高温超导体磁通跳跃数值模拟

文中基于超导磁通动力学理论,考虑电磁力与热激活对磁通运动的影响,基本物理模型由等效电阻率随超导体温度和磁场变化的磁通扩散方程,以及比热随超导体温度变化的热传导方程组成。在此基础上,用差分法数值求解了这一复杂非线性系统的磁热耦合控制方程,得到了与实验观测结果基本一致的数值模拟结果。结果还表明：外加磁场变化速度、超导体初始温度以及超导尺寸对于磁通跳跃均产生明显的影响。     

利用手征SU(3)夸克模型研究轻双Λ超核^6_ΛΛHe,^5_ΛΛHe,^5_ΛΛH,^4_ΛΛHe,和^4_ΛΛH的结合能

在手征SU(3)夸克集团模型下, 通过共振群方法(RGM)计算了双Λ超核^6_ΛΛHe,^5_ΛΛHe,^5_ΛΛH,^4_ΛΛHe,和^4_ΛΛH的结合能. 结果表明, 假定双Λ超核具有双Λ集团和壳心核集团构成的两集团结构, 得到的^6_ΛΛHe超核的结合能与实验值基本吻合, 表明手征SU(3)夸克集团模型不仅能较好地描述重子谱、N-N和Y-N相互作用及轻Λ超核的结合能, 也能较好地描述Y-Y相互作用及双Λ超核^6_ΛΛHe,^5_ΛΛHe,^5_ΛΛH,^4_ΛΛHe,和^4_ΛΛH的结合能, 指出了它们存在的可能性.     

变频率压缩态光场与原子的相互作用

研究了频率随时间变化的压缩态光场与二能级原子的相互作用，主要讨论了光场频率随时间作正弦调制和脉冲调制两种典型情况下，原子布居数反转随时间的演化特性。当光场频率随时间作正弦调制时，不仅光场频率调制，而且压缩态的压缩系数和压缩相位均对原子布居数反转的崩塌—回复过程有影响。当光场频率随时间作脉冲调制时，在原子布居数反转随时间演化过程中诱导出新的崩塌—回复过程，尤其在脉冲出现的区间内，原子布居数反转表现出持续的小幅快速振荡，这与压缩态的压缩系数无关。     

聚四氟乙烯材料表面激光改性与刻蚀

利用波长为248 nm的准分子激光束在不同激光能量密度下照射聚四氟乙烯(PTFE)材料的表面,并用扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼(Raman)光谱等手段对激光处理前后样品的表面形貌、化学成分和结构进行测量和分析,进而对激光与聚四氟乙烯相互作用的机理进行了研究。实验结果表明,激光辐照使聚四氟乙烯表面产生去氟效应,导致表面碳化、分子链的交联以及含氧基团的产生,随着激光能量密度的增加,C=C双键逐渐形成。这些结构的变化可以导致表面硬度和粘结性增强。激光能量密度的大小对照射后样品表面的物理性质和化学结构有着重要的影响,它是聚合物表面激光改性和烧蚀的关键因素。     

45MeV/A 12C和181Ta相互作用中余核的研究

用厚靶-厚收集箔技术测量了45MeV/A ¹²C和¹⁸¹Ta相互作用中余核的生成截面和反冲性质,并将实验得到的质量产额分布与统计碎裂模型进行了比较.根据前向平均反冲射程计算了线性动量转移,在与我们以前工作相比较后指出,在45MeV/A ¹²C离子引起的反应中,中心碰撞的线性动量转移随靶质量而增加,并与引导粒子模型计算结果很好相符.     

用正弦变频滤波器抑制孤子间的相互作用

提出用正统变频滤波器抑制孤子间的相互作用，并对上变频滤波器、下变频滤波器、交叉变频滤波器在抑制孤子相互作用方面的效应进行了数值研究。结果表明，正弦变频滤波器是最为有效的。     

Ce偶-偶同位素低激发态性质的IBM2描述

通过考虑同类核子相干对间的四极相互作用，在IBM2中对Ce偶－偶同位素^128Ce-^138Ce的低激发态能谱和E2跃迁几率及分支比进行了理论分析，计算结果有效地改善了IBM中这些核的γ带能谱的Staggering现象描述，与实验观察到的低激发态结果基本一致。     

色屏蔽效应与重子谱

利用从格点规范理论计算得出的,包括色屏蔽效应的禁闭位势;研究了重子结构,计算了重子谱及相应状态下的夸克分布的均方根半径.     

制备相干态腔场GHZ态

提出了一种利用简并Ⅴ型三能级原子与相干态光场(大失谐条件下)Raman相互作用实现类自旋的腔场Greenberger-Home-Zeilinger(即GHZ)态的新方案。     

三维激光等离子体相互作用并行数值模拟

提供一个三维非线性流体力学与激光传播耦合的并行求解软件LAP3D，以帮助物理人员研究激光束自聚焦、激光成丝现象。LAP3D基于三维Cartesian坐标系，假设激光沿z向传播，在等离子体标准中性近似假设条件下，忽略电子动量，求解三维Euler流体力学方程、非局域电子热传导方程、旁轴包络近似的激光传播方程3个物理过程。