| GaAs/Al_(0.23)Ga_(0.77)As双量子阱的带边不连续性和阱间耦合 |
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| 引用本文： | 潘士宏,黄晖,张存洲,R.N.SACKS.GaAs/Al_(0.23)Ga_(0.77)As双量子阱的带边不连续性和阱间耦合[J].物理学报,1992(8). |
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| 作者姓名： | 潘士宏 黄晖 张存洲 R.N.SACKS |
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| 作者单位： | 南开大学物理系，南开大学物理系，南开大学物理系，United Technologies Research Center，East Hartford，Connectiout，U.S.A. 天津 300071，天津 300071，天津 300071 |
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| 摘 要： | 本文报道在300和77K对一组具有不同垒宽Lb的GaAs/Al_(0.23)Ga_(0.77)As双量子阱样品的光调制反射谱(PR)的研究结果。除观察到11H,11L和22H等容许跃迁外,同时还识别一个从Al_(0.23)Ga_(0.77)As价带顶至量子阱第一电子束缚能级的跃迁,另一个从量子阱第一轻空穴束缚能级至Al_(0.23)Ga_(0.77)As导带底的跃迁。利用这些跃迁确定导带边不连续性为0.63。对Lb≤40实验观察到11H和11L跃迁都明显地分裂成对称和反对称分量,对分裂大小的实验值与理论计算作了比较。在77K的11H的PR谱中在高能端明显地出现一个肩形峰,其形状不能用PR标准线形来拟合。如认为它对应于带间跃迁,并由此估计激子的束缚能约为8meV。
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