非线性双折射色散光纤中极化调制不稳定性分析

利用光脉冲在光纤中传播时所遵守的相干非线性薛定谔耦合方程,研究了线偏振光在光纤中的传输特性.结果表明:由于线性双折射、非线性效应和色散的相互作用,导致光的偏振状态发生变化,产生交叉相位调制(XPM),从而导致调制不稳定性.这一调制不稳性不仅在反常色散区产生,在正常色散区也能产生,并且线性双折射发生变化时,增益谱也随之发生变化.     

GaAs被动调Q兼输出耦合Nd∶YVO4激光特性研究

利用可饱和吸收半导体GaAs作为被动调Q元件和F-P输出耦合镜,实现了半导体激光器(LD)抽运Nd:YVO4激光调Q运转,获得脉宽度为47ns,重复频率为1183kHz,平均功率为430 mW,光束质量为M2=1.13的TEM00激光基横模输出,调Q抽运阈值为1700mW.并数值求解了含有GaAs被动调Q兼输出耦合的速率方程,分析了GaAs被动调Q机理以及脉宽宽度、重复频率、平均功率随抽运速率、腔长的变化关系,理论与实验结果相一致.为多功能综合型微型调Q固体激光器提供了简单有效的方法.     

Multi-Electron Processes in 4.15-11.08 keV/u^13C^6＋ on Argon Collisions

The relative partial cross sections for ^13C^6＋ -Ar collisions at 4.15-11.08 ke V/u incident energy are measured. The cross-section ratios σ^2E/σ^SC, σ^3E/σ^SC, σ^4E/σ^SC and σ^SE/σ^SC are approximately the constants of 0.514-0.05, 0.204-0.03, 0.064-0.03 and 0.024-0.01 in this region. The significance of the multi-electron process in highly charged ions （HCIs） with argon collisions is demonstrated （σ^ME/σ^SC as high as 0.794-0.06）. In multi-electron processes, it is shown that transfer ionization is dominant while pure electron capture is weak and negligible. For all reaction channels, the cross-sections are independent of the incident energy in the present energy region, which is in agreement with the static characteristic of classic models, i.e. the molecular Coulomb over-the-barrier model （MCBM）, the extended classical over-the-barrier model （ECBM） and the semiempirical scaling laws （SL）. The result is compared with these classical models and with our previous work of ^13C^6＋ -Ne collisions [Chin. Phys. Lett. 23 （2006） 95].     

形变超晶格Si/Ge的能带结构

用经验的紧束缚方法对短周期的(Si)_n/(Ge)_m形变超晶格的电子态进行了计算。结果表明,由于布里渊区折迭的要求,只有当n+m=10时超晶格才可能产生直接能隙。对周期为n+m=10的超晶格,Γ,N,△处的导带谷间的相对位置对直接能隙的形成具有决定作用,而n的大小与衬底的组分对此有极大影响。(Si)₆/(Ge)₄和(Si)₈/(Ge)₂超晶格在Si_1-xG 关键词：     

保偏光纤中相近频率传输区域的调制不稳定性

利用激光脉冲在光纤中传播时所遵守的相干非线性薛定谔耦合方程,研究了保偏光纤中两相近频率的线偏振光，其偏振方向相互正交且平行于光纤的双折射轴，且偏振方向沿两个双折射轴的分量强度相等时，在同为反常色散区和正常色散区所产生的调制不稳定性.结果表明在反常色散区和正常色散区都能产生调制不稳定性；在正常色散区存在不同的调制不稳定性功率区域，对应不同的功率区域，导致增益谱表现出明显的不同，并且当输入功率一定时，波长差(或频率差)的变化导致增益谱的变化. 关键词： 相近频率传输区域 双折射 保偏光纤 调制不稳定性     

强双折射光纤中单一频率传输区域的调制不稳定性

利用光脉冲在光纤中传播时所遵守的相干非线性薛定谔耦合方程,研究了单一频率的线偏振光,且偏振方向沿两个双折射轴的分量强度相等时,在反常色散区和正常色散区所产生的调制不稳定性.结果表明在反常色散区和正常色散区,对应不同的功率区域输入脉冲有不同的增益谱,并且当输入脉冲功率一定时,双折射性质变化导致增益谱表现出明显的不同.     

3,6-二甲基-9-芳基-1,8-二氧代-2,7,10-三氧杂蒽的合成及晶体结构

以芳醛、6 甲基 4 羟基 2 吡喃酮为原料 ,醋酸酐为溶剂合成了一系列 3 ,6 二甲基 9 芳基 1,8 二氧代 2 ,7,10 三氧杂蒽 ,产物的结构经红外、核磁、元素分析及X射线衍射法表征 ;并对反应过程提出了可能的机理     

高密度光盘径向倾斜对DPD循轨误差信号影响分析

根据高密度光盘参数 ,计算了聚焦光斑在光盘表面扫描过程中每个位置的光瞳光强分布 ,得到DPD(Differ entialPhaseDetection)循轨误差信号。考虑盘片的径向倾斜 ,在光瞳光强分布方程中引入盘片的径向倾斜角度参数 ,计算了高密度盘片产生径向倾斜时DPD循轨误差信号的变化 ,进而分析了盘片的径向倾斜引入的循轨伺服误差及其对循轨伺服的负面影响。结果表明 ,高密度盘片产生 0 .5°的径向倾斜相当于引入了 0 .0 12 μm的循轨误差     

可溶性聚酰亚胺的电化学行为

聚酚亚胺（PI）以其优良的热稳定性、化学稳定性和作为优良的绝缘材料而被广泛应用于电子工业'．Haushalt。了和Kra。l。e等Li发现I'I膜在一定条件下可进行电化学反应．PI由于在电沉积等方面有潜在的应用价值,现已有一些这方面的研究工作卜一'．但所用的材料都是不溶性的PI,且用不同的方法制备PI薄膜修饰电极,因此所报道的PI在水或非水溶液中的电化学行为各不相同［'－'j．另外,以往的研究大都用一种商品化的l'I,而没有系统地研究PI结构对电化学行为的影响．本文报道了由相同的二胺和不同的二欧经化学环化制备的5种可溶性PI…