全文获取类型
收费全文 | 2664篇 |
免费 | 1172篇 |
国内免费 | 1123篇 |
专业分类
化学 | 1596篇 |
晶体学 | 525篇 |
力学 | 249篇 |
综合类 | 205篇 |
数学 | 305篇 |
物理学 | 2079篇 |
出版年
2024年 | 15篇 |
2023年 | 82篇 |
2022年 | 72篇 |
2021年 | 94篇 |
2020年 | 87篇 |
2019年 | 83篇 |
2018年 | 71篇 |
2017年 | 94篇 |
2016年 | 114篇 |
2015年 | 125篇 |
2014年 | 291篇 |
2013年 | 216篇 |
2012年 | 204篇 |
2011年 | 215篇 |
2010年 | 225篇 |
2009年 | 239篇 |
2008年 | 268篇 |
2007年 | 231篇 |
2006年 | 257篇 |
2005年 | 238篇 |
2004年 | 192篇 |
2003年 | 253篇 |
2002年 | 186篇 |
2001年 | 174篇 |
2000年 | 116篇 |
1999年 | 95篇 |
1998年 | 104篇 |
1997年 | 110篇 |
1996年 | 93篇 |
1995年 | 77篇 |
1994年 | 60篇 |
1993年 | 59篇 |
1992年 | 52篇 |
1991年 | 37篇 |
1990年 | 53篇 |
1989年 | 48篇 |
1988年 | 7篇 |
1987年 | 5篇 |
1986年 | 7篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
1959年 | 2篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有4959条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
热丝辅助裂解法是结合气相沉积制备聚对二甲苯薄膜和热丝化学气相沉积而形成的一种制-CH薄膜的新方法。热丝辅助裂解法的最大特点就是在保持低衬底温度情况下可以获得高沉积速率,而热丝加热电流对薄膜沉积速率和薄膜表面形貌具有重要影响。研究表明,热丝加热电流越大,薄膜沉积速率越高,在加热电流9A时,薄膜沉积速率可达0.002mm/min,同时薄膜表面粗糙度随之增加,薄膜表面也开始出现其它元素污染,因此,一般热丝加热电流选择为7A附近。 相似文献
32.
《中国物理快报》2003,20(10):1871-1874
33.
半导体中多光子吸收跃迁速率的全量子理论分析 总被引:3,自引:3,他引:0
本文从非线性光学中辐射跃迁速率的表达式出发,在全量子理论下,导出了半导体中任意阶多光子吸收跃迁速率的一般表达式。理论分析结果表明,n光子吸收跃迁速率与光强的n次方和n阶光子相干度成正比。本文在多能带及二能带理论模型下,对多光子吸收跃迁速率的一般表达式进行了化简,并对非线性相互作用项对跃迁速率的贡献,作了讨论。 相似文献
34.
35.
溶胶—凝胶法制备SiO2基片Er^3+:Al2O3光学薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
用溶胶—凝胶法在SiO2基片上提拉制备了掺Er^3 :Al2O3光学薄膜。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、差热—热重分析仪、X射线衍射仪研究了掺Er^3 :Al2O3光学薄膜的肜貌和结构特性。在900℃烧结后,SiO2基片上提拉15次形成厚度8μm掺摩尔比0.01Er^3 的面心立方结构γ-Al2O3薄膜具有明显(110)择优取向,掺摩尔比0.01Er^3 对γ—Al2O3的品体结构和结晶生长过程木产生显著影响。薄膜具有均匀多孔结构,平均粒径为30~100nm,平均孔径为50~100nm,表面起伏度为10~20nm。掺摩尔比0.01Er^3 :rAl2O3薄膜,获得了中心波长为1.534μm(半峰全宽为36nm)的光敛发光谱。 相似文献
36.
Low-Temperature Growth of Polycrystalline silicon Films by SiCl4/H2 rf Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition 总被引:4,自引:0,他引:4 下载免费PDF全文
Polycrystalline silicon film was directly fabricated at 200℃ by the conventional plasma enhanced chemical vapour deposition method from SiCl4 with H2 dilution. The crystallization depends strongly on the deposition power.The maximum crystMlinity and the crystalline grain size are over 80% and 200—50Onm, respectively. The results of energy dispersive spectroscopy and infrared spectroscopy measurements demonstrate that the film is mostly composed of silicon, without impurities such as Cl, N, C and bonded H. It is suggested that the crystallization at such a low temperature originates from the effects of chlorine, i.e., in-situ chemical, etching, in-situ chemical cleaning, and the detachment of bonded H. 相似文献
37.
38.
Incident intensity, defined by the amount of particles deposited per pulse, is an important parameter in the film growth process of pulsed laser deposition (PLD). Different from previous models, we investigate the irreversible and reversible growth processes by using a kinetic Monte Carlo method and find that island density and film morphology strongly depend on pulse intensity. At higher pulse intensities, lots of adatoms instantaneously diffuse on the substrate surface, and then nucleation easily occurs between the moving adatoms resulting in more smaller-size islands. In contrast, at the lower pulse intensities, nucleation event occurs preferentially between the single adatom and existing islands rather than forming new islands, and therefore the average island size becomes larger in this case. Additionally, our results show that substrate temperature plays an important role in film growth. In particular, it can determine the films shape and weaken the effect of pulse intensity on film growth at the lower temperatures by controlling the mobility rate of atoms. Our results can match the related theoretical and experimental results. 相似文献
39.
利用原子力显微镜分析了ZnO薄膜在具有本征氧化层的Si(100)和Si(111)基片上的表面形貌 随沉积时间的演化. 通过对薄膜生长形貌的动力学标度表征,研究了射频反应磁控溅射条件 下,ZnO薄膜的成核过程及生长动力学行为. 研究发现,ZnO在基片表面的成核过程可分为初 期成核阶段、低速率成核阶段和二次成核阶段. 对于Si(100)基片,三个成核阶段的生长指 数分别为β1=1.04,β2=0.25±0.01,β3=0.74;对 于Si(11
关键词:
ZnO薄膜
磁控溅射
生长动力学
成核机制 相似文献
40.
基于简单碰撞理论煤粉燃烧动力学模型的研究-PART Ⅲ:氧气可达比表面积 总被引:2,自引:1,他引:1
根据不同温度下氧分子平均自由程的大小,比较了小孔、中孔和大孔中三种扩散速率与煤焦表面燃烧速度的大小.研究表明2000 K以内,颗粒表面分子扩散速率比氧化反应速率大1个数量级以上,过度扩散速率不小于氧化速率.温度小于1200K时,燃烧速率比Knudsen扩散速率小1~5个数量级,扩散孔径小于15~28 nm,反应主要在内外表面进行;1200~1600K时,燃烧速率与Knudsen扩散速率相当,扩散临界孔径28~38 nm,反应在外表面及浅层内表面进行;温度1600K以上时,Knudsen扩散速率比燃烧速率小1个数量级,孔径38~50 nm以下内表面上碳的氧化速度受扩散控制.煤焦的氧化主要发生在Knudsen扩散临界孔径10~50 nm以上的氧气可达表面上. 相似文献