吸附相反应技术用于不同载体表面纳米TiO2的制备

研究了不同载体对吸附相反应技术制备TiO2粒子的影响, 设计了两种不同表面形貌载体的温度实验(A型SiO2: 粒径20 nm, 比表面积640 m2·g-1; B型SiO2: 粒径12 nm, 比表面积200 m2·g-1), 并用电子能谱仪测定了两种载体表面TiO2含量随温度的变化. 结果表明, 两种载体表面Ti含量都随着温度的升高而减少, 且在一定温度范围内存在着突变, 但A载体突变的温度范围是40-60 ℃, 而B载体为30-50 ℃. TEM表征结果则显示, B表面TiO2粒子要比A表面的均匀. XRD得到的晶粒粒径曲线表明, A 载体表面TiO2晶粒粒径随着温度升高而减小并存在着突变, B载体表面粒子粒径则基本不变. 根据硅胶表面的吸附特性, 提出SiO2吸附的共性导致载体表面Ti含量变化曲线存在着共同点, 而载体内外表面的不同形貌则引起其表面吸附层的形貌以及温度敏感性不同, 最终导致两种载体表面Ti含量、晶粒粒径以及形貌上的差别.     

掺杂钒和硅对TiO2薄膜超亲水性的影响

0引言 TiO2薄膜是众多氧化物半导体薄膜中研究最为广泛的一种材料．其表面的超亲水性和表面自清洁效应开辟了光催化薄膜功能材料的新的研究领域，已成为众多研究者研究的对象。但是如果薄膜仅由TiO2组成，当光照停止，水在TiO2薄膜表面的润湿角逐渐升高．并恢复原始状态。TiO2的禁带较宽，普通光线如太阳光等都不能将其激发．限制了其实际应用。因此如何使TiO2材料的光谱响应范围由紫外光反扩展到可见．光区一日如何更长时间地保持薄膜良好的亲水性是目前研究的重点。     

CuO/SiO2制备过程中吸附质相间分配比的调控及其对粒径影响的研究

吸附相反应过程中, 吸附层是反应的场所, 吸附质在吸附层和本体溶液中的分配对吸附层中的反应和粒子的形成、生长过程有重大影响. 通过定义相间分配比的概念, 研究了不同吸附质种类、不同温度和水量条件下吸附质相间分配比的变化规律. 采用XRD和TEM等手段考察了不同条件下制备所得样品的粒子大小、形貌等, 并与相间分配比的变化趋势相比较, 得到了相间分配比对粒径的调控规律. 研究发现不同吸附质在相间分配比上存在的差异导致了晶粒粒径的变化, Cu(OAc)₂的相间分配比大于NaOH的相间分配比, 因此以Cu(OAc)₂为吸附质制备得到的CuO粒子较小. 同时在常温(0～40 ℃)和低水量条件下时, 相间分配比的变化也是导致粒径变化的主要因素, 温度升高和水量增加均导致相间分配比变大进而导致粒径变小.