用PR标准线形来拟合。如认为它对应于带间跃迁,并由此估计激子的束缚能约为8meV。     

水热法制备TiO2薄膜的研究

采用水热法在玻璃基片上制备了TiO2薄膜.利用x射线衍射(XRD)、x射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)等分析测试手段对所制备的TiO2薄膜的相结构、表面化学组成及形貌等进行了分析和表征,研究了不同水热条件对所制备TiO2薄膜的光吸收特性的影响.结果表明,所制备的薄膜为锐钛矿型TiO2,均匀、致密、无可视缺陷,具有优异的可见光透过性和紫外吸收特性 关键词： 水热法 TiO2薄膜 比消光度     

强磁场辅助TFA-MOD法制备YBCO厚膜的理论分析

为了实现YBa2Cu3O7-x(YBCO)涂层导体在电力工业中的实际应用，必须有效增加YBCO超导层的厚度。提出一个强磁场辅助TFAMOD法制备YBCO厚膜的新工艺，并从磁热力学和磁性物理出发理论分析其可行性。沿垂直基底平面方向施加强磁场时，磁场将促进c轴取向YBCO晶核的形成，诱导厚膜中非c轴取向晶核转动到c轴平行磁场取向的位置。另外，取向晶粒间磁性相互作用力使晶粒沿磁场方向定向聚合，有利于获得致密的厚膜。因此，强磁场辅助TFA—MOD法有望制备高临界电流密度的YBCO织构厚膜。     

优良全息光折变存储材料-双掺铌酸锂晶体

我们生长与后处理了一系列双掺铌酸锂晶体,通过光折变存储性能的测试,在这些晶体中,我们发现了三种双掺晶体:LN:Fe,Mg;LN∶Fe,In;LN∶Fe,Zn,它们具有优良的光折变存储性能,即高衍射效率(高达60～80;)、快光折变响应(比LN∶Fe 晶体缩短了一个数量级)、和强抗光散射能力(比LN∶Fe提高近两个数量级).我们还系统地研究了光强阈值效应与全息写入的关系以及全息写入与入射光强的关系,发现在光强阈值附近耦合强度有一最大值,从而提出了最佳写入光强的概念.另外,全息光栅热固定研究还显示,双掺铌酸锂晶体比单掺Fe的铌酸锂晶体具有更优良的热固定性质:快固定时间、高固定效率、长固定寿命等.