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吴素勇黄云曲天良樊振方谭中奇 《强激光与粒子束》2014,(8):62-67
为解决小型环形激光器输出信号信噪比随腔长减小而下降的问题,研制了一种压制He-Ne气体放电辉光的滤光片。该滤光片的中心波长为632.8nm,入射角为45°,其基片是截止波长为550nm的短波截止红色玻璃,基片前表面镀有19层瞙系结构为{HL2HLHLHLH2LHLHLHLH2LH}的窄带滤光片,后表面镀有4层非规整减反膜。使用离子溅射法和石英晶振膜厚监控方式制备了该滤光片,并对其进行了反向工程拟合,拟合的理论曲线与用Lambda950分光光度计正入射实测的透过率曲线较为吻合。将该滤光片胶合在环形激光器的输出镜后表面,其有用的激光信号幅值基本不变,而噪声幅值下降了约80%,表明该滤光片从光学上使输出信号的信噪比提高了5倍,降低了后续电路处理的负担及复杂度,为小型环形激光器的研制起到了一定的作用。 相似文献
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采用软模板法,以十二烷基硫酸钠(SDS)为模板剂,经水热合成制得三维花状双金属(Mg Al)氢氧化物(3D-Mg Al LDH)。通过XRD、FT-IR、SEM及TEM等表征手段,研究了原料Mg/Al物质的量之比、SDS浓度及反应时间对产物微观结构和表面形貌的影响规律,并初步探讨了3D-Mg Al LDH的形成机理。结果表明,当n_(Mg)/n_(Al)=2,SDS浓度为0.1 mol·L~(-1),水热反应时间为6 h时,可形成结晶度良好、花球形貌完整,纳米片厚度均一的三维花状LDH。在3D-Mg Al LDH的形成过程中,SDS既以阴离子形态参与LDH形成,又因其类球状胶束特性附着在已形成的LDH表面或边缘诱导LDH纳米片交叉生长形成三维花状。吸附实验表明,3D-Mg Al LDH对非离子型有机污染物具有良好的吸附作用,最大吸附量约为31 mg·g~(-1),去除率达到100%。 相似文献
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设计活动 (ProjectApproach)是近年来备受教育界关注的一种学习模式 .设计数学活动能让学生更自然 ,更直接地获得“数学过程”的体验 ;更深入、更广泛地去探求一些数学问题 .并且在学习的过程中 ,学生的兴趣差异及能力差异都将得到个别的照顾 ,从而激发出更大的学习潜能 .笔者在授完高中《代数》下册 (必修 )“不等式证明”这节内容后 ,在学生基本掌握不等式的常见证法的基础上 ,试就课本中的一道不等式证明习题为线索 ,启发、引导学生进行了一次联想 ,引伸、探求的数学活动课 .1 活动内容原题 :已知a、b、c是不全相等的正数 ,求证(a+b) (… 相似文献
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用快速分离柱高效液相色谱法测定烟草中的几种酚 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了用快速分离柱高效液相色谱法测定烟草样品中的苯酚、苯二酚和甲基苯酚. 烟草样品中的酚经水蒸汽蒸馏分离后用Waters Sep-Pak-C18固相萃取小柱富集, 以ZORBAX Stable Bound (4.6 mm i.d.×20 mm, 1.8 μm) 快速分离柱为固定相, 0.05 mol/L KH2PO4缓冲溶液-甲醇梯度为流动相, 几种主要酚在2.0 min 内可达到基线分离;该方法的相对标准偏差为2.1%~3.6%, 标准加入的回收率为88%~97%, 已用于几种烟草样品测定. 相似文献
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Mechanisms of atmospheric neutron-induced single event upsets in nanometric SOI and bulk SRAM devices based on experiment-verified simulation tool 下载免费PDF全文
In this paper, a simulation tool named the neutron-induced single event effect predictive platform(NSEEP~2) is proposed to reveal the mechanism of atmospheric neutron-induced single event effect(SEE) in an electronic device, based on heavy-ion data and Monte-Carlo neutron transport simulation. The detailed metallization architecture and sensitive volume topology of a nanometric static random access memory(SRAM) device can be considered to calculate the real-time soft error rate(RTSER) in the applied environment accurately. The validity of this tool is verified by real-time experimental results. In addition, based on the NSEEP~2, RTSERs of 90 nm–32 nm silicon on insulator(SOI) and bulk SRAM device under various ambient conditions are predicted and analyzed to evaluate the neutron SEE sensitivity and reveal the underlying mechanism. It is found that as the feature size shrinks, the change trends of neutron SEE sensitivity of bulk and SOI technologies are opposite, which can be attributed to the different MBU performances. The RTSER of bulk technology is always 2.8–64 times higher than that of SOI technology, depending on the technology node, solar activity, and flight height. 相似文献